Продукція > ONSEMI > FDB28N30TM
FDB28N30TM

FDB28N30TM onsemi

fdb28n30tm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.02 грн
1600+67.58 грн
2400+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB28N30TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 66.52 грн до 175.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+76.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.46 грн
10+86.12 грн
20+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+104.72 грн
135+92.21 грн
136+91.28 грн
157+76.39 грн
250+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI 1794583.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.78 грн
500+100.47 грн
800+69.11 грн
1600+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+112.20 грн
10+98.79 грн
25+97.80 грн
100+81.85 грн
250+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.17 грн
10+103.34 грн
20+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : onsemi / Fairchild FDB28N30TM-D.PDF MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 12210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.85 грн
10+104.76 грн
100+70.42 грн
500+69.12 грн
800+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : onsemi fdb28n30tm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.92 грн
10+117.06 грн
100+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.18 грн
10+126.23 грн
100+94.46 грн
500+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM Виробник : ON-Semicoductor fdb28n30tm-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.