Продукція > FDM > FDMC86139P

FDMC86139P


fdmc86139p-d.pdf
Код товару: 183309
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMC86139P за ціною від 45.60 грн до 198.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.47 грн
500+66.72 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P onsemi / Fairchild FDMC86139P-D.pdf MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 42851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.57 грн
10+75.24 грн
100+55.51 грн
500+49.09 грн
1000+48.11 грн
3000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.73 грн
250+93.38 грн
500+92.05 грн
1000+85.34 грн
3000+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.82 грн
10+110.63 грн
25+109.53 грн
50+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.88 грн
10+92.46 грн
25+82.37 грн
50+75.65 грн
100+68.92 грн
250+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P onsemi fdmc86139p-d.pdf MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.81 грн
10+106.00 грн
100+74.02 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.31 грн
100+81.13 грн
500+61.22 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.78 грн
10+118.12 грн
100+81.47 грн
500+66.72 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+81.47 грн
500+66.72 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P FDMC86139P-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 42851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.57 грн
10+75.24 грн
100+55.51 грн
500+49.09 грн
1000+48.11 грн
3000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
140+101.73 грн
250+93.38 грн
500+92.05 грн
1000+85.34 грн
3000+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+134.82 грн
10+110.63 грн
25+109.53 грн
50+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.88 грн
10+92.46 грн
25+82.37 грн
50+75.65 грн
100+68.92 грн
250+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.81 грн
10+106.00 грн
100+74.02 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.89 грн
10+118.31 грн
100+81.13 грн
500+61.22 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+198.78 грн
10+118.12 грн
100+81.47 грн
500+66.72 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.