Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDC655BN

FDC655BN

FDC655BN-D.PDF
Код товару: 169802
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 10.22 грн до 57.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1356+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN onsemi FDC655BN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.88 грн
60+12.60 грн
61+12.50 грн
100+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.65 грн
6000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+20.10 грн
1000+18.94 грн
3000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
691+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.06 грн
35+21.70 грн
37+20.47 грн
100+17.78 грн
250+16.19 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.52 грн
50+33.35 грн
100+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.17 грн
13+34.61 грн
50+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN onsemi FDC655BN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 49707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.59 грн
50+25.26 грн
100+20.88 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN onsemi FDC655BN-D.PDF MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 25371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 42379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 42379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1356+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN-D.PDF
FDC655BN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.58 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+12.88 грн
60+12.60 грн
61+12.50 грн
100+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.65 грн
6000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
704+20.10 грн
1000+18.94 грн
3000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
691+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+25.06 грн
35+21.70 грн
37+20.47 грн
100+17.78 грн
250+16.19 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.52 грн
50+33.35 грн
100+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.17 грн
13+34.61 грн
50+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN-D.PDF
FDC655BN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 49707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.88 грн
10+34.59 грн
50+25.26 грн
100+20.88 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN-D.PDF
FDC655BN
Виробник: onsemi
MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 25371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN 2284254.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 42379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN 2284254.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 42379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.