FDC6321C


FDC6321C-D.PDF
Код товару: 98683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 15.05 грн до 70.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.99 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.23 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.23 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.33 грн
6000+18.69 грн
9000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.60 грн
6000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.70 грн
6000+19.06 грн
9000+17.39 грн
15000+16.60 грн
21000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.85 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
661+21.37 грн
667+21.18 грн
673+20.99 грн
679+20.06 грн
1000+18.40 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.08 грн
34+22.45 грн
36+21.37 грн
100+20.42 грн
250+18.74 грн
500+17.83 грн
1000+17.67 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+36.59 грн
1000+22.80 грн
3000+22.14 грн
6000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68/-0.46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
12+37.50 грн
25+33.35 грн
50+29.54 грн
100+25.82 грн
500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 91733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.41 грн
10+42.21 грн
50+31.02 грн
100+25.72 грн
500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi / Fairchild FDC6321C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.99 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.23 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.23 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.33 грн
6000+18.69 грн
9000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.60 грн
6000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.70 грн
6000+19.06 грн
9000+17.39 грн
15000+16.60 грн
21000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.85 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
661+21.37 грн
667+21.18 грн
673+20.99 грн
679+20.06 грн
1000+18.40 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+24.08 грн
34+22.45 грн
36+21.37 грн
100+20.42 грн
250+18.74 грн
500+17.83 грн
1000+17.67 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
386+36.59 грн
1000+22.80 грн
3000+22.14 грн
6000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68/-0.46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.58 грн
12+37.50 грн
25+33.35 грн
50+29.54 грн
100+25.82 грн
500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 91733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.41 грн
10+42.21 грн
50+31.02 грн
100+25.72 грн
500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.