Продукція > ONSEMI > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P onsemi

fdc6318p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.32 грн
6000+17.36 грн
9000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 15.58 грн до 77.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1998+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 1998
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1091+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 1091
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.89 грн
500+30.66 грн
1000+24.11 грн
5000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
299+43.29 грн
302+42.93 грн
304+42.56 грн
500+40.69 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 299
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.37 грн
20+37.95 грн
100+32.16 грн
500+27.11 грн
1000+23.50 грн
3000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.78 грн
25+46.38 грн
100+44.35 грн
250+40.71 грн
500+38.75 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.56 грн
17+50.79 грн
100+38.89 грн
500+30.66 грн
1000+24.11 грн
5000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.66 грн
16+48.15 грн
100+37.39 грн
500+29.79 грн
1000+25.20 грн
3000+20.04 грн
6000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+64.32 грн
10+45.09 грн
25+39.03 грн
100+31.12 грн
250+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6318P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 22738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.49 грн
10+43.40 грн
100+28.51 грн
500+22.08 грн
1000+19.99 грн
3000+16.21 грн
6000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.83 грн
10+46.79 грн
100+30.76 грн
500+22.37 грн
1000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P Виробник : Fairchild/ON Semiconductor FDC6318P.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 12, Id = 2,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 455 @ 6, Qg, нКл = 8, Rds = 90 мОм, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P Виробник : ONS/FAI fdc6318p-d.pdf MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.