 
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 24+ | 14.97 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC638P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції FDC638P за ціною від 15.27 грн до 74.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 41656 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1605 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 41594 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V | на замовлення 65846 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V | на замовлення 812 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| FDC638P | Виробник : ONSEMI |  FDC638P SMD P channel transistors | на замовлення 799 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
|   | FDC638P | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V | товару немає в наявності |