Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB14N30TM
FDB14N30TM

FDB14N30TM ON Semiconductor

fdb14n30jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.32 грн
121+117.32 грн
148+95.53 грн
250+90.97 грн
500+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB14N30TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDB14N30TM за ціною від 69.96 грн до 130.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB14N30TM FDB14N30TM ON Semiconductor fdb14n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.46 грн
10+118.32 грн
25+117.32 грн
100+92.12 грн
250+84.24 грн
500+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM ONSEMI ONSM-S-A0003159160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM FDB14N30TM ONSEMI ONSM-S-A0003159160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM fdb14n30jp-d.pdf
FDB14N30TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+130.46 грн
10+118.32 грн
25+117.32 грн
100+92.12 грн
250+84.24 грн
500+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM ONSM-S-A0003159160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB14N30TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB14N30TM ONSM-S-A0003159160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB14N30TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.