Продукція > ONSEMI > FDC6420C
FDC6420C

FDC6420C onsemi

fdc6420c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.88 грн
6000+14.09 грн
9000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6420C onsemi

Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC6420C за ціною від 16.46 грн до 88.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.71 грн
6000+18.46 грн
9000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.10 грн
6000+19.82 грн
9000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.75 грн
3000+22.46 грн
6000+21.08 грн
9000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ONSEMI 2300062.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.32 грн
500+22.46 грн
1500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+47.36 грн
385+33.45 грн
438+29.43 грн
508+24.49 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 14050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.99 грн
10+38.88 грн
100+25.37 грн
500+18.35 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ONSEMI fdc6420c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.58 грн
50+47.97 грн
100+31.32 грн
500+22.46 грн
1500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+88.03 грн
14+55.42 грн
25+50.75 грн
100+34.56 грн
250+28.15 грн
500+23.32 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C Виробник : ON-Semiconductor fdc6420c-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C Виробник : ONSEMI fdc6420c-d.pdf FDC6420C Multi channel transistors
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
43+26.70 грн
119+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C
Код товару: 44090
Додати до обраних Обраний товар

fdc6420c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6420C-D.PDF MOSFETs 20V/-20V N/P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.