Продукція > ONSEMI > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P onsemi

fdc6318p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.05 грн
6000+17.11 грн
9000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 15.36 грн до 85.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.22 грн
500+25.07 грн
1000+21.15 грн
5000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.40 грн
10+44.44 грн
25+38.47 грн
100+30.68 грн
250+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P onsemi / Fairchild FDC6318P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 22738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.57 грн
10+42.77 грн
100+28.10 грн
500+21.77 грн
1000+19.70 грн
3000+15.98 грн
6000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.12 грн
100+30.32 грн
500+22.05 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.48 грн
17+48.46 грн
100+32.22 грн
500+25.07 грн
1000+21.15 грн
5000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P onsemi fdc6318p-d.pdf MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 53343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.18 грн
10+52.60 грн
100+30.03 грн
500+23.28 грн
1000+21.15 грн
3000+17.15 грн
6000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.22 грн
500+25.07 грн
1000+21.15 грн
5000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P.pdf
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+63.40 грн
10+44.44 грн
25+38.47 грн
100+30.68 грн
250+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P-D.PDF
FDC6318P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 22738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+63.57 грн
10+42.77 грн
100+28.10 грн
500+21.77 грн
1000+19.70 грн
3000+15.98 грн
6000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.72 грн
10+46.12 грн
100+30.32 грн
500+22.05 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+79.48 грн
17+48.46 грн
100+32.22 грн
500+25.07 грн
1000+21.15 грн
5000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 53343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.18 грн
10+52.60 грн
100+30.03 грн
500+23.28 грн
1000+21.15 грн
3000+17.15 грн
6000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.