IRFR4620PBF
Код товару: 37550
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 24 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 110.00 грн |
| 10+ | 99.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR4620PBF IR
- MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Cont Current Id:15A
- On State Resistance:78mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:5V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:144W
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRFR4620PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR4620PBF | Infineon |
DPAK=TO-252AA Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| IRFR4620PBF | International Rectifier |
DPAK=TO-252AA Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
IRFR4620PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFR4620PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
DPAK=TO-252AA Транзистори
DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR4620PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
DPAK=TO-252AA Транзистори
DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| IRFB4115PBF Код товару: 37473
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
у наявності: 51 шт
- 30 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 93.50 грн |
| 10+ | 84.70 грн |
| IRLR3110ZPBF (DPAK) Код товару: 48508
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 63 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 14 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 63 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 14 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 22 шт
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.00 грн |
| FDD3670 Код товару: 66963
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 34 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 32 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 34 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 32 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4018
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 4363 шт
- 4060 шт - склад
- 303 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| 51 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-51K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3733
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 5000 шт
- 5000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |








