Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6321C
FDC6321C

FDC6321C ON Semiconductor

3655327503446353fdc6321c.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6321C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 10.39 грн до 47.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.38 грн
6000+ 13.02 грн
9000+ 12.68 грн
24000+ 11.92 грн
30000+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor 3655327503446353fdc6321c.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.92 грн
500+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.7 грн
21+ 28.34 грн
100+ 22.44 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68/-0.46A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+36.27 грн
25+ 22.66 грн
47+ 17.16 грн
128+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6321C_D-2312470.pdf MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 13944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.47 грн
10+ 34.31 грн
100+ 22.21 грн
500+ 17.28 грн
1000+ 14.06 грн
3000+ 11.7 грн
9000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68/-0.46A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.53 грн
25+ 28.24 грн
47+ 20.59 грн
128+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.85 грн
19+ 39.59 грн
100+ 24.92 грн
500+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC6321C Виробник : onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.36 грн
6000+ 12.21 грн
9000+ 11.34 грн
30000+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6321C Виробник : onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 32350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.81 грн
10+ 32.59 грн
100+ 22.67 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6321C FDC6321C
Код товару: 98683 		fdc6321c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній