FDC6333C ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6333C ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDC6333C за ціною від 13.62 грн до 70.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDC6333C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±16/±25V On-state resistance: 150/220mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6/5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Technology: PowerTrench® |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC6333C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±16/±25V On-state resistance: 150/220mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6/5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDC6333C | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V/-30V N/P |
на замовлення 10764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC6333C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
FDC6333C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDC6333C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |