Продукція > ONSEMI > FDB14N30TM
FDB14N30TM

FDB14N30TM ONSEMI

ONSM-S-A0003159160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.86 грн
500+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB14N30TM ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDB14N30TM за ціною від 56.03 грн до 135.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb14n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.05 грн
121+101.19 грн
148+82.39 грн
250+78.47 грн
500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb14n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+104.49 грн
10+94.76 грн
25+93.96 грн
100+73.78 грн
250+67.46 грн
500+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003159160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.02 грн
10+116.91 грн
100+93.86 грн
500+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb14n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb14n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : onsemi fdb14n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : onsemi fdb14n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM Виробник : onsemi / Fairchild FDB14N30_D-1806533.pdf MOSFETs 300V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.