Продукція > ONSEMI > FDMC86139P
FDMC86139P

FDMC86139P onsemi

fdmc86139p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.08 грн
6000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86139P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC86139P за ціною від 44.58 грн до 220.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.01 грн
500+55.03 грн
1000+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ON Semiconductor fdmc86139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86139P-D.pdf MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 42851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.38 грн
10+73.57 грн
100+54.28 грн
500+48.00 грн
1000+47.04 грн
3000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ON Semiconductor fdmc86139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+115.09 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ON Semiconductor fdmc86139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.39 грн
10+115.31 грн
100+95.53 грн
500+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 14579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.14 грн
10+102.59 грн
100+70.27 грн
500+52.94 грн
1000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+200.73 грн
10+129.04 грн
100+89.21 грн
500+65.53 грн
1000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P Виробник : ONSEMI fdmc86139p-d.pdf FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.91 грн
15+80.87 грн
40+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P
Код товару: 183309
Додати до обраних Обраний товар

fdmc86139p-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.