Продукція > ONSEMI > FDMC3612
FDMC3612

FDMC3612 onsemi

fdmc3612-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.37 грн
6000+18.14 грн
9000+17.40 грн
15000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC3612 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 35W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm.

Інші пропозиції FDMC3612 за ціною від 21.14 грн до 80.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC3612 FDMC3612 ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 11336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
10000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.13 грн
197+71.84 грн
224+63.26 грн
250+60.86 грн
500+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.83 грн
500+66.85 грн
1000+66.74 грн
3000+61.15 грн
6000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.01 грн
11+72.13 грн
25+71.84 грн
100+61.00 грн
250+56.36 грн
500+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 onsemi fdmc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 15393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.41 грн
10+48.54 грн
100+31.95 грн
500+23.29 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 ONSEMI ONSM-S-A0014594763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 onsemi fdmc3612-d.pdf MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 onsemi / Fairchild FDMC3612_D-2255801.pdf MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 11336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
10000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+72.13 грн
197+71.84 грн
224+63.26 грн
250+60.86 грн
500+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+72.83 грн
500+66.85 грн
1000+66.74 грн
3000+61.15 грн
6000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.01 грн
11+72.13 грн
25+71.84 грн
100+61.00 грн
250+56.36 грн
500+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 15393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.41 грн
10+48.54 грн
100+31.95 грн
500+23.29 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 ONSM-S-A0014594763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMC3612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 fdmc3612-d.pdf
FDMC3612
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612_D-2255801.pdf
FDMC3612
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.