FDC6321C


fdc6321c-d.pdf
Код товару: 98683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 11.43 грн до 66.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC6321C FDC6321C onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.26 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.48 грн
500+19.48 грн
1500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Gate charge: 2.3/1.5nC
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25/-25V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
12+35.65 грн
25+30.84 грн
50+26.86 грн
100+23.13 грн
500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI fdc6321c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.65 грн
50+37.45 грн
100+27.48 грн
500+19.48 грн
1500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi / Fairchild FDC6321C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.20 грн
10+35.72 грн
100+21.22 грн
500+16.39 грн
1000+14.81 грн
3000+12.67 грн
6000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 29915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.91 грн
100+24.62 грн
500+17.73 грн
1000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi fdc6321c-d.pdf MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 11884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.38 грн
10+40.72 грн
100+22.94 грн
500+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.26 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.48 грн
500+19.48 грн
1500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Gate charge: 2.3/1.5nC
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25/-25V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+44.64 грн
12+35.65 грн
25+30.84 грн
50+26.86 грн
100+23.13 грн
500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+56.65 грн
50+37.45 грн
100+27.48 грн
500+19.48 грн
1500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.20 грн
10+35.72 грн
100+21.22 грн
500+16.39 грн
1000+14.81 грн
3000+12.67 грн
6000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 29915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+63.54 грн
10+37.91 грн
100+24.62 грн
500+17.73 грн
1000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 11884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.38 грн
10+40.72 грн
100+22.94 грн
500+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.