Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC655BN
FDC655BN

FDC655BN ON Semiconductor

fdc655bn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1356+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 1356
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC655BN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 9.01 грн до 93.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor 3678030256981631fdc655bn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor 3678030256981631fdc655bn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.67 грн
6000+11.17 грн
9000+10.65 грн
15000+9.44 грн
21000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.32 грн
6000+12.42 грн
9000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.58 грн
6000+12.66 грн
9000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.27 грн
6000+13.31 грн
9000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.58 грн
6000+13.59 грн
9000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2036+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2036
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 55390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.43 грн
500+17.88 грн
1500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
423+30.17 грн
426+30.00 грн
428+29.82 грн
500+28.59 грн
1000+26.32 грн
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
419+30.45 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 419
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.08 грн
36+20.65 грн
100+14.44 грн
500+10.50 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+32.52 грн
25+32.33 грн
100+31.00 грн
250+28.53 грн
500+27.22 грн
1000+27.07 грн
3000+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+39.74 грн
15+28.21 грн
50+20.58 грн
100+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN
Код товару: 169802
Додати до обраних Обраний товар

fdc655bn-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.69 грн
10+35.15 грн
50+24.70 грн
100+21.35 грн
500+15.94 грн
1000+14.17 грн
3000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi FDC655BN-D.PDF MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 18698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.95 грн
12+32.05 грн
100+19.92 грн
500+15.19 грн
1000+13.62 грн
3000+11.57 грн
6000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 55390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.52 грн
50+35.15 грн
100+25.43 грн
500+17.88 грн
1500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 29587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.50 грн
11+32.31 грн
100+20.81 грн
500+14.87 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.73 грн
20+38.37 грн
100+25.88 грн
500+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.