
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 20.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6318P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 17.26 грн до 92.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 113880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 113880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 60545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 11152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |