FDC655BN

FDC655BN ON Semiconductor


3678030256981631fdc655bn.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC655BN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 8.5 грн до 93.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor 3678030256981631fdc655bn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 33
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.13 грн
9000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.82 грн
6000+ 10.42 грн
9000+ 9.93 грн
15000+ 8.8 грн
21000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.99 грн
9000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI fdc655bn-d.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 73163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.84 грн
500+ 11.37 грн
1500+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI fdc655bn-d.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 73163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+33.41 грн
50+ 27.16 грн
100+ 20.84 грн
500+ 11.37 грн
1500+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi / Fairchild FDC655BN_D-2312249.pdf MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 51572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+36.09 грн
11+ 30.51 грн
100+ 18.5 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 11.78 грн
3000+ 9.9 грн
9000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC655BN FDC655BN Виробник : onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 30105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.82 грн
10+ 30.12 грн
100+ 19.4 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC655BN FDC655BN Виробник : ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDC655BN
Код товару: 169802
fdc655bn-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
Кількість Ціна без ПДВ
1+93.5 грн
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC655BN FDC655BN Виробник : ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній