Продукція > ONSEMI > FDC6321C
FDC6321C

FDC6321C onsemi

fdc6321c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.69 грн
6000+13.00 грн
9000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6321C onsemi

Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC6321C за ціною від 11.63 грн до 79.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.68 грн
6000+17.17 грн
9000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.02 грн
6000+17.51 грн
9000+15.97 грн
15000+15.25 грн
21000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.01 грн
6000+18.40 грн
9000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.36 грн
6000+18.75 грн
9000+17.11 грн
15000+16.33 грн
21000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.60 грн
500+20.49 грн
1500+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+34.08 грн
26+28.98 грн
27+27.47 грн
50+26.35 грн
100+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
364+35.68 грн
433+29.98 грн
437+29.71 грн
572+21.86 грн
1000+18.11 грн
3000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.67 грн
10+36.50 грн
100+23.69 грн
500+17.06 грн
1000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6321C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.25 грн
10+36.33 грн
100+21.57 грн
500+16.67 грн
1000+15.06 грн
3000+12.89 грн
6000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : onsemi fdc6321c-d.pdf MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.25 грн
10+38.74 грн
100+21.85 грн
500+16.81 грн
1000+15.20 грн
3000+13.03 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.07 грн
50+43.23 грн
100+28.68 грн
500+20.56 грн
1500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C Виробник : ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.39 грн
15+49.92 грн
25+38.23 грн
100+30.98 грн
250+28.42 грн
500+20.82 грн
1000+18.63 грн
3000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C
Код товару: 98683
Додати до обраних Обраний товар

fdc6321c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.