Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 12.61 грн до 82.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6321C | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.68/-0.46A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 720/1220mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.3/1.5nC |
на замовлення 902 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 81771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6321C | onsemi |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH |
на замовлення 725 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6321C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FDC6321C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.67 грн |
| 6000+ | 14.76 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 17.52 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.45 грн |
| 6000+ | 18.78 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.45 грн |
| 6000+ | 18.78 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.56 грн |
| 6000+ | 18.90 грн |
| 9000+ | 18.26 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.71 грн |
| 6000+ | 19.00 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.73 грн |
| 6000+ | 19.02 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.93 грн |
| 6000+ | 19.27 грн |
| 9000+ | 17.58 грн |
| 15000+ | 16.79 грн |
| 21000+ | 15.38 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 661+ | 21.60 грн |
| 667+ | 21.41 грн |
| 673+ | 21.22 грн |
| 679+ | 20.28 грн |
| 1000+ | 18.61 грн |
| 3000+ | 17.71 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 24.35 грн |
| 34+ | 22.70 грн |
| 36+ | 21.60 грн |
| 100+ | 20.65 грн |
| 250+ | 18.95 грн |
| 500+ | 18.03 грн |
| 1000+ | 17.87 грн |
| 3000+ | 17.71 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 386+ | 37.00 грн |
| 1000+ | 23.06 грн |
| 3000+ | 22.38 грн |
| 6000+ | 21.53 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.35 грн |
| 14+ | 31.18 грн |
| 25+ | 27.96 грн |
| 50+ | 25.56 грн |
| 100+ | 23.32 грн |
| 250+ | 20.26 грн |
| 500+ | 18.69 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 81771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.57 грн |
| 10+ | 41.46 грн |
| 50+ | 30.45 грн |
| 100+ | 25.24 грн |
| 500+ | 19.36 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 725 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.35 грн |
| 10+ | 49.31 грн |
| 100+ | 27.27 грн |
| 500+ | 21.40 грн |
| 1000+ | 19.94 грн |
| 3000+ | 12.61 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







