Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC655BN
FDC655BN

FDC655BN ON Semiconductor

fdc655bn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1356+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 1356
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC655BN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 8.78 грн до 93.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor 3678030256981631fdc655bn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor 3678030256981631fdc655bn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.49 грн
6000+11.02 грн
9000+10.50 грн
15000+9.31 грн
21000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.31 грн
6000+12.10 грн
9000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.26 грн
6000+12.97 грн
9000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2036+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2036
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.41 грн
6000+14.01 грн
9000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.62 грн
6000+15.04 грн
9000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 55490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.08 грн
500+17.63 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+26.70 грн
500+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
423+29.41 грн
426+29.24 грн
428+29.07 грн
500+27.86 грн
1000+25.65 грн
3000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+30.29 грн
36+20.13 грн
100+14.07 грн
500+10.24 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.69 грн
25+31.51 грн
100+30.21 грн
250+27.81 грн
500+26.53 грн
1000+26.38 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+39.19 грн
15+27.82 грн
50+20.30 грн
100+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN
Код товару: 169802
Додати до обраних Обраний товар

fdc655bn-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.03 грн
10+34.67 грн
50+24.36 грн
100+21.06 грн
500+15.72 грн
1000+13.97 грн
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi / Fairchild FDC655BN-D.PDF MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 18828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.27 грн
12+31.60 грн
100+19.64 грн
500+14.98 грн
1000+13.43 грн
3000+11.41 грн
6000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 55490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.78 грн
50+34.66 грн
100+25.08 грн
500+17.63 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 29239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.75 грн
11+31.86 грн
100+20.52 грн
500+14.66 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.33 грн
19+37.43 грн
100+25.26 грн
500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.