FDC6321C

FDC6321C ON Semiconductor


fdc6321c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6321C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 11.51 грн до 70.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor 3655327503446353fdc6321c.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor 3655327503446353fdc6321c.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1842+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 1842
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1842+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 1842
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+19.33 грн
38+16.25 грн
100+15.34 грн
500+13.61 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.76 грн
500+20.57 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+29.92 грн
454+27.05 грн
492+24.94 грн
614+19.27 грн
1000+17.13 грн
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.80 грн
14+29.82 грн
25+26.47 грн
47+20.25 грн
128+19.21 грн
250+19.13 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+58.45 грн
18+35.21 грн
25+27.78 грн
100+24.22 грн
250+20.67 грн
500+15.91 грн
1000+15.27 грн
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C
Код товару: 98683
Додати до обраних Обраний товар

fdc6321c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.97 грн
10+37.15 грн
25+31.76 грн
47+24.30 грн
128+23.06 грн
250+22.96 грн
500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi / Fairchild fdc6321c-d.pdf MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.05 грн
10+42.77 грн
100+24.87 грн
250+24.72 грн
500+19.36 грн
1000+17.30 грн
3000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.71 грн
10+41.14 грн
100+26.67 грн
500+19.21 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.49 грн
50+44.30 грн
100+28.76 грн
500+20.57 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.