Продукція > ONSEMI > FDBL0150N80
FDBL0150N80

FDBL0150N80 onsemi

fdbl0150n80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+152.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0150N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 429W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDBL0150N80 за ціною від 143.15 грн до 395.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDBL0150N80 FDBL0150N80 onsemi fdbl0150n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.35 грн
10+254.17 грн
100+183.00 грн
500+169.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 FDBL0150N80 onsemi FDBL0150N80-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.92 грн
10+273.83 грн
100+171.78 грн
500+168.98 грн
1000+160.60 грн
2000+143.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 ONN fdbl0150n80-d.pdf
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
FDBL0150N80
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+394.35 грн
10+254.17 грн
100+183.00 грн
500+169.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 FDBL0150N80-D.pdf
FDBL0150N80
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+395.92 грн
10+273.83 грн
100+171.78 грн
500+168.98 грн
1000+160.60 грн
2000+143.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.