Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD6685
FDD6685

FDD6685 ON Semiconductor

fdd6685-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
562+62.95 грн
1000+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 562 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6685 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції FDD6685 за ціною від 38.19 грн до 125.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD6685 FDD6685 ON Semiconductor fdd6685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685 ON Semiconductor fdd6685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.93 грн
250+78.56 грн
1000+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685 onsemi FDD6685-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.91 грн
50+57.73 грн
100+48.38 грн
500+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685 onsemi FDD6685-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685 ONSEMI FDD6685-D.PDF Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685 ONSEMI FDD6685-D.PDF Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 fdd6685-d.pdf
FDD6685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
562+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 fdd6685-d.pdf
FDD6685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+110.93 грн
250+78.56 грн
1000+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685-D.PDF
FDD6685
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.41 грн
10+76.91 грн
50+57.73 грн
100+48.38 грн
500+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685-D.PDF
FDD6685
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685-D.PDF
FDD6685
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685 FDD6685-D.PDF
FDD6685
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.