FDD5353 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.41 грн |
| 5000+ | 37.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5353 onsemi
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDD5353 за ціною від 40.23 грн до 168.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5353 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD5353 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD5353 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD5353 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD5353 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK Power dissipation: 69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Gate charge: 65nC On-state resistance: 20.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1743 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD5353 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V |
на замовлення 7739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD5353 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD5353 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |