Продукція > ONSEMI > FDB2552
FDB2552

FDB2552 onsemi

fdp2552-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.49 грн
1600+64.45 грн
2400+61.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB2552 onsemi

Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB2552 за ціною від 89.88 грн до 258.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB2552 FDB2552 onsemi fdp2552-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
10+114.10 грн
100+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 FDB2552 ON Semiconductor 3651784339185470fdp2552.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.39 грн
10+230.85 грн
25+226.76 грн
100+178.55 грн
250+164.05 грн
500+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 FDB2552 ON Semiconductor 3651784339185470fdp2552.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.39 грн
62+230.85 грн
63+226.76 грн
100+178.55 грн
250+164.05 грн
500+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 FDB2552 onsemi / Fairchild fdp2552-d.pdf MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 FDB2552 ONSEMI 1774754.pdf Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 FDB2552 ONSEMI 2304484.pdf Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 ONN fdp2552-d.pdf
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
FDB2552
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.08 грн
10+114.10 грн
100+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 3651784339185470fdp2552.pdf
FDB2552
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+258.39 грн
10+230.85 грн
25+226.76 грн
100+178.55 грн
250+164.05 грн
500+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 3651784339185470fdp2552.pdf
FDB2552
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+258.39 грн
62+230.85 грн
63+226.76 грн
100+178.55 грн
250+164.05 грн
500+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
FDB2552
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 1774754.pdf
FDB2552
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 2304484.pdf
FDB2552
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.