Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC655BN
FDC655BN

FDC655BN ON Semiconductor

3678030256981631fdc655bn.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC655BN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 8.19 грн до 93.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor 3678030256981631fdc655bn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.35 грн
6000+9.90 грн
9000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.37 грн
6000+10.32 грн
9000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.01 грн
6000+10.90 грн
9000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.95 грн
6000+14.55 грн
9000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 61423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.70 грн
500+14.94 грн
1000+11.25 грн
5000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
445+27.45 грн
604+20.22 грн
787+15.51 грн
1000+12.87 грн
3000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 61423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.23 грн
27+31.11 грн
100+21.70 грн
500+14.94 грн
1000+11.25 грн
5000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.48 грн
24+25.49 грн
100+18.78 грн
500+13.89 грн
1000+11.07 грн
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+38.83 грн
25+38.67 грн
100+37.13 грн
250+34.23 грн
500+32.73 грн
1000+32.58 грн
3000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.26 грн
15+26.06 грн
50+20.92 грн
79+11.57 грн
217+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
293+41.65 грн
295+41.47 грн
296+41.29 грн
500+39.65 грн
1000+36.55 грн
3000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN
Код товару: 169802
Додати до обраних Обраний товар

fdc655bn-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.34 грн
21+28.80 грн
100+21.22 грн
500+15.69 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 13513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
12+27.05 грн
100+19.20 грн
500+13.72 грн
1000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi / Fairchild fdc655bn-d.pdf MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 43782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.15 грн
11+30.96 грн
100+19.57 грн
500+15.16 грн
1000+13.61 грн
3000+10.67 грн
9000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.52 грн
10+32.47 грн
50+25.11 грн
79+13.89 грн
217+13.15 грн
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.