FDH45N50F-F133 ON Semiconductor
на замовлення 27130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH45N50F-F133 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDH45N50F-F133 за ціною від 211.91 грн до 550.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDH45N50F-F133 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V N Channel MOSFET FRFET |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDH45N50F-F133 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDH45N50F_F133 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: 455000.12OHN-CHANNPOWMOSFETO-247 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDH45N50F-F133 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |