Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638P
FDC638P

FDC638P ON Semiconductor

3662308380181400fdc638p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 14.16 грн до 43.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor 3662308380181400fdc638p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.62 грн
6000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 46621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.29 грн
500+18.90 грн
1000+15.70 грн
5000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.68 грн
17+22.53 грн
50+20.03 грн
52+17.39 грн
141+16.48 грн
500+16.40 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+28.38 грн
511+23.82 грн
514+23.71 грн
586+20.04 грн
1000+17.48 грн
3000+16.12 грн
6000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.54 грн
23+26.45 грн
25+26.36 грн
100+21.33 грн
250+19.66 грн
500+16.54 грн
1000+15.58 грн
3000+14.96 грн
6000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+31.75 грн
23+27.22 грн
100+22.63 грн
500+19.01 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.21 грн
11+28.07 грн
50+24.04 грн
52+20.86 грн
141+19.77 грн
500+19.68 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.89 грн
10+33.26 грн
100+27.45 грн
500+21.44 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi / Fairchild fdc638p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 78095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
10+38.89 грн
100+27.14 грн
500+22.71 грн
1000+19.30 грн
3000+17.42 грн
6000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 46621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.55 грн
24+35.33 грн
100+26.29 грн
500+18.90 грн
1000+15.70 грн
5000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.