Продукція > ONSEMI > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P onsemi

fdc6318p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.30 грн
6000+18.24 грн
9000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 17.03 грн до 81.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1998+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 1998
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
794+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 794
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.86 грн
500+32.22 грн
1000+25.33 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 113880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+45.80 грн
357+34.74 грн
500+28.66 грн
1000+24.76 грн
3000+20.06 грн
6000+19.06 грн
9000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+51.32 грн
244+50.92 грн
246+50.52 грн
250+48.32 грн
500+44.39 грн
1000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 113880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.31 грн
15+49.07 грн
100+37.22 грн
500+29.61 грн
1000+24.57 грн
3000+20.63 грн
6000+20.42 грн
9000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.98 грн
25+54.56 грн
100+52.19 грн
250+47.94 грн
500+45.66 грн
1000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.48 грн
17+53.37 грн
100+40.86 грн
500+32.22 грн
1000+25.33 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6318P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 27255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.47 грн
10+47.42 грн
100+31.16 грн
500+24.13 грн
1000+21.84 грн
3000+17.72 грн
6000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.78 грн
10+49.16 грн
100+32.32 грн
500+23.51 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P Виробник : ONSEMI fdc6318p-d.pdf FDC6318P Multi channel transistors
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.20 грн
30+37.61 грн
83+35.61 грн
500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.