Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638P
FDC638P

FDC638P ON Semiconductor

3662308380181400fdc638p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 15.21 грн до 74.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor 3662308380181400fdc638p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+19.82 грн
100+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.90 грн
500+21.78 грн
1000+19.52 грн
5000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.92 грн
6000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+36.06 грн
433+28.83 грн
531+23.49 грн
1000+21.60 грн
3000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.38 грн
16+24.87 грн
100+20.12 грн
250+18.45 грн
500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+40.79 грн
309+40.47 грн
311+40.16 грн
500+38.42 грн
1000+35.29 грн
3000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.60 грн
19+38.63 грн
100+30.89 грн
500+24.27 грн
1000+21.43 грн
3000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.03 грн
25+43.70 грн
100+41.81 грн
250+38.41 грн
500+36.59 грн
1000+36.30 грн
3000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI fdc638p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.80 грн
21+41.28 грн
100+31.90 грн
500+21.78 грн
1000+19.52 грн
5000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.06 грн
10+30.99 грн
100+24.14 грн
250+22.14 грн
500+20.81 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi / Fairchild FDC638P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 65447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.58 грн
10+44.15 грн
100+28.28 грн
500+21.82 грн
3000+21.74 грн
6000+16.12 грн
9000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.02 грн
10+44.27 грн
100+28.94 грн
500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.