Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 18.24 грн до 100.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6327C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 25860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH |
на замовлення 11601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDC6327C | Виробник : ONS/FAI |
SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |