FDC6318P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.22 грн |
| 6000+ | 17.27 грн |
| 9000+ | 16.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6318P onsemi
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 20.18 грн до 77.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 99860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 99860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A Gate charge: 8nC On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.96W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2287 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6318P | onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 11098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC6318P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperSOT-3 |
на замовлення 22738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDC6318P | onsemi |
MOSFETs SuperSOT-3 |
на замовлення 53340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC6318P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC6318P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 575+ | 24.56 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.06 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.44 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.45 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1998+ | 30.00 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1091+ | 32.35 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.18 грн |
| 20+ | 38.64 грн |
| 100+ | 32.75 грн |
| 500+ | 27.61 грн |
| 1000+ | 23.93 грн |
| 3000+ | 21.06 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 299+ | 47.23 грн |
| 302+ | 46.83 грн |
| 304+ | 46.43 грн |
| 500+ | 44.39 грн |
| 1000+ | 40.74 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 47.63 грн |
| 25+ | 47.23 грн |
| 100+ | 45.16 грн |
| 250+ | 41.45 грн |
| 500+ | 39.46 грн |
| 1000+ | 39.11 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 63.80 грн |
| 16+ | 49.03 грн |
| 100+ | 38.07 грн |
| 500+ | 30.33 грн |
| 1000+ | 25.65 грн |
| 3000+ | 20.40 грн |
| 6000+ | 20.19 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.98 грн |
| 10+ | 44.85 грн |
| 25+ | 38.83 грн |
| 100+ | 30.96 грн |
| 250+ | 29.62 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.42 грн |
| 10+ | 46.54 грн |
| 100+ | 30.60 грн |
| 500+ | 22.26 грн |
| 1000+ | 20.18 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperSOT-3
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 22738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperSOT-3
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 53340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





