Продукція > ONSEMI > FDC6327C
FDC6327C

FDC6327C onsemi

fdc6327c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.16 грн
6000+19.76 грн
9000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6327C onsemi

Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 18.20 грн до 100.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.88 грн
9000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 25860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
866+37.27 грн
1000+34.37 грн
10000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+38.19 грн
339+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.73 грн
500+30.59 грн
1500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+47.79 грн
19+40.92 грн
25+40.90 грн
100+32.93 грн
250+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.85 грн
15+49.22 грн
100+38.11 грн
500+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6327C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
на замовлення 11601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.67 грн
10+54.60 грн
100+31.52 грн
500+24.89 грн
1000+22.31 грн
3000+19.66 грн
6000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.56 грн
10+56.05 грн
100+37.00 грн
500+27.04 грн
1000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.05 грн
50+62.88 грн
100+41.73 грн
500+30.59 грн
1500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C
Код товару: 28579
Додати до обраних Обраний товар

fdc6327c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.