Продукція > ONSEMI > FDMC510P
FDMC510P

FDMC510P onsemi

fdmc510p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC510P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMC510P за ціною від 63.56 грн до 210.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC510P FDMC510P Виробник : ON Semiconductor fdmc510p-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : ON Semiconductor fdmc510p-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.09 грн
500+70.72 грн
1500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : ONSEMI 1876034.pdf Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.02 грн
50+118.55 грн
100+102.09 грн
500+70.72 грн
1500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC510P_D-1807208.pdf MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.93 грн
10+136.73 грн
100+81.46 грн
250+77.06 грн
500+68.25 грн
1000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : onsemi fdmc510p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
на замовлення 66032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.38 грн
10+137.00 грн
100+94.51 грн
500+71.64 грн
1000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : ON Semiconductor fdmc510p-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P FDMC510P Виробник : ON Semiconductor fdmc510p-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC510P Виробник : ONSEMI fdmc510p-d.pdf FDMC510P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.