Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDC6420C

FDC6420C

FDC6420C-D.PDF
Код товару: 44090
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC6420C за ціною від 15.95 грн до 93.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6420C FDC6420C onsemi FDC6420C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.20 грн
6000+20.90 грн
9000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.90 грн
3000+25.44 грн
6000+23.88 грн
9000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+44.03 грн
1000+27.82 грн
3000+27.01 грн
6000+24.29 грн
9000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON-Semiconductor info-tfdc6420c.pdf FDC6420C SSOT-6 Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; TFDC6420c
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
12+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+53.64 грн
385+37.89 грн
438+33.33 грн
508+27.73 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.32 грн
13+33.02 грн
25+29.26 грн
50+26.83 грн
100+24.58 грн
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C onsemi FDC6420C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 32285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.44 грн
10+44.01 грн
50+32.46 грн
100+26.96 грн
500+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C onsemi FDC6420C-D.PDF MOSFETs 20V/-20V N/P
на замовлення 335682 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+79.51 грн
10+36.04 грн
100+27.71 грн
500+21.34 грн
1000+19.71 грн
3000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.06 грн
14+58.58 грн
25+53.64 грн
100+36.54 грн
250+29.76 грн
500+24.65 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C-D.PDF Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI 2300062.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C Fairchild/ON Semiconductor FDC6420C_Fairchild.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.98 грн
6000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.20 грн
6000+20.90 грн
9000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.90 грн
3000+25.44 грн
6000+23.88 грн
9000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
332+44.03 грн
1000+27.82 грн
3000+27.01 грн
6000+24.29 грн
9000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C info-tfdc6420c.pdf
FDC6420C
Виробник: ON-Semiconductor
FDC6420C SSOT-6 Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; TFDC6420c
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+53.64 грн
385+37.89 грн
438+33.33 грн
508+27.73 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C.pdf
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.32 грн
13+33.02 грн
25+29.26 грн
50+26.83 грн
100+24.58 грн
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 32285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.44 грн
10+44.01 грн
50+32.46 грн
100+26.96 грн
500+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/-20V N/P
на замовлення 335682 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.51 грн
10+36.04 грн
100+27.71 грн
500+21.34 грн
1000+19.71 грн
3000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+93.06 грн
14+58.58 грн
25+53.64 грн
100+36.54 грн
250+29.76 грн
500+24.65 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C 2300062.pdf
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C_Fairchild.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.