Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6327C
FDC6327C

FDC6327C ON Semiconductor

fdc6327c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6327C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 19.84 грн до 104.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.31 грн
6000+20.79 грн
9000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.78 грн
9000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 25860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
866+35.99 грн
1000+33.20 грн
10000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+36.89 грн
339+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.75 грн
500+32.07 грн
1500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.16 грн
19+39.52 грн
25+39.51 грн
100+31.80 грн
250+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+59.74 грн
15+47.54 грн
100+36.81 грн
500+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.67 грн
10+49.18 грн
50+36.67 грн
100+31.99 грн
500+24.15 грн
1000+21.94 грн
1500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.81 грн
10+61.29 грн
50+44.00 грн
100+38.39 грн
500+28.99 грн
1000+26.32 грн
1500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 12535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.29 грн
10+55.12 грн
100+36.38 грн
500+26.59 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6327C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
на замовлення 11601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.68 грн
10+59.54 грн
100+34.36 грн
500+27.14 грн
1000+24.33 грн
3000+21.44 грн
6000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.90 грн
50+65.93 грн
100+43.75 грн
500+32.07 грн
1500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C
Код товару: 28579
Додати до обраних Обраний товар

fdc6327c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.