Продукція > FDD > FDD2582

FDD2582

fdd2582-d.pdf
Код товару: 181480
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD2582 за ціною від 57.71 грн до 155.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD2582 FDD2582 onsemi fdd2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.91 грн
10+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.23 грн
134+105.37 грн
200+95.96 грн
500+66.68 грн
1000+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 onsemi fdd2582-d.pdf MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 onsemi / Fairchild FDD2582-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582 ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 fdd2582-d.pdf
FDD2582
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.91 грн
10+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 fdd2582-d.pdf
FDD2582
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+155.23 грн
134+105.37 грн
200+95.96 грн
500+66.68 грн
1000+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 fdd2582-d.pdf
FDD2582
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 FDD2582-D.PDF
FDD2582
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 2304716.pdf
FDD2582
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 2304716.pdf
FDD2582
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.