Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDMC86139P за ціною від 45.60 грн до 198.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86139P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
на замовлення 4659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC86139P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet |
на замовлення 42851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 40W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC86139P | onsemi |
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet |
на замовлення 17007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
на замовлення 4659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC86139P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDMC86139P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDMC86139P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 72.34 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.47 грн |
| 500+ | 66.72 грн |
| 1000+ | 58.59 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 42851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.57 грн |
| 10+ | 75.24 грн |
| 100+ | 55.51 грн |
| 500+ | 49.09 грн |
| 1000+ | 48.11 грн |
| 3000+ | 45.60 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 140+ | 101.73 грн |
| 250+ | 93.38 грн |
| 500+ | 92.05 грн |
| 1000+ | 85.34 грн |
| 3000+ | 75.14 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 134.82 грн |
| 10+ | 110.63 грн |
| 25+ | 109.53 грн |
| 50+ | 76.20 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.88 грн |
| 10+ | 92.46 грн |
| 25+ | 82.37 грн |
| 50+ | 75.65 грн |
| 100+ | 68.92 грн |
| 250+ | 63.04 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.81 грн |
| 10+ | 106.00 грн |
| 100+ | 74.02 грн |
| 500+ | 60.68 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.89 грн |
| 10+ | 118.31 грн |
| 100+ | 81.13 грн |
| 500+ | 61.22 грн |
| 1000+ | 57.30 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 198.78 грн |
| 10+ | 118.12 грн |
| 100+ | 81.47 грн |
| 500+ | 66.72 грн |
| 1000+ | 58.59 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






