Продукція > ONSEMI > FDD2582
FDD2582

FDD2582 onsemi

fdd2582-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD2582 onsemi

Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD2582 за ціною від 33.62 грн до 140.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.50 грн
500+46.99 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : onsemi fdd2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.29 грн
10+79.79 грн
100+53.60 грн
500+39.73 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : onsemi / Fairchild FDD2582-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.26 грн
10+88.00 грн
100+50.86 грн
500+40.46 грн
1000+37.00 грн
2500+33.69 грн
5000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.00 грн
10+92.73 грн
100+63.50 грн
500+46.99 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+140.36 грн
134+95.27 грн
200+86.77 грн
500+60.29 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582
Код товару: 181480
Додати до обраних Обраний товар

fdd2582-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.