Продукція > ONSEMI > FDD5N50NZTM
FDD5N50NZTM

FDD5N50NZTM onsemi


fdd5n50nz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5N50NZTM onsemi

Description: ONSEMI - FDD5N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDD5N50NZTM за ціною від 27.07 грн до 105.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n50nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.11 грн
5000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : ONSEMI 2907364.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.12 грн
500+34.79 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : onsemi fdd5n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
10+60.08 грн
100+45.13 грн
500+33.26 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : onsemi / Fairchild fdd5n50nz-d.pdf MOSFETs UNIFET2 500V
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.14 грн
10+67.01 грн
100+44.21 грн
500+36.12 грн
1000+31.34 грн
2500+28.62 грн
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : ONSEMI 2907364.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.64 грн
12+68.99 грн
100+47.12 грн
500+34.79 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n50nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n50nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.