Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD5N50NZFTM
FDD5N50NZFTM

FDD5N50NZFTM ON Semiconductor

fdd5n50nzf-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5N50NZFTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDD5N50NZFTM за ціною від 43.06 грн до 76.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM Виробник : ONSEMI 2907363.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n50nzf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM Виробник : ONSEMI 2907363.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM Виробник : Aptina Imaging ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
288+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM
Код товару: 86764
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM Виробник : onsemi ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM Виробник : onsemi ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM Виробник : onsemi / Fairchild FDD5N50NZF_D-1807168.pdf MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.