Продукція > ONSEMI > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P onsemi

fdc6318p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.21 грн
6000+18.16 грн
9000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 16.95 грн до 81.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1998+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1998
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1091+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 1091
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.68 грн
500+32.07 грн
1000+25.22 грн
5000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
299+41.72 грн
302+41.37 грн
304+41.01 грн
500+39.21 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 299
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+42.76 грн
20+36.57 грн
100+30.99 грн
500+26.13 грн
1000+22.65 грн
3000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.08 грн
25+44.70 грн
100+42.74 грн
250+39.23 грн
500+37.34 грн
1000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.21 грн
17+53.13 грн
100+40.68 грн
500+32.07 грн
1000+25.22 грн
5000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+60.38 грн
16+46.40 грн
100+36.03 грн
500+28.70 грн
1000+24.28 грн
3000+19.31 грн
6000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.55 грн
10+42.45 грн
25+36.75 грн
100+29.30 грн
250+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6318P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 22738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.16 грн
10+47.21 грн
100+31.02 грн
500+24.02 грн
1000+21.74 грн
3000+17.64 грн
6000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.66 грн
10+52.90 грн
25+44.10 грн
100+35.16 грн
250+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.42 грн
10+48.94 грн
100+32.18 грн
500+23.41 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.