Продукція > ONSEMI > FDD5353
FDD5353

FDD5353 onsemi

fdd5353-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.78 грн
5000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5353 onsemi

Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD5353 за ціною від 43.89 грн до 159.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor 3663389155915620fdd5353.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor fdd5353d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+74.29 грн
174+73.55 грн
228+56.16 грн
250+53.61 грн
500+47.68 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI 2304642.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.60 грн
500+56.26 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor fdd5353d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.77 грн
10+79.60 грн
25+78.81 грн
100+58.02 грн
250+53.19 грн
500+49.04 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.04 грн
5+93.49 грн
10+85.29 грн
25+73.81 грн
50+64.78 грн
100+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
5+116.50 грн
10+102.34 грн
25+88.57 грн
50+77.74 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : onsemi / Fairchild FDD5353-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.28 грн
10+105.02 грн
100+63.14 грн
500+50.86 грн
1000+47.71 грн
2500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI fdd5353-d.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.25 грн
10+113.92 грн
100+78.86 грн
500+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : onsemi fdd5353-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 8989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.25 грн
10+98.32 грн
100+66.68 грн
500+49.87 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor fdd5353d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.