FDC6506P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6506P onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FDC6506P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC6506P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH -30V |
товару немає в наявності |