Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD5614P
FDD5614P

FDD5614P ON Semiconductor

fdd5614p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 238858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
970+31.82 грн
1052+29.36 грн
10000+26.17 грн
100000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 970
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5614P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDD5614P за ціною від 19.30 грн до 69.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5614P FDD5614P Виробник : ONSEMI 2298242.pdf Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.47 грн
500+32.40 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P Виробник : ONSEMI 2298242.pdf Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.61 грн
15+58.04 грн
100+46.47 грн
500+32.40 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P
Код товару: 29177
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild FD%2FFDD5614P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 60 V
Id,A: 15 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 759/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+23.50 грн
10+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi fdd5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDD5614P-D.PDF MOSFETs 60V P-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.