Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC658AP
FDC658AP

FDC658AP ON Semiconductor

fdc658ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC658AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC658AP за ціною від 6.60 грн до 64.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC658AP FDC658AP Виробник : onsemi fdc658ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.24 грн
6000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ONSEMI 2299638.pdf Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.74 грн
500+18.84 грн
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
318+38.33 грн
466+26.16 грн
471+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.99 грн
12+35.70 грн
50+26.51 грн
55+17.10 грн
150+16.15 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : onsemi fdc658ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 4234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.36 грн
10+37.12 грн
100+24.06 грн
500+17.32 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.18 грн
17+41.85 грн
25+41.07 грн
100+27.03 грн
250+24.77 грн
500+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.39 грн
10+44.48 грн
50+31.82 грн
55+20.51 грн
150+19.38 грн
1000+18.90 грн
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ONSEMI 2299638.pdf Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.52 грн
50+45.60 грн
100+30.34 грн
500+21.53 грн
1500+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : onsemi / Fairchild fdc658ap-d.pdf MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 28765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.89 грн
10+41.77 грн
100+24.77 грн
500+19.60 грн
1000+17.48 грн
3000+13.30 грн
9000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP Виробник : Fairchild fdc658ap-d.pdf P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP
Код товару: 123114
Додати до обраних Обраний товар

fdc658ap-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+7.70 грн
100+6.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP Виробник : ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.