Технічний опис FDC655BN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 8.62 грн до 93.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC655BN | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 55390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : onsemi |
MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET |
на замовлення 18698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDC655BN Код товару: 169802
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 55085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
на замовлення 20245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|