FDD5N50NZTM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 30.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5N50NZTM onsemi
Description: ONSEMI - FDD5N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD5N50NZTM за ціною від 25.30 грн до 106.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD5N50NZTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD5N50NZTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UNIFET2 500V |
на замовлення 9265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD5N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD5N50NZTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDD5N50NZTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDD5N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDD5N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |