Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 24.63 грн до 94.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6327C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6327C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6327C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6327C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6327C | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 0.13/0.27Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Drain current: 2.7/-1.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 2972 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6327C | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC6327C | onsemi |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH |
на замовлення 6354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDC6327C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH |
на замовлення 11601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC6327C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC6327C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC6327C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 866+ | 40.75 грн |
| 1000+ | 37.58 грн |
| 10000+ | 33.50 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 338+ | 41.76 грн |
| 339+ | 41.74 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.68 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 56.53 грн |
| 500+ | 47.03 грн |
| 1000+ | 41.76 грн |
| 3000+ | 39.88 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7/-1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7/-1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 88.43 грн |
| 10+ | 60.53 грн |
| 50+ | 42.66 грн |
| 100+ | 36.65 грн |
| 250+ | 30.39 грн |
| 500+ | 26.75 грн |
| 1000+ | 24.63 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.94 грн |
| 10+ | 57.44 грн |
| 50+ | 42.69 грн |
| 100+ | 35.58 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
на замовлення 6354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
на замовлення 11601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







