на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 22.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC86244 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDC86244 за ціною від 18.79 грн до 60.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC86244 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC86244 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
на замовлення 232977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC86244 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC86244 | FDC86244 Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDC86244 Код товару: 142730 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDC86244 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.3A On-state resistance: 273mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC86244 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC86244 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC86244 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.3A On-state resistance: 273mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC |
товар відсутній |