Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638P
FDC638P

FDC638P ON Semiconductor

3662308380181400fdc638p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 15.48 грн до 74.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor 3662308380181400fdc638p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.67 грн
6000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+28.45 грн
511+23.88 грн
514+23.77 грн
586+20.09 грн
1000+17.52 грн
3000+16.15 грн
6000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.96 грн
500+21.82 грн
1000+19.55 грн
5000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.32 грн
23+30.59 грн
25+30.49 грн
100+24.67 грн
250+22.74 грн
500+19.13 грн
1000+18.03 грн
3000+17.31 грн
6000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+36.73 грн
23+31.49 грн
100+26.18 грн
500+21.99 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi / Fairchild fdc638p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 78095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.58 грн
10+40.82 грн
100+28.49 грн
500+23.84 грн
1000+20.26 грн
3000+18.28 грн
6000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI fdc638p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.88 грн
21+41.35 грн
100+31.96 грн
500+21.82 грн
1000+19.55 грн
5000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.15 грн
10+44.35 грн
100+28.99 грн
500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P Виробник : ONSEMI fdc638p-d.pdf FDC638P SMD P channel transistors
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.26 грн
52+21.80 грн
141+20.66 грн
3000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.