FDB28N30TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 77.67 грн |
| 1600+ | 63.46 грн |
| 2400+ | 60.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB28N30TM onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 62.69 грн до 151.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDB28N30TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 300V N-Channel |
на замовлення 20718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDB28N30TM | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |