Продукція > ONSEMI > FDB28N30TM
FDB28N30TM

FDB28N30TM onsemi

fdb28n30tm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.04 грн
1600+59.93 грн
2400+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB28N30TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 63.28 грн до 225.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON-Semiconductor TFDB28n30tm_ON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI 1794583.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.42 грн
500+94.71 грн
800+65.15 грн
1600+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.52 грн
10+103.48 грн
25+102.44 грн
100+85.73 грн
250+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+117.52 грн
135+103.48 грн
136+102.44 грн
157+85.73 грн
250+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.13 грн
10+118.99 грн
100+89.04 грн
500+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ONSEMI FDB28N30TM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.28 грн
4+133.63 грн
10+105.23 грн
20+96.05 грн
100+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : onsemi fdb28n30tm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.92 грн
10+122.29 грн
100+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : onsemi fdb28n30tm-d.pdf MOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.84 грн
10+132.45 грн
100+81.87 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM Виробник : ON Semiconductor fdb28n30tm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM Виробник : ONS/FAI FDB28N30TM.pdf MOSFET N-Ch, 300V, 28A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.