FDD86113LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.67 грн |
| 5000+ | 30.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86113LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD86113LZ за ціною від 31.57 грн до 129.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD86113LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86113LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V |
на замовлення 13267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDD86113LZ | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDD86113LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 3.1W; DPAK,TO252 Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Gate charge: 6nC On-state resistance: 0.104Ω Power dissipation: 3.1W Drain current: 4.2A Drain-source voltage: 100V |
товару немає в наявності |