Інші пропозиції FDC6420C за ціною від 13.86 грн до 88.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6420C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6420C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6420C | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 14050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6420C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDC6420C | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Гру кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDC6420C | Виробник : ONS/FAI |
SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
FDC6420C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V/-20V N/P |
товару немає в наявності |