Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6327C
FDC6327C

FDC6327C ON Semiconductor

fdc6327c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6327C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 14.93 грн до 96.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.31 грн
6000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.39 грн
6000+22.04 грн
9000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.97 грн
9000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1121+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 1121
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.92 грн
6000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.97 грн
22+28.03 грн
100+24.75 грн
500+21.60 грн
1000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.52 грн
500+28.61 грн
1500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+55.04 грн
225+54.52 грн
322+38.00 грн
325+36.30 грн
500+26.44 грн
1000+23.04 грн
3000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.95 грн
10+43.08 грн
50+34.27 грн
59+15.80 грн
162+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C
Код товару: 28579
Додати до обраних Обраний товар

fdc6327c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+74.08 грн
12+51.11 грн
25+50.63 грн
100+34.03 грн
250+31.21 грн
500+23.57 грн
1000+21.40 грн
3000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.00 грн
50+55.62 грн
100+38.52 грн
500+28.61 грн
1500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.34 грн
10+53.68 грн
50+41.13 грн
59+18.96 грн
162+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi / Fairchild fdc6327c-d.pdf MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
на замовлення 38581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.86 грн
10+62.31 грн
100+36.98 грн
500+29.73 грн
1000+26.34 грн
3000+23.54 грн
6000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.32 грн
10+58.40 грн
100+38.56 грн
500+28.19 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.