Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638P
FDC638P

FDC638P ON Semiconductor

fdc638p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 15.99 грн до 97.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.97 грн
3000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.43 грн
589+24.20 грн
666+21.39 грн
1000+19.55 грн
3000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.42 грн
27+28.43 грн
100+24.20 грн
500+20.62 грн
1000+18.10 грн
3000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.07 грн
21+37.17 грн
25+33.49 грн
100+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.99 грн
8+52.16 грн
10+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P onsemi FDC638P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.82 грн
10+44.86 грн
50+33.19 грн
100+27.58 грн
500+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P onsemi FDC638P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 9046 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+79.26 грн
10+37.76 грн
100+27.86 грн
500+22.45 грн
1000+22.38 грн
3000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.19 грн
13+61.80 грн
50+49.22 грн
100+30.06 грн
500+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
528+26.97 грн
3000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
501+28.43 грн
589+24.20 грн
666+21.39 грн
1000+19.55 грн
3000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.42 грн
27+28.43 грн
100+24.20 грн
500+20.62 грн
1000+18.10 грн
3000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.07 грн
21+37.17 грн
25+33.49 грн
100+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P.pdf
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.99 грн
8+52.16 грн
10+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P-D.PDF
FDC638P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.82 грн
10+44.86 грн
50+33.19 грн
100+27.58 грн
500+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P-D.PDF
FDC638P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 9046 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.26 грн
10+37.76 грн
100+27.86 грн
500+22.45 грн
1000+22.38 грн
3000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+97.19 грн
13+61.80 грн
50+49.22 грн
100+30.06 грн
500+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
FDC638P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.