Продукція > ONSEMI > FDC6333C
FDC6333C

FDC6333C onsemi

fdc6333c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.56 грн
6000+12.89 грн
9000+12.31 грн
15000+10.95 грн
21000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6333C onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDC6333C за ціною від 15.02 грн до 62.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6333C FDC6333C Виробник : ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.33 грн
12+36.42 грн
50+26.28 грн
100+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C Виробник : onsemi fdc6333c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.81 грн
10+36.20 грн
100+23.51 грн
500+16.92 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C Виробник : onsemi fdc6333c-d.pdf MOSFETs 30V/-30V N/P
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.65 грн
10+38.43 грн
100+21.76 грн
500+16.64 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C Виробник : ON Semiconductor fdc6333c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.