FDMC3612

FDMC3612 onsemi


fdmc3612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.26 грн
6000+19.83 грн
9000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC3612 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC3612 за ціною від 23.10 грн до 87.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+63.42 грн
197+63.16 грн
224+55.62 грн
250+53.51 грн
500+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.48 грн
11+67.94 грн
25+67.67 грн
100+57.46 грн
250+53.08 грн
500+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC3612_D-2255801.pdf MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.82 грн
10+50.41 грн
25+43.76 грн
100+33.30 грн
250+33.15 грн
500+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.24 грн
16+57.78 грн
100+39.88 грн
500+29.77 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 14645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.97 грн
10+53.00 грн
100+34.92 грн
500+25.46 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612 FDMC3612 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.