
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG1024NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 360mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDG1024NZ за ціною від 15.12 грн до 77.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 37591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 9232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 21481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 360mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDG1024NZ | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDG1024NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |