Продукція > FDM > FDMC86139P

FDMC86139P


fdmc86139p-d.pdf
Код товару: 183309
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMC86139P за ціною від 45.31 грн до 189.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86139P-D.pdf MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 42851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.95 грн
10+74.76 грн
100+55.16 грн
500+48.78 грн
1000+47.81 грн
3000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ON Semiconductor fdmc86139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ON Semiconductor fdmc86139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+123.87 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ON Semiconductor fdmc86139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.01 грн
10+115.83 грн
100+95.97 грн
500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.68 грн
10+117.56 грн
100+80.62 грн
500+60.83 грн
1000+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P Виробник : ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P Виробник : On Semiconductor fdmc86139p-d.pdf MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.