на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC658AP ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC658AP за ціною від 6.60 грн до 62.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC658AP | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC658AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC658AP | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC658AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC658AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC658AP | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC658AP | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V |
на замовлення 15316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC658AP | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET |
на замовлення 28765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDC658AP | Виробник : Fairchild |
P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDC658AP | Виробник : ONSEMI |
FDC658AP SMD P channel transistors |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FDC658AP Код товару: 123114
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC658AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDC658AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |