Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDD2582 за ціною від 29.63 грн до 153.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD2582 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD2582 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch PowerTrench |
на замовлення 6502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD2582 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Ch PowerTrench |
на замовлення 5738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDD2582 | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDD2582 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 172mΩ Drain current: 21A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 95W Drain-source voltage: 150V Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |




