Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6318P
FDC6318P

FDC6318P ON Semiconductor

3660361439275242fdc6318p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6318P ON Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDC6318P за ціною від 17.24 грн до 66.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.37 грн
6000+ 19.49 грн
9000+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.5 грн
6000+ 21.46 грн
9000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
483+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 483
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
451+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 451
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.48 грн
500+ 18.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+41.83 грн
25+ 33.99 грн
29+ 27.75 грн
79+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.37 грн
15+ 40.68 грн
25+ 39.24 грн
100+ 30.39 грн
250+ 27.86 грн
500+ 23.41 грн
1000+ 19.87 грн
3000+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.2 грн
25+ 42.36 грн
29+ 33.3 грн
79+ 31.63 грн
3000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.48 грн
13+ 46.84 грн
100+ 34.52 грн
500+ 28.3 грн
1000+ 21.77 грн
3000+ 18.84 грн
6000+ 18.54 грн
9000+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 14029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 46.96 грн
100+ 32.49 грн
500+ 25.48 грн
1000+ 21.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC6318P FDC6318P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6318P_D-2311901.pdf MOSFET SuperSOT-3
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.5 грн
10+ 48.94 грн
100+ 30.5 грн
500+ 25.84 грн
1000+ 22.11 грн
3000+ 19.58 грн
6000+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC6318P FDC6318P Виробник : ONSEMI fdc6318p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.71 грн
14+ 56.33 грн
100+ 38.1 грн
500+ 23.24 грн
3000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC6318P FDC6318P Виробник : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній