Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD5353
FDD5353

FDD5353 ON Semiconductor

fdd5353d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.35 грн
174+81.53 грн
228+62.25 грн
250+59.43 грн
500+52.85 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5353 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 69W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm.

Інші пропозиції FDD5353 за ціною від 48.65 грн до 147.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD5353 FDD5353 ON Semiconductor fdd5353d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.39 грн
10+82.35 грн
25+81.53 грн
100+60.03 грн
250+55.02 грн
500+50.74 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI FDD5353.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 20.3mΩ
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.33 грн
5+108.61 грн
10+95.35 грн
25+80.42 грн
50+70.48 грн
100+62.18 грн
500+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 onsemi / Fairchild FDD5353-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI FDD5353-D.PDF Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI 2304642.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 fdd5353d.pdf
FDD5353
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.39 грн
10+82.35 грн
25+81.53 грн
100+60.03 грн
250+55.02 грн
500+50.74 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353.pdf
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 20.3mΩ
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.33 грн
5+108.61 грн
10+95.35 грн
25+80.42 грн
50+70.48 грн
100+62.18 грн
500+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353-D.PDF
FDD5353
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353-D.PDF
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 2304642.pdf
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.