FDMC86139P ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 94.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86139P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86139P за ціною від 45.53 грн до 190.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86139P | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet |
на замовлення 42851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86139P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86139P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86139P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86139P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
FDMC86139P Код товару: 183309
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
FDMC86139P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMC86139P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |