FDC6420C

FDC6420C ON Semiconductor


3666957987035304fdc6420c.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6420C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC6420C за ціною від 15.12 грн до 88.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6420C FDC6420C Виробник : onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.82 грн
6000+15.81 грн
9000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.46 грн
6000+18.20 грн
9000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.82 грн
6000+19.55 грн
9000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.43 грн
3000+22.15 грн
6000+20.80 грн
9000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ONSEMI 2300062.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.13 грн
500+25.19 грн
1500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+46.71 грн
385+33.00 грн
438+29.03 грн
508+24.15 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.82 грн
11+40.06 грн
25+31.14 грн
50+25.77 грн
100+21.64 грн
500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C
Код товару: 44090
Додати до обраних Обраний товар

fdc6420c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 14050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.90 грн
10+43.61 грн
100+28.46 грн
500+20.58 грн
1000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.98 грн
10+49.92 грн
25+37.36 грн
50+30.92 грн
100+25.97 грн
500+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.83 грн
14+54.66 грн
25+50.05 грн
100+34.09 грн
250+27.77 грн
500+23.00 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ONSEMI fdc6420c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+88.14 грн
50+53.81 грн
100+35.13 грн
500+25.19 грн
1500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C Виробник : ON-Semiconductor fdc6420c-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : ON Semiconductor 3666957987035304fdc6420c.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6420C-D.PDF MOSFETs 20V/-20V N/P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.