Продукція > ONSEMI > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P onsemi

FDC6318P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.70 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 17.78 грн до 82.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1998+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 1998 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.11 грн
27+29.41 грн
100+27.68 грн
500+24.40 грн
1000+21.78 грн
3000+18.68 грн
6000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 249860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+42.38 грн
390+37.44 грн
500+31.52 грн
1000+28.44 грн
3000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 249860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.57 грн
19+42.38 грн
100+37.44 грн
500+30.40 грн
1000+26.33 грн
3000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+56.77 грн
258+56.61 грн
259+56.45 грн
500+54.28 грн
1000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.94 грн
25+56.77 грн
100+54.59 грн
250+50.40 грн
500+48.25 грн
1000+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.92 грн
10+44.81 грн
25+38.79 грн
100+30.93 грн
250+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P onsemi FDC6318P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 50556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+67.67 грн
10+40.13 грн
100+26.82 грн
500+23.19 грн
1000+22.82 грн
3000+18.52 грн
6000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P onsemi FDC6318P-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.04 грн
10+49.73 грн
50+36.81 грн
100+30.63 грн
500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1998+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 1998 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+33.11 грн
27+29.41 грн
100+27.68 грн
500+24.40 грн
1000+21.78 грн
3000+18.68 грн
6000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1091+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 249860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
345+42.38 грн
390+37.44 грн
500+31.52 грн
1000+28.44 грн
3000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 249860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.57 грн
19+42.38 грн
100+37.44 грн
500+30.40 грн
1000+26.33 грн
3000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
257+56.77 грн
258+56.61 грн
259+56.45 грн
500+54.28 грн
1000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.94 грн
25+56.77 грн
100+54.59 грн
250+50.40 грн
500+48.25 грн
1000+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P.pdf
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.92 грн
10+44.81 грн
25+38.79 грн
100+30.93 грн
250+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P-D.PDF
FDC6318P
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 50556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.67 грн
10+40.13 грн
100+26.82 грн
500+23.19 грн
1000+22.82 грн
3000+18.52 грн
6000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P-D.PDF
FDC6318P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.04 грн
10+49.73 грн
50+36.81 грн
100+30.63 грн
500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.