Продукція > ONSEMI > FDC638P
FDC638P

FDC638P onsemi

fdc638p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.60 грн
6000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P onsemi

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 15.54 грн до 79.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638P FDC638P ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 30370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.38 грн
500+20.27 грн
1500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.73 грн
3000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 528
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.18 грн
589+23.99 грн
666+21.20 грн
1000+19.38 грн
3000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.13 грн
27+28.18 грн
100+23.99 грн
500+20.44 грн
1000+17.94 грн
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+33.63 грн
423+33.40 грн
426+33.15 грн
500+31.74 грн
1000+29.18 грн
3000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.87 грн
25+33.63 грн
100+32.21 грн
250+29.60 грн
500+28.22 грн
1000+28.01 грн
3000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.37 грн
9+51.81 грн
10+43.43 грн
50+25.56 грн
100+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 30370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.53 грн
50+46.60 грн
100+23.38 грн
500+20.27 грн
1500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+45.71 грн
100+29.92 грн
500+21.69 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P onsemi fdc638p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 32968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.75 грн
10+48.28 грн
100+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 30370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.38 грн
500+20.27 грн
1500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
528+26.73 грн
3000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 528
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
501+28.18 грн
589+23.99 грн
666+21.20 грн
1000+19.38 грн
3000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+32.13 грн
27+28.18 грн
100+23.99 грн
500+20.44 грн
1000+17.94 грн
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
420+33.63 грн
423+33.40 грн
426+33.15 грн
500+31.74 грн
1000+29.18 грн
3000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+33.87 грн
25+33.63 грн
100+32.21 грн
250+29.60 грн
500+28.22 грн
1000+28.01 грн
3000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P.pdf
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.37 грн
9+51.81 грн
10+43.43 грн
50+25.56 грн
100+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 30370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.53 грн
50+46.60 грн
100+23.38 грн
500+20.27 грн
1500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.95 грн
10+45.71 грн
100+29.92 грн
500+21.69 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 32968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.75 грн
10+48.28 грн
100+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.