Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD5N50NZFTM

FDD5N50NZFTM

ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 86764
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD5N50NZFTM за ціною від 49.09 грн до 49.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ON Semiconductor fdd5n50nzf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ONSEMI 2907363.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ONSEMI 2907363.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM Aptina Imaging ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM fdd5n50nzf-d.pdf
FDD5N50NZFTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM 2907363.pdf
FDD5N50NZFTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM 2907363.pdf
FDD5N50NZFTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
288+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.