Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDC658AP

FDC658AP

FDC658AP-D.PDF
Код товару: 123114
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
3+9.00 грн
10+7.70 грн
100+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC658AP за ціною від 12.07 грн до 63.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC658AP FDC658AP Fairchild info-tfdc658ap.pdf P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP onsemi FDC658AP-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.27 грн
6000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.65 грн
6000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.19 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.47 грн
1000+25.87 грн
3000+25.45 грн
6000+24.42 грн
9000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.85 грн
379+37.37 грн
453+31.29 грн
622+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.22 грн
50+37.67 грн
100+31.54 грн
500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ONSEMI FDC658AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
10+44.62 грн
11+38.66 грн
50+27.34 грн
100+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP onsemi FDC658AP-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 10862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.97 грн
50+27.93 грн
100+23.15 грн
500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP onsemi FDC658AP-D.PDF MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 19581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP onsemi / Fairchild FDC658AP-D.PDF MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 28254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ONSEMI FDC658AP-D.PDF Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 33045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ONSEMI 2299638.pdf Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 34330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP info-tfdc658ap.pdf
FDC658AP
Виробник: Fairchild
P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP-D.PDF
FDC658AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.27 грн
6000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.65 грн
6000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
427+33.19 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+37.47 грн
1000+25.87 грн
3000+25.45 грн
6000+24.42 грн
9000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
316+44.85 грн
379+37.37 грн
453+31.29 грн
622+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.22 грн
50+37.67 грн
100+31.54 грн
500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP.pdf
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.41 грн
10+44.62 грн
11+38.66 грн
50+27.34 грн
100+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP-D.PDF
FDC658AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 10862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.49 грн
10+37.97 грн
50+27.93 грн
100+23.15 грн
500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP-D.PDF
FDC658AP
Виробник: onsemi
MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 19581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP-D.PDF
FDC658AP
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 28254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP-D.PDF
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 33045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP 2299638.pdf
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 34330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.