Продукція > ONSEMI > FDB28N30TM
FDB28N30TM

FDB28N30TM onsemi

FDB28N30TM-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.30 грн
1600+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB28N30TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm.

Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 86.24 грн до 222.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB28N30TM FDB28N30TM ON-Semiconductor TFDB28n30tm_ON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.75 грн
1600+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.23 грн
1600+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+122.86 грн
250+112.90 грн
800+106.58 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.34 грн
10+148.79 грн
25+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI FDB28N30TM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.26 грн
4+135.56 грн
10+111.29 грн
20+102.92 грн
100+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi FDB28N30TM-D.PDF Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.11 грн
10+138.65 грн
100+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi FDB28N30TM-D.PDF MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 10769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM TFDB28n30tm_ON_0001.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+88.75 грн
1600+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+89.23 грн
1600+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+122.86 грн
250+112.90 грн
800+106.58 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.34 грн
10+148.79 грн
25+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.26 грн
4+135.56 грн
10+111.29 грн
20+102.92 грн
100+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM-D.PDF
FDB28N30TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.11 грн
10+138.65 грн
100+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM 2304489.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM-D.PDF
FDB28N30TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 10769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM 2304489.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.