FDMC510P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 58.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC510P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC510P за ціною від 60.09 грн до 223.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V |
на замовлення 10211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMC510P | Виробник : ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDMC510P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMC510P | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
FDMC510P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -18A Power dissipation: 41W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |