Продукція > ONSEMI > FDB28N30TM
FDB28N30TM

FDB28N30TM onsemi

fdb28n30tm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+67.47 грн
1600+60.31 грн
2400+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB28N30TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 60.68 грн до 227.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDB28N30TM FDB28N30TM ON-Semiconductor TFDB28n30tm_ON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi / Fairchild FDB28N30TM-D.PDF MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 12210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+95.56 грн
100+64.24 грн
500+63.05 грн
800+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI FDB28N30TM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.47 грн
4+134.48 грн
10+105.91 грн
20+96.66 грн
100+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi fdb28n30tm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.18 грн
10+123.08 грн
100+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi fdb28n30tm-d.pdf MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.29 грн
10+133.30 грн
100+82.40 грн
500+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM TFDB28n30tm_ON_0001.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM-D.PDF
FDB28N30TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 12210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.01 грн
10+95.56 грн
100+64.24 грн
500+63.05 грн
800+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+186.47 грн
4+134.48 грн
10+105.91 грн
20+96.66 грн
100+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
FDB28N30TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+197.18 грн
10+123.08 грн
100+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
FDB28N30TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.29 грн
10+133.30 грн
100+82.40 грн
500+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.