FDC6333C onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.31 грн |
| 6000+ | 12.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6333C onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDC6333C за ціною від 14.95 грн до 63.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6333C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±16/±25V On-state resistance: 150/220mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6/5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 445 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDC6333C | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V/-30V N/P |
на замовлення 8265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6333C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 18039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDC6333C | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,5 А, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 282 @ 15, Qg, нКл = 6.6 @ 10 В, Rds = 95 мОм @ 2.5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDC6333C | Виробник : ONS/FAI |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |

