FDD5353

FDD5353 onsemi


fdd5353-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.44 грн
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5353 onsemi

Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD5353 за ціною від 46.51 грн до 156.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor 3663389155915620fdd5353.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI 2304642.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.81 грн
500+54.18 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.91 грн
10+73.45 грн
16+60.82 грн
42+57.66 грн
1000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.09 грн
10+91.53 грн
16+72.98 грн
42+69.19 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : onsemi fdd5353-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 22366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.43 грн
10+94.23 грн
100+64.74 грн
500+48.90 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : onsemi / Fairchild FDD5353_D-2312006.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.77 грн
10+94.17 грн
100+57.47 грн
500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ONSEMI fdd5353-d.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.51 грн
10+109.72 грн
100+74.09 грн
500+54.81 грн
1000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor fdd5353-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 Виробник : ON Semiconductor fdd5353-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.