Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC658AP

FDC658AP ON Semiconductor

Name: FDC658AP
Brand: ON Semiconductor
SKU: 838046-7
Price: 42120.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDC658AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC658AP за ціною від 6.60 грн до 64.70 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDC658AP

Виробник : onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	17.16 грн
6000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 49502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	25.81 грн
500+	18.89 грн
1500+	15.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
427+	28.98 грн
1000+	15.30 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	31.12 грн
27+	27.12 грн
45+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ONSEMI

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape

на замовлення 2476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	47.86 грн
12+	33.17 грн
50+	24.68 грн
100+	21.67 грн
250+	18.33 грн
500+	16.35 грн
1000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2476 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	57.43 грн
10+	41.34 грн
50+	29.62 грн
100+	26.00 грн
250+	22.00 грн
500+	19.62 грн
1000+	18.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP
Код товару: 123114

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

Кількість	Ціна
1+	20.00 грн
10+	7.70 грн
100+	6.60 грн

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V

на замовлення 4418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	58.51 грн
10+	37.46 грн
100+	24.27 грн
500+	17.47 грн
1000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET

на замовлення 28254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	60.35 грн
10+	40.48 грн
100+	23.39 грн
500+	17.98 грн
1000+	16.15 грн
3000+	13.56 грн
6000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 44704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	64.70 грн
50+	45.72 грн
100+	30.43 грн
500+	21.59 грн
1500+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : Fairchild

P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDC658AP

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.