Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 11.43 грн до 66.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6321C | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6321C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6321C | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 Gate charge: 2.3/1.5nC Drain current: 0.68/-0.46A On-state resistance: 720/1220mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 25/-25V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6321C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC6321C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH |
на замовлення 6797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6321C | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 29915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC6321C | onsemi |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH |
на замовлення 11884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.26 грн |
| 6000+ | 12.63 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.48 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1500+ | 16.26 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Gate charge: 2.3/1.5nC
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25/-25V
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Gate charge: 2.3/1.5nC
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25/-25V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 44.64 грн |
| 12+ | 35.65 грн |
| 25+ | 30.84 грн |
| 50+ | 26.86 грн |
| 100+ | 23.13 грн |
| 500+ | 19.15 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 56.65 грн |
| 50+ | 37.45 грн |
| 100+ | 27.48 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1500+ | 16.26 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.20 грн |
| 10+ | 35.72 грн |
| 100+ | 21.22 грн |
| 500+ | 16.39 грн |
| 1000+ | 14.81 грн |
| 3000+ | 12.67 грн |
| 6000+ | 11.43 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 29915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 10+ | 37.91 грн |
| 100+ | 24.62 грн |
| 500+ | 17.73 грн |
| 1000+ | 15.99 грн |






