FDB28N30TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 73.56 грн |
| 1600+ | 69.99 грн |
| 2400+ | 69.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB28N30TM onsemi
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 68.45 грн до 181.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 300V N-Channel |
на замовлення 12210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDB28N30TM | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
FDB28N30TM SMD N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |