Продукція > ONSEMI > FDMC3612
FDMC3612

FDMC3612 onsemi

fdmc3612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.23 грн
6000+19.33 грн
9000+18.15 грн
15000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC3612 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC3612 за ціною від 22.52 грн до 78.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+61.91 грн
197+61.66 грн
224+54.30 грн
250+52.24 грн
500+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 18854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.52 грн
10+48.46 грн
100+33.67 грн
500+24.82 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.74 грн
11+66.33 грн
25+66.07 грн
100+56.10 грн
250+51.83 грн
500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC3612_D-2255801.pdf MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.91 грн
10+49.80 грн
25+43.23 грн
100+32.90 грн
250+32.75 грн
500+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014594763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.28 грн
16+57.08 грн
100+39.40 грн
500+29.41 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf FDMC3612 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.