Продукція > ONSEMI > FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7 onsemi

fdb1d7n10cl7-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+274.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB1D7N10CL7 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDB1D7N10CL7 за ціною від 286.00 грн до 611.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : onsemi FDB1D7N10CL7_D-2311896.pdf MOSFETs MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.09 грн
10+497.25 грн
25+391.64 грн
100+359.95 грн
250+338.82 грн
500+317.69 грн
800+286.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : onsemi fdb1d7n10cl7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.39 грн
10+401.91 грн
100+295.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 Виробник : ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 268A; Idm: 1390A; 250W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 268A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1390A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 Виробник : ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 268A; Idm: 1390A; 250W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 268A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1390A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.