FDD5614P ON Semiconductor
на замовлення 203000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1253+ | 24.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5614P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDD5614P за ціною від 19.30 грн до 67.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5614P | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD5614P Код товару: 29177
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 60 V Id,A: 15 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 759/15 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
 |
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
FDD5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDD5614P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Ch PowerTrench |
товару немає в наявності |