
FDC6333C ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 13.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6333C ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDC6333C за ціною від 11.07 грн до 63.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDC6333C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 23300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.6/5.7nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16/±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A On-state resistance: 150/220mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 40717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 24765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.6/5.7nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16/±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A On-state resistance: 150/220mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |