FDC638P

FDC638P onsemi


fdc638p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.40 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P onsemi

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 14.81 грн до 81.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
528+26.43 грн
3000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 528
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
501+27.86 грн
589+23.72 грн
666+20.96 грн
1000+19.16 грн
3000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.77 грн
27+27.86 грн
100+23.72 грн
500+20.21 грн
1000+17.74 грн
3000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
420+33.26 грн
423+33.03 грн
426+32.78 грн
500+31.39 грн
1000+28.86 грн
3000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+33.49 грн
25+33.26 грн
100+31.85 грн
250+29.27 грн
500+27.90 грн
1000+27.70 грн
3000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.51 грн
500+23.50 грн
1500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
9+51.23 грн
10+42.94 грн
50+25.28 грн
100+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 28614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.99 грн
10+45.42 грн
100+19.54 грн
500+16.27 грн
1000+15.30 грн
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.10 грн
10+45.20 грн
100+29.58 грн
500+21.45 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.94 грн
50+51.11 грн
100+33.51 грн
500+23.50 грн
1500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P Виробник : Fairchild/ON Semiconductor FDC6333C.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 10, Qg, нКл = 14 @ 4,5 В, Rds = 48 мОм @ 4,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 @ 250 мкА, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 33 нс,..
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P Виробник : ONS/FAI fdc638p-d.pdf МОП-транзистор SSOT-6 P-CH -20V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.