FDMC3612 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.85 грн |
| 6000+ | 19.47 грн |
| 9000+ | 19.07 грн |
| 15000+ | 17.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC3612 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMC3612 за ціною від 22.68 грн до 116.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC3612 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC3612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
на замовлення 465741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC3612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FDMC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMC3612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 35W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 212mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDMC3612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 35W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 212mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |