Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P ON Semiconductor

fdc6318p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 17.26 грн до 92.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.50 грн
6000+21.14 грн
9000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1998+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 1998
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
794+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 794
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.27 грн
500+30.96 грн
1000+24.35 грн
5000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 113880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+44.58 грн
15+41.82 грн
100+31.72 грн
500+25.23 грн
1000+20.94 грн
3000+17.59 грн
6000+17.41 грн
9000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 113880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+45.03 грн
357+34.16 грн
500+28.18 грн
1000+24.35 грн
3000+19.73 грн
6000+18.74 грн
9000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+46.86 грн
25+46.50 грн
100+44.48 грн
250+40.86 грн
500+38.91 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.46 грн
244+50.07 грн
246+49.68 грн
250+47.52 грн
500+43.65 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.12 грн
17+51.29 грн
100+39.27 грн
500+30.96 грн
1000+24.35 грн
5000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
10+48.62 грн
25+42.12 грн
29+31.34 грн
79+29.59 грн
250+28.90 грн
500+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi / Fairchild fdc6318p-d.pdf MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 56557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+56.89 грн
25+43.96 грн
100+34.86 грн
250+33.76 грн
500+27.23 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.98 грн
10+60.59 грн
25+50.55 грн
29+37.61 грн
79+35.50 грн
250+34.68 грн
500+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 11152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+56.11 грн
100+36.21 грн
500+26.10 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.