Продукція > FDM

Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM2452NZ

05+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2502

FAIRCHIL

09+

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

QFN 0642+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	26.61 грн

Мінімальне замовлення: 807

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3300NZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.94 грн
10+	89.79 грн
100+	60.95 грн
500+	45.63 грн
1000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

на замовлення 698 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 4158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.69 грн
10+	95.79 грн
100+	64.79 грн
500+	54.89 грн
1000+	44.72 грн
3000+	42.06 грн
6000+	40.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDM44528S9J

N/A

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

FDM47-06KC5 THT N channel transistors

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	829.48 грн
2+	785.02 грн
5+	741.63 грн
25+	740.45 грн

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

VSSOP-8 0440+

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

0440+ VSSOP-8

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

на замовлення 9587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.87 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

FDM6269

FAI

08+PB

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

05+ QFN

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

FAI

09+

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

на замовлення 4347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	9.16 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

на замовлення 97900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1056+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 1056

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

на замовлення 1286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.65 грн
10+	70.90 грн
100+	49.50 грн
500+	40.90 грн
1000+	38.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 5587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
10+	67.97 грн
100+	54.56 грн
500+	43.98 грн
1000+	41.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 5556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	56.30 грн
100+	32.43 грн
500+	25.40 грн
1000+	23.01 грн
3000+	19.46 грн
6000+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.74 грн
6000+	20.30 грн
9000+	19.48 грн
15000+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.74 грн
6000+	28.95 грн
9000+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.42 грн
13+	61.65 грн
100+	41.10 грн
500+	30.33 грн
1000+	25.06 грн
5000+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.77 грн
6000+	27.02 грн
9000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 25401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	53.48 грн
100+	35.36 грн
500+	25.89 грн
1000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.65 грн
500+	43.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 47254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.67 грн
10+	42.38 грн
100+	27.77 грн
500+	20.16 грн
1000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

на замовлення 11536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.64 грн
10+	45.85 грн
100+	26.15 грн
500+	20.21 грн
1000+	18.30 грн
3000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	42.40 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.33 грн
12+	72.01 грн
100+	52.65 грн
500+	43.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 46500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.52 грн
6000+	15.58 грн
9000+	14.92 грн
15000+	13.30 грн
21000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.41 грн
25+	34.25 грн
100+	24.61 грн
250+	18.34 грн
1000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1128+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 1128

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 5488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

FAI

07+

на замовлення 112300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

на замовлення 2069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.26 грн
10+	51.74 грн
100+	30.66 грн
500+	25.67 грн
1000+	21.85 грн
3000+	19.73 грн
6000+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	39.42 грн
100+	22.19 грн
500+	17.07 грн
1000+	14.47 грн
3000+	13.38 грн
6000+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.80 грн
19+	42.62 грн
100+	28.84 грн
500+	21.52 грн
1000+	17.14 грн
5000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 3920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.22 грн
10+	37.35 грн
100+	24.31 грн
500+	17.53 грн
1000+	15.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.12 грн
17+	44.80 грн
25+	32.60 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

на замовлення 8398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.84 грн
500+	21.52 грн
1000+	17.14 грн
5000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 86974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	37.94 грн
100+	24.70 грн
500+	17.83 грн
1000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.21 грн
10+	53.39 грн
100+	32.23 грн
500+	26.90 грн
1000+	22.87 грн
3000+	20.35 грн
6000+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.85 грн
18+	44.61 грн
100+	29.15 грн
500+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.40 грн
6000+	13.65 грн
9000+	13.05 грн
15000+	11.62 грн
21000+	11.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 19341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	37.87 грн
100+	24.69 грн
500+	17.83 грн
1000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

593+	54.55 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.42 грн
6000+	13.67 грн
9000+	13.08 грн
15000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

FDMA1032CZ Multi channel transistors

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	54.70 грн
49+	24.06 грн
134+	22.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET

на замовлення 6856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.43 грн
10+	40.99 грн
100+	22.94 грн
500+	17.89 грн
1000+	15.84 грн
3000+	13.66 грн
6000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.00 грн
50+	46.28 грн
100+	29.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 7740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.04 грн
10+	45.93 грн
100+	30.21 грн
500+	22.00 грн
1000+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.98 грн
11+	69.68 грн
25+	68.98 грн
100+	51.93 грн
250+	47.60 грн
500+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.21 грн
6000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 33356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	45.85 грн
100+	28.68 грн
500+	21.92 грн
1000+	20.07 грн
3000+	17.75 грн
6000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	65.03 грн
201+	64.38 грн
258+	50.26 грн
260+	47.98 грн
500+	35.64 грн

Мінімальне замовлення: 199

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.13 грн
500+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 4027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	39.42 грн
100+	27.09 грн
500+	20.20 грн
1000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

MOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

на замовлення 4007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.49 грн
10+	41.85 грн
100+	25.06 грн
500+	19.94 грн
1000+	18.23 грн
3000+	15.98 грн
6000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.34 грн
50+	39.75 грн
100+	26.13 грн
500+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 29810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.96 грн
10+	50.07 грн
100+	33.03 грн
500+	24.14 грн
1000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.16 грн
6000+	18.87 грн
9000+	18.11 грн
15000+	16.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

на замовлення 30368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.21 грн
10+	54.81 грн
100+	32.43 грн
500+	27.11 грн
1000+	23.15 грн
3000+	20.89 грн
6000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

на замовлення 11953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.79 грн
6000+	29.81 грн
9000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 290950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.90 грн
10+	57.79 грн
100+	37.62 грн
500+	31.95 грн
1000+	26.01 грн
3000+	24.03 грн
6000+	23.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.14 грн
12+	64.22 грн
25+	63.57 грн
100+	49.84 грн
250+	46.07 грн
500+	39.04 грн
1000+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

на замовлення 2051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	59.94 грн
219+	59.33 грн
269+	46.44 грн
500+	37.95 грн
1000+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.13 грн
500+	27.66 грн
1000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.49 грн
6000+	33.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.73 грн
6000+	31.69 грн
9000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.68 грн
16+	50.90 грн
100+	35.13 грн
500+	27.66 грн
1000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.43 грн
6000+	21.37 грн
9000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

MOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 8463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.57 грн
10+	48.29 грн
100+	29.09 грн
500+	23.21 грн
1000+	21.30 грн
3000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 23378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.45 грн
10+	51.41 грн
100+	35.62 грн
500+	27.93 грн
1000+	23.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 1294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.43 грн
6000+	21.37 грн
9000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.45 грн
10+	51.41 грн
100+	35.62 грн
500+	27.93 грн
1000+	23.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.35 грн
14+	57.75 грн
100+	34.97 грн
500+	25.67 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.96 грн
6000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.80 грн
10+	37.37 грн
100+	22.33 грн
500+	18.23 грн
1000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.97 грн
500+	25.67 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 6250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.00 грн
10+	35.06 грн
100+	23.99 грн
500+	18.45 грн
1000+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

819+	39.53 грн
1000+	36.45 грн

Мінімальне замовлення: 819

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.82 грн
10+	40.16 грн
100+	26.21 грн
500+	18.96 грн
1000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.22 грн
6000+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.50 грн
6000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.25 грн
17+	48.59 грн
100+	34.73 грн
500+	30.84 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.12 грн
6000+	31.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.42 грн
6000+	14.57 грн
9000+	13.94 грн
15000+	12.42 грн
21000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.73 грн
500+	30.84 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.34 грн
500+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 5479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	73.45 грн
100+	49.12 грн
500+	36.29 грн
1000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.62 грн
10+	56.14 грн
100+	37.42 грн
500+	27.72 грн
1000+	27.45 грн
3000+	26.76 грн
6000+	26.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.83 грн
50+	63.17 грн
100+	50.34 грн
500+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 9506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

на замовлення 26065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.64 грн
10+	55.51 грн
100+	37.01 грн
500+	29.29 грн
1000+	23.42 грн
3000+	21.17 грн
6000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.30 грн
500+	22.63 грн
1500+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	54.51 грн
100+	35.94 грн
500+	26.22 грн
1000+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.97 грн
50+	43.17 грн
100+	33.30 грн
500+	22.63 грн
1500+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

929+	34.82 грн
1000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 929

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 14213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	64.54 грн
100+	37.48 грн
500+	29.36 грн
1000+	26.76 грн
3000+	22.60 грн
6000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	56.73 грн
100+	37.60 грн
500+	27.60 грн
1000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.20 грн
13+	61.97 грн
100+	45.40 грн
500+	33.06 грн
1000+	27.72 грн
5000+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

FDMA530PZ SMD P channel transistors

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	121.08 грн
28+	42.90 грн
75+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 1238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

на замовлення 5232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.40 грн
500+	33.06 грн
1000+	27.72 грн
5000+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.09 грн
500+	26.11 грн
3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 88530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

792+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 792

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

FDMA6023PZT Multi channel transistors

на замовлення 95 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	98.77 грн
31+	37.87 грн
85+	35.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.14 грн
10+	46.60 грн
100+	36.21 грн
500+	28.81 грн
1000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.26 грн
14+	60.38 грн
100+	43.09 грн
500+	26.11 грн
3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.33 грн
11+	71.73 грн
25+	70.33 грн
100+	52.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.10 грн
10+	61.48 грн
100+	41.31 грн
250+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.45 грн
6000+	22.42 грн
9000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	66.95 грн
198+	65.65 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

MOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 89038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

962+	22.20 грн

Мінімальне замовлення: 962

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.69 грн
6000+	13.92 грн
9000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 22798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.82 грн
10+	42.09 грн
100+	32.70 грн
24000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 10130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.52 грн
10+	38.46 грн
100+	25.09 грн
500+	18.14 грн
1000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 208870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.26 грн
6000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.36 грн
10+	39.57 грн
100+	22.46 грн
500+	17.21 грн
1000+	15.84 грн
3000+	12.49 грн
6000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 7388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.82 грн
10+	73.30 грн
100+	49.05 грн
500+	36.28 грн
1000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.14 грн
32+	25.65 грн
100+	18.00 грн
500+	13.91 грн
1000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.32 грн
6000+	27.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.00 грн
500+	13.91 грн
1000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 14806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.26 грн
10+	65.01 грн
100+	45.81 грн
500+	37.82 грн
1000+	30.52 грн
3000+	27.45 грн
6000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.91 грн
10+	69.16 грн
100+	46.24 грн
500+	34.17 грн
1000+	31.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 4056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

на замовлення 53131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	78.55 грн
100+	50.99 грн
500+	37.92 грн
1000+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.49 грн
6000+	31.43 грн
9000+	31.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 17402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.64 грн
10+	67.29 грн
100+	40.90 грн
500+	33.11 грн
1000+	29.84 грн
3000+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	80.10 грн
100+	62.42 грн
500+	48.39 грн
1000+	38.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.19 грн
500+	36.17 грн
1000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	69.57 грн
100+	44.24 грн
500+	34.96 грн
1000+	31.95 грн
3000+	28.13 грн
6000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

на замовлення 1716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.18 грн
17+	47.71 грн
100+	46.52 грн
500+	41.27 грн
1000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.16 грн
10+	42.95 грн
100+	36.53 грн
500+	34.96 грн
1000+	29.15 грн
3000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 15788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.15 грн
10+	54.10 грн
100+	34.14 грн
500+	27.45 грн
1000+	25.26 грн
3000+	22.39 грн
6000+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.29 грн
10+	51.55 грн
100+	40.13 грн
500+	31.91 грн
1000+	26.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.08 грн
6000+	24.84 грн
9000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.04 грн
50+	66.83 грн
100+	52.01 грн
500+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 12650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.84 грн
10+	66.94 грн
100+	44.75 грн
500+	33.07 грн
1000+	30.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.11 грн
10+	70.19 грн
100+	41.17 грн
500+	32.43 грн
1000+	29.56 грн
3000+	25.94 грн
6000+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 1.2 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.38 грн
6000+	26.34 грн
9000+	25.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.32 грн
500+	40.39 грн
1500+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.76 грн
6000+	30.97 грн
9000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

на замовлення 63647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.99 грн
10+	83.23 грн
100+	56.12 грн
500+	46.36 грн
1000+	37.01 грн
3000+	34.07 грн
6000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.73 грн
50+	60.06 грн
100+	47.32 грн
500+	40.39 грн
1500+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 41265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.42 грн
10+	64.35 грн
100+	50.02 грн
500+	39.79 грн
1000+	32.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 11447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.01 грн
36+	22.70 грн
38+	21.43 грн
100+	19.23 грн
250+	16.32 грн
500+	15.16 грн
1000+	14.00 грн
3000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.85 грн
6000+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

MOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	68.23 грн
100+	47.04 грн
500+	43.22 грн
1000+	41.99 грн
3000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 4358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 12494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.40 грн
10+	89.20 грн
100+	60.54 грн
500+	45.31 грн
1000+	43.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 1337705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	41.48 грн

Мінімальне замовлення: 926

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

на замовлення 234000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 527023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.52 грн
10+	38.39 грн
100+	25.03 грн
500+	18.09 грн
1000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.65 грн
6000+	13.88 грн
9000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 5171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.63 грн
10+	38.87 грн
100+	23.15 грн
500+	18.50 грн
1000+	16.73 грн
3000+	14.82 грн
6000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 23650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.64 грн
6000+	21.08 грн
9000+	20.22 грн
15000+	18.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

на замовлення 86094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.22 грн
10+	50.25 грн
100+	34.62 грн
500+	27.65 грн
1000+	22.12 грн
3000+	18.43 грн
6000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 17782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.84 грн
500+	27.96 грн
1500+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 23804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	55.99 грн
100+	36.93 грн
500+	26.98 грн
1000+	24.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 17782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.23 грн
50+	53.61 грн
100+	37.84 грн
500+	27.96 грн
1500+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 3291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.14 грн
10+	40.83 грн
100+	26.66 грн
500+	19.31 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -45A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

MOSFETs P-CHAN -20V -9.4A

на замовлення 4349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	64.62 грн
100+	38.30 грн
500+	30.45 грн
1000+	27.92 грн
3000+	24.51 грн
6000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.00 грн
10+	64.50 грн
100+	42.83 грн
500+	31.47 грн
1000+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	53.71 грн
100+	36.32 грн
500+	30.79 грн
1000+	25.06 грн
3000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.78 грн
6000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	80.90 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.75 грн
10+	125.63 грн
100+	77.15 грн
500+	63.97 грн
1000+	56.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.38 грн
500+	71.67 грн
1000+	60.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.58 грн
10+	114.35 грн
100+	78.75 грн
500+	60.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	207.10 грн
10+	129.84 грн
100+	96.38 грн
500+	71.67 грн
1000+	60.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -7A; Idm: -30A; 2.2W; WDFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.2W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.15 грн
6000+	23.40 грн
9000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 10662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	60.28 грн
100+	40.14 грн
500+	29.56 грн
1000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

на замовлення 14012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.35 грн
10+	60.85 грн
100+	36.46 грн
500+	29.50 грн
1000+	26.90 грн
3000+	24.44 грн
6000+	23.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.37 грн
11+	77.74 грн
100+	57.83 грн
500+	46.23 грн
1000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	69.64 грн
100+	46.43 грн
500+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.29 грн
10+	80.14 грн
100+	61.46 грн
500+	46.85 грн
1000+	34.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	48.33 грн

Мінімальне замовлення: 452

В кошику од. на суму грн.

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

на замовлення 10643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 1110

В кошику од. на суму грн.

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.33 грн
10+	121.53 грн
100+	84.00 грн
500+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	93.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

на замовлення 6351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.96 грн
10+	186.09 грн
100+	114.70 грн
500+	103.78 грн
1000+	101.05 грн
3000+	88.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.62 грн
10+	128.24 грн
100+	125.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 15582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.68 грн
10+	172.71 грн
100+	121.72 грн
500+	103.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 339A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.60 грн
10+	60.07 грн
100+	38.85 грн
500+	31.34 грн
1000+	27.92 грн
3000+	24.58 грн
6000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 5283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.00 грн
10+	64.72 грн
100+	43.06 грн
500+	31.67 грн
1000+	28.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.03 грн
10+	119.53 грн
100+	82.06 грн
500+	61.99 грн
1000+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 3802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	106.78 грн
100+	66.02 грн
500+	54.21 грн
1000+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

MOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

на замовлення 5937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	114.64 грн
250+	99.00 грн
500+	98.32 грн
1000+	94.90 грн
3000+	88.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.11 грн
10+	184.25 грн
100+	129.64 грн
500+	99.79 грн
1000+	92.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.47 грн
100+	109.14 грн
500+	88.76 грн
1000+	81.25 грн
3000+	32.09 грн
6000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.60 грн
10+	115.50 грн
100+	109.13 грн
500+	97.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.36 грн
10+	102.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.47 грн
100+	109.14 грн
500+	88.76 грн
1000+	81.25 грн
3000+	32.09 грн
6000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.13 грн
500+	97.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

на замовлення 2037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	119.06 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	27.08 грн

Мінімальне замовлення: 1456

В кошику од. на суму грн.

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 14629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1780+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 1780

В кошику од. на суму грн.

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	27.08 грн

Мінімальне замовлення: 1456

В кошику од. на суму грн.

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 6940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1665+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 1665

В кошику од. на суму грн.

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 32742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	49.85 грн
100+	34.66 грн
500+	26.12 грн
1000+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.59 грн
6000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	53.71 грн
100+	35.44 грн
500+	28.33 грн
1000+	25.81 грн
3000+	22.05 грн
6000+	20.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 2575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.43 грн
10+	56.44 грн
100+	43.88 грн
500+	34.91 грн
1000+	28.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.19 грн
10+	124.84 грн
25+	102.41 грн
100+	87.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 459

В кошику од. на суму грн.

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.95 грн
500+	54.36 грн
1000+	49.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

на замовлення 945 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

MOSFETs -150V P-Channel QFET

на замовлення 13921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	76.32 грн
100+	52.37 грн
500+	46.56 грн
1000+	45.88 грн
3000+	39.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

ON-Semiconductor

P-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	59.05 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

на замовлення 1881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.11 грн
10+	87.62 грн
100+	67.95 грн
500+	54.36 грн
1000+	49.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

FDMC2523P SMD P channel transistors

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	151.88 грн
16+	75.94 грн
43+	71.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 3127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.32 грн
10+	93.20 грн
100+	63.46 грн
500+	47.62 грн
1000+	46.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 42540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.49 грн
10+	125.89 грн
100+	90.63 грн
500+	73.28 грн
1000+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

на замовлення 14153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.78 грн
10+	128.77 грн
100+	81.25 грн
500+	71.69 грн
1000+	68.14 грн
3000+	60.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.40 грн
500+	68.79 грн
3000+	51.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 25839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.40 грн
10+	124.93 грн
100+	100.39 грн
500+	77.40 грн
1000+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	109.92 грн
100+	82.61 грн
250+	76.47 грн
500+	68.96 грн
1000+	61.04 грн
3000+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.16 грн
10+	119.48 грн
100+	92.40 грн
500+	68.79 грн
3000+	51.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	66.07 грн
6000+	61.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.00 грн
10+	83.36 грн
100+	64.82 грн
500+	51.56 грн
1000+	42.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.00 грн
10+	163.32 грн
25+	134.50 грн
100+	114.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

349+	55.76 грн

Мінімальне замовлення: 349

В кошику од. на суму грн.

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	63.72 грн

Мінімальне замовлення: 616

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.23 грн
6000+	18.02 грн
9000+	17.28 грн
15000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET

на замовлення 9426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.95 грн
10+	44.44 грн
25+	38.58 грн
100+	29.36 грн
250+	29.22 грн
500+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	66.12 грн
197+	65.85 грн
224+	57.99 грн
250+	55.79 грн
500+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.65 грн
16+	52.97 грн
100+	36.56 грн
500+	27.29 грн
1000+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.62 грн
11+	70.84 грн
25+	70.56 грн
100+	59.91 грн
250+	55.35 грн
500+	42.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 15393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	48.23 грн
100+	31.74 грн
500+	23.14 грн
1000+	21.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

MOSFETs FET 100V 1100 MOHM MLP33

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.82 грн
10+	57.47 грн
100+	34.82 грн
500+	27.92 грн
1000+	25.74 грн
3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.19 грн
10+	53.03 грн
100+	36.88 грн
500+	27.81 грн
1000+	25.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 67177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.37 грн
12+	67.31 грн
100+	46.60 грн
500+	31.95 грн
1000+	26.97 грн
5000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 10763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	65.31 грн
100+	43.62 грн
500+	32.21 грн
1000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2421 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	122.14 грн
5+	99.14 грн
10+	83.53 грн
50+	57.10 грн
100+	48.82 грн
500+	45.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

на замовлення 2421 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	101.78 грн
6+	79.55 грн
10+	69.61 грн
50+	47.58 грн
100+	40.68 грн
500+	37.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

760+	42.57 грн
1000+	40.21 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.56 грн
9000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

на замовлення 32214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.52 грн
10+	70.19 грн
100+	40.49 грн
500+	31.82 грн
1000+	29.09 грн
3000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 10730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.60 грн
6000+	25.63 грн
9000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

на замовлення 67177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.60 грн
500+	31.95 грн
1000+	26.97 грн
5000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ
Код товару: 52237

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 26946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

760+	42.57 грн
1000+	40.21 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 4776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1191+	27.16 грн

Мінімальне замовлення: 1191

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

на замовлення 23810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

Description: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

на замовлення 18596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	47.89 грн
1000+	45.22 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

на замовлення 5049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	47.89 грн
1000+	45.22 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	71.30 грн
100+	47.84 грн
500+	35.46 грн
1000+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ_F106

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

841+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 841

В кошику од. на суму грн.

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 1232

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.56 грн
10+	75.59 грн
100+	58.94 грн
500+	45.70 грн
1000+	36.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
50+	114.70 грн
100+	98.77 грн
500+	68.42 грн
1500+	61.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	82.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 14054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.78 грн
10+	127.20 грн
100+	75.79 грн
250+	71.69 грн
500+	63.50 грн
1000+	59.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.77 грн
500+	68.42 грн
1500+	61.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 66032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	132.55 грн
100+	91.44 грн
500+	69.31 грн
1000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.90 грн
10+	60.13 грн
100+	46.87 грн
500+	36.34 грн
1000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-L701

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.39 грн
10+	114.14 грн
25+	113.59 грн
100+	100.14 грн
250+	90.44 грн
500+	80.55 грн
1000+	74.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.65 грн
500+	66.13 грн
1000+	59.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.33 грн
10+	125.63 грн
100+	85.34 грн
250+	81.25 грн
500+	68.96 грн
1000+	63.50 грн
3000+	60.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	117.03 грн
122+	106.53 грн
123+	106.01 грн
134+	93.46 грн
250+	84.41 грн
500+	75.18 грн
1000+	69.37 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 5960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.21 грн
10+	137.87 грн
100+	95.30 грн
500+	72.34 грн
1000+	66.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.94 грн
10+	85.23 грн
100+	72.65 грн
500+	66.13 грн
1000+	59.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	75.61 грн
100+	55.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

на замовлення 20197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

460+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 460

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.70 грн
10+	55.04 грн
100+	38.37 грн
500+	32.91 грн
1000+	31.34 грн
3000+	27.72 грн
6000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	62.23 грн
210+	61.77 грн
246+	52.78 грн
250+	50.79 грн
500+	41.30 грн
1000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 208

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 4933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.30 грн
10+	70.12 грн
100+	48.54 грн
500+	39.02 грн
1000+	35.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ
Код товару: 130485

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.23 грн
12+	66.68 грн
25+	66.19 грн
100+	54.53 грн
250+	50.38 грн
500+	42.47 грн
1000+	35.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 192350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	55.23 грн
1000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 19828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.91 грн
500+	39.94 грн
1000+	35.57 грн
5000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.13 грн
10+	78.77 грн
100+	56.73 грн
500+	42.63 грн
1000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

на замовлення 17969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	80.87 грн
100+	49.50 грн
500+	38.71 грн
1000+	36.19 грн
3000+	31.88 грн
6000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

на замовлення 19828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.28 грн
11+	74.64 грн
100+	57.91 грн
500+	39.94 грн
1000+	35.57 грн
5000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	55.23 грн
1000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ-P

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1150+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 1150

В кошику од. на суму грн.

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.10 грн

Мінімальне замовлення: 1686

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683_P

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.94 грн
10+	122.67 грн
100+	106.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.27 грн
10+	112.72 грн
100+	77.30 грн
500+	58.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 10556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.29 грн
1000+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 6813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.29 грн
1000+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 14450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.29 грн
1000+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 2761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.29 грн
1000+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 9964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.29 грн
1000+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1602+	23.90 грн

Мінімальне замовлення: 1602

В кошику од. на суму грн.

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.36 грн
10+	64.62 грн
100+	43.83 грн
500+	36.19 грн
1000+	28.61 грн
3000+	26.63 грн
9000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

на замовлення 14330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 766

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.63 грн
10+	42.24 грн
100+	25.47 грн
500+	21.30 грн
1000+	18.09 грн
3000+	15.91 грн
6000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.93 грн
10+	38.98 грн
100+	26.79 грн
500+	21.02 грн
1000+	19.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.87 грн
6000+	22.20 грн
9000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.24 грн
10+	57.92 грн
100+	38.62 грн
500+	28.28 грн
1000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.59 грн
10+	50.57 грн
100+	30.45 грн
500+	24.37 грн
1000+	22.39 грн
3000+	20.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 4145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.11 грн
10+	114.87 грн
100+	78.59 грн
500+	59.18 грн
1000+	54.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.50 грн
11+	76.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.45 грн
10+	102.07 грн
100+	72.37 грн
250+	66.71 грн
500+	60.36 грн
1000+	51.62 грн
3000+	47.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

на замовлення 3003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	99.72 грн
100+	60.49 грн
500+	50.93 грн
1000+	47.72 грн
3000+	47.32 грн
6000+	36.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 6533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.29 грн
10+	174.85 грн
100+	122.69 грн
500+	94.23 грн
1000+	87.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	128.41 грн
103+	126.43 грн
104+	124.53 грн
106+	118.17 грн
250+	107.65 грн
500+	101.71 грн
1000+	100.01 грн
3000+	98.31 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.58 грн
10+	135.46 грн
25+	133.43 грн
100+	126.61 грн
250+	115.34 грн
500+	108.98 грн
1000+	107.16 грн
3000+	105.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S
Код товару: 167040

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	86.80 грн

Мінімальне замовлення: 265

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	83.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.88 грн
500+	59.99 грн
1500+	53.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.92 грн
6000+	61.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.73 грн
6000+	56.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.82 грн
50+	107.53 грн
100+	72.88 грн
500+	59.99 грн
1500+	53.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

на замовлення 2126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.77 грн
10+	98.74 грн
100+	67.38 грн
500+	50.64 грн
1000+	49.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

327+	99.12 грн
500+	89.21 грн
1000+	82.26 грн

Мінімальне замовлення: 327

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 9518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.67 грн
10+	97.36 грн
100+	55.99 грн
500+	49.64 грн
1000+	47.93 грн
3000+	46.50 грн
6000+	41.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

327+	99.12 грн

Мінімальне замовлення: 327

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 23873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.90 грн
500+	95.32 грн
1000+	87.90 грн
10000+	75.58 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.90 грн
500+	95.32 грн
1000+	87.90 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

на замовлення 8116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.89 грн
10+	98.15 грн
100+	62.81 грн
500+	50.93 грн
1000+	46.91 грн
3000+	46.84 грн
6000+	46.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.90 грн
500+	95.32 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.90 грн
500+	95.32 грн
1000+	87.90 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.45 грн
10+	92.53 грн
100+	67.77 грн
500+	52.01 грн
1000+	47.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

418+	77.51 грн
500+	69.76 грн
1000+	64.34 грн

Мінімальне замовлення: 418

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

418+	77.51 грн
500+	69.76 грн
1000+	64.34 грн

Мінімальне замовлення: 418

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

590+	66.11 грн

Мінімальне замовлення: 590

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

334+	59.71 грн

Мінімальне замовлення: 334

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S-TE

FDMC7660S-TE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

493+	65.72 грн
547+	59.15 грн
1000+	54.56 грн

Мінімальне замовлення: 493

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 11181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.74 грн
10+	57.92 грн
100+	45.05 грн
500+	35.84 грн
1000+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 4181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.22 грн
10+	50.88 грн
100+	35.64 грн
500+	29.77 грн
1000+	28.33 грн
3000+	24.85 грн
6000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.41 грн
6000+	27.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	59.32 грн
100+	46.17 грн
500+	36.73 грн
1000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

QFN

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.23 грн
10+	54.73 грн
100+	33.80 грн
500+	27.11 грн
1000+	22.74 грн
3000+	21.58 грн
6000+	20.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.40 грн
10+	55.33 грн
100+	36.67 грн
500+	26.90 грн
1000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

на замовлення 11422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

454+	48.33 грн

Мінімальне замовлення: 454

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2534.63 грн
10+	2163.94 грн
25+	1816.14 грн
50+	1750.59 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.94 грн
10+	92.09 грн
100+	62.29 грн
500+	47.19 грн
1000+	43.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

FDMC7692 SMD N channel transistors

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	72.22 грн
25+	48.42 грн
67+	45.86 грн
200+	45.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.75 грн
10+	50.52 грн
100+	39.26 грн
500+	31.23 грн
1000+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.09 грн
14+	53.53 грн
25+	52.99 грн
100+	43.61 грн
250+	40.19 грн
500+	33.74 грн
1000+	30.28 грн
3000+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.22 грн
15+	56.79 грн
100+	40.15 грн
500+	29.96 грн
1000+	25.40 грн
5000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 37139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	54.57 грн
100+	36.94 грн
500+	31.27 грн
1000+	25.47 грн
3000+	24.03 грн
6000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692
Код товару: 116194

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	49.96 грн
262+	49.46 грн
307+	42.21 грн
308+	40.51 грн
500+	32.80 грн
1000+	28.26 грн
3000+	26.02 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 76828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.16 грн
10+	38.16 грн
100+	24.78 грн
500+	19.46 грн
1000+	15.09 грн
3000+	11.68 грн
6000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.07 грн
10+	46.08 грн
100+	34.41 грн
500+	25.37 грн
1000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

QFN

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.78 грн
6000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

QFN

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	50.33 грн
100+	35.84 грн
500+	30.11 грн
1000+	27.45 грн
3000+	23.83 грн
6000+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.52 грн
500+	36.32 грн
1000+	30.59 грн
5000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

на замовлення 6212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.37 грн
14+	61.18 грн
100+	46.52 грн
500+	36.32 грн
1000+	30.59 грн
5000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.84 грн
10+	67.01 грн
100+	44.67 грн
500+	32.91 грн
1000+	30.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	92.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	104.60 грн
139+	93.34 грн
140+	92.60 грн
146+	85.98 грн
250+	76.54 грн
500+	70.53 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.33 грн
10+	113.11 грн
100+	86.82 грн
500+	70.19 грн
1000+	60.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн
1000+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.07 грн
10+	100.00 грн
25+	99.22 грн
100+	92.12 грн
250+	82.00 грн
500+	75.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 9885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн
1000+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.02 грн
10+	99.72 грн
100+	71.69 грн
500+	62.13 грн
1000+	53.26 грн
3000+	50.52 грн
6000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 18208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн
1000+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.82 грн
500+	70.19 грн
1000+	60.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 8246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.39 грн
10+	107.62 грн
100+	82.33 грн
500+	69.70 грн
1000+	64.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	93.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	88.97 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

FDMC8010A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

276+	117.50 грн
500+	112.11 грн
1000+	106.29 грн

Мінімальне замовлення: 276

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

на замовлення 10099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.40 грн
10+	74.51 грн
100+	50.32 грн
500+	42.67 грн
1000+	33.39 грн
3000+	32.70 грн
6000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.79 грн
6000+	29.78 грн
9000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	50.40 грн
1000+	47.60 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	50.40 грн
1000+	47.60 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 9546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.62 грн
10+	66.13 грн
100+	45.70 грн
500+	37.12 грн
1000+	34.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.73 грн
25+	74.57 грн
100+	70.77 грн
250+	64.48 грн
500+	60.91 грн
1000+	59.91 грн
3000+	58.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	88.97 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 43049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	124.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.20 грн
10+	56.95 грн
100+	44.33 грн
500+	35.26 грн
1000+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.85 грн
10+	58.81 грн
100+	40.15 грн
500+	35.84 грн
1000+	29.15 грн
3000+	26.83 грн
6000+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	57.34 грн
229+	56.53 грн
276+	47.01 грн
278+	44.87 грн
500+	37.52 грн
1000+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.76 грн
13+	61.44 грн
25+	60.57 грн
100+	48.57 грн
250+	44.52 грн
500+	38.59 грн
1000+	31.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.30 грн
10+	86.32 грн
100+	68.68 грн
500+	54.54 грн
1000+	46.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

MOSFETs FPS

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.62 грн
10+	84.80 грн
100+	51.14 грн
500+	43.36 грн
1000+	39.33 грн
3000+	33.39 грн
6000+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 8259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.32 грн
10+	77.15 грн
100+	60.05 грн
500+	47.77 грн
1000+	38.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 32195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.87 грн
500+	51.85 грн
1500+	43.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.17 грн
14+	55.19 грн
25+	54.59 грн
100+	45.11 грн
500+	36.67 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.54 грн
6000+	37.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

на замовлення 32195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.96 грн
50+	95.59 грн
100+	65.87 грн
500+	51.85 грн
1500+	43.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	50.95 грн
297+	43.66 грн
500+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 254

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 11970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	59.25 грн
100+	46.07 грн
500+	36.64 грн
1000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

338+	38.37 грн
343+	37.78 грн
348+	37.19 грн
354+	35.29 грн
360+	32.15 грн
500+	30.35 грн
1000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 338

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 605000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

626+	51.74 грн
1000+	47.72 грн
10000+	42.54 грн
100000+	34.37 грн

Мінімальне замовлення: 626

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

MOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.10 грн
6000+	28.52 грн
9000+	27.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 606000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

793+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 793

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.11 грн
25+	40.48 грн
50+	38.42 грн
100+	35.01 грн
250+	33.07 грн
500+	32.52 грн
1000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

626+	51.74 грн
1000+	47.72 грн
10000+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 626

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	326.59 грн
10+	241.05 грн
25+	186.39 грн
100+	162.50 грн
250+	149.52 грн
500+	140.65 грн
1000+	129.72 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 40013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.44 грн
10+	243.20 грн
100+	173.59 грн
500+	135.06 грн
1000+	127.01 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	140.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

583+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 583

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	81.35 грн
161+	80.53 грн
200+	64.68 грн
250+	61.78 грн
500+	38.66 грн
1000+	36.63 грн
3000+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.23 грн
10+	87.16 грн
25+	86.28 грн
100+	66.82 грн
250+	61.29 грн
500+	39.77 грн
1000+	39.25 грн
3000+	36.20 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

на замовлення 5884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	69.72 грн
100+	43.56 грн
500+	35.23 грн
1000+	30.93 грн
3000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 10742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.81 грн
10+	79.51 грн
100+	53.38 грн
500+	39.56 грн
1000+	36.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 7335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.99 грн
10+	67.05 грн
100+	42.26 грн
500+	34.21 грн
1000+	31.82 грн
3000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.57 грн
12+	63.59 грн
25+	63.28 грн
100+	53.31 грн
250+	49.07 грн
500+	42.34 грн
1000+	37.57 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.27 грн
6000+	31.65 грн
9000+	31.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	59.35 грн
220+	59.06 грн
251+	51.60 грн
253+	49.46 грн
500+	41.16 грн
1000+	35.07 грн

Мінімальне замовлення: 218

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 187651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

QFN8

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

712+	54.17 грн

Мінімальне замовлення: 712

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 14448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 19700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.58 грн
10+	153.11 грн
100+	92.86 грн
250+	92.17 грн
500+	75.79 грн
1000+	70.32 грн
3000+	69.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	233.87 грн
62+	210.30 грн
64+	204.24 грн
100+	187.63 грн
250+	156.22 грн
500+	145.81 грн
1000+	126.87 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	250.57 грн
10+	225.32 грн
25+	218.83 грн
100+	201.04 грн
250+	167.38 грн
500+	156.22 грн
1000+	135.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 14448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.29 грн
10+	142.24 грн
100+	101.11 грн
500+	77.60 грн
1000+	71.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	128.70 грн
110+	117.80 грн
111+	116.61 грн
125+	100.38 грн
250+	90.83 грн
500+	80.97 грн
1000+	72.12 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

MOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 3114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.97 грн
10+	107.57 грн
100+	75.79 грн
250+	75.10 грн
500+	67.46 грн
1000+	64.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.89 грн
10+	126.21 грн
25+	124.94 грн
100+	107.55 грн
250+	97.32 грн
500+	86.76 грн
1000+	77.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 54231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.10 грн
10+	103.63 грн
100+	84.16 грн
500+	72.04 грн
1000+	65.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.89 грн
500+	39.42 грн
1500+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 7522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	54.59 грн
100+	36.16 грн
500+	26.49 грн
1000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 2797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

697+	46.43 грн
1000+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 697

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.42 грн
50+	61.49 грн
100+	43.89 грн
500+	39.42 грн
1500+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	51.23 грн
1000+	50.67 грн
3000+	47.04 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 51913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	68.55 грн
100+	46.43 грн
500+	35.37 грн
1000+	33.73 грн
3000+	28.61 грн
6000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.06 грн
10+	106.51 грн
100+	72.55 грн
500+	54.46 грн
1000+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.10 грн
10+	125.67 грн
100+	87.39 грн
500+	66.69 грн
1000+	61.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

на замовлення 3453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.65 грн
10+	116.99 грн
100+	72.37 грн
500+	59.88 грн
1000+	58.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.99 грн
10+	100.50 грн
100+	63.29 грн
500+	48.89 грн
1000+	43.15 грн
3000+	42.26 грн
6000+	40.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн
10+	89.87 грн
100+	62.18 грн
500+	45.69 грн
1000+	43.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.35 грн
500+	78.40 грн
1000+	67.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.19 грн
10+	100.08 грн
100+	63.39 грн
500+	50.89 грн
1000+	46.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	204.71 грн
10+	149.75 грн
100+	104.35 грн
500+	78.40 грн
1000+	67.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 7338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.48 грн
10+	136.62 грн
100+	95.59 грн
250+	92.17 грн
500+	81.25 грн
1000+	69.64 грн
3000+	66.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 14550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.13 грн
10+	79.51 грн
100+	56.18 грн
500+	42.99 грн
1000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

FAIRCHID

на замовлення 6034 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.96 грн
10+	98.93 грн
100+	58.58 грн
500+	46.70 грн
1000+	42.88 грн
3000+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.02 грн
23+	33.01 грн
25+	32.94 грн
100+	30.16 грн
250+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

976+	39.83 грн

Мінімальне замовлення: 976

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 14309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.65 грн
500+	178.95 грн
1000+	168.17 грн
10000+	152.81 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.34 грн
10+	90.04 грн
25+	89.14 грн
100+	84.24 грн
250+	77.80 грн
500+	73.94 грн
1000+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.65 грн
500+	178.95 грн
1000+	168.17 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.65 грн
10+	116.13 грн
100+	80.01 грн
500+	61.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.65 грн
500+	178.95 грн
1000+	168.17 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.89 грн
10+	113.85 грн
100+	72.37 грн
500+	65.14 грн
1000+	58.24 грн
3000+	57.76 грн
6000+	45.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	84.04 грн
156+	83.20 грн
159+	81.53 грн
250+	78.42 грн
500+	71.89 грн
1000+	59.44 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.65 грн
500+	178.95 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.44 грн
10+	128.24 грн
100+	95.59 грн
500+	73.97 грн
1000+	62.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	86.82 грн
6000+	83.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.40 грн
10+	123.37 грн
100+	85.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.97 грн
6000+	85.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.29 грн
10+	121.70 грн
100+	79.88 грн
500+	68.96 грн
1000+	63.29 грн
3000+	58.10 грн
6000+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.18 грн
50+	85.23 грн
100+	72.57 грн
500+	46.52 грн
1500+	42.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.82 грн
6000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	106.40 грн
124+	105.00 грн
159+	81.81 грн
250+	75.18 грн
500+	47.53 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	91.08 грн
100+	54.42 грн
500+	45.34 грн
1000+	42.47 грн
3000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.33 грн
500+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.71 грн
10+	114.00 грн
25+	112.50 грн
100+	84.52 грн
250+	74.58 грн
500+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 9071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.10 грн
10+	87.28 грн
100+	59.17 грн
500+	44.23 грн
1000+	42.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 41361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.39 грн
10+	100.67 грн
100+	73.37 грн
500+	57.81 грн
1000+	53.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 17986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	65.88 грн
100+	51.55 грн
500+	49.77 грн
1000+	49.30 грн
3000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	99.06 грн
145+	89.27 грн
152+	85.65 грн
165+	75.62 грн
250+	67.70 грн
500+	59.72 грн
1000+	58.03 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.01 грн
12+	67.39 грн
100+	60.70 грн
500+	51.41 грн
1000+	46.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.28 грн
6000+	69.88 грн
9000+	67.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	106.14 грн
10+	95.64 грн
25+	91.77 грн
100+	81.02 грн
250+	72.53 грн
500+	63.99 грн
1000+	62.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.76 грн
6000+	58.75 грн
9000+	57.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

на замовлення 12920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.70 грн
500+	51.41 грн
1000+	46.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86106LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33

на замовлення 199808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86106LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.23 грн
6000+	36.59 грн
9000+	35.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

на замовлення 16990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.33 грн
6000+	24.48 грн
9000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.45 грн
15+	52.59 грн
25+	52.07 грн
100+	44.16 грн
250+	40.37 грн
500+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET

на замовлення 14357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	67.21 грн
100+	40.76 грн
500+	32.50 грн
1000+	29.22 грн
3000+	25.94 грн
6000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.40 грн
50+	62.37 грн
100+	43.49 грн
500+	32.54 грн
1500+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	49.09 грн
267+	48.60 грн
303+	42.74 грн
307+	40.69 грн
500+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

на замовлення 17602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.93 грн
10+	62.65 грн
100+	41.81 грн
500+	30.84 грн
1000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.13 грн
6000+	30.76 грн
9000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

на замовлення 8281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.49 грн
500+	32.54 грн
1500+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.39 грн
10+	115.31 грн
100+	95.53 грн
500+	74.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P
Код товару: 183309

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.01 грн
500+	55.03 грн
1000+	50.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.08 грн
6000+	45.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	115.09 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	200.73 грн
10+	129.04 грн
100+	89.21 грн
500+	65.53 грн
1000+	57.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 174000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	94.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet

на замовлення 42851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.38 грн
10+	73.57 грн
100+	54.28 грн
500+	48.00 грн
1000+	47.04 грн
3000+	44.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

FDMC86139P SMD P channel transistors

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	220.91 грн
15+	80.87 грн
40+	76.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

на замовлення 14579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.14 грн
10+	102.59 грн
100+	70.27 грн
500+	52.94 грн
1000+	52.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

на замовлення 44525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.33 грн
10+	109.14 грн
25+	94.22 грн
100+	82.61 грн
250+	77.83 грн
500+	72.37 грн
3000+	67.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.92 грн
10+	130.92 грн
100+	90.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	114.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.93 грн
10+	144.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	88.48 грн

Мінімальне замовлення: 201

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 6292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.85 грн
10+	144.47 грн
100+	90.12 грн
500+	75.79 грн
1000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 2237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.07 грн
10+	140.55 грн
100+	81.93 грн
500+	73.74 грн
1000+	72.37 грн
3000+	65.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 27583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.65 грн
10+	150.30 грн
100+	104.54 грн
500+	79.76 грн
1000+	73.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.50 грн
500+	92.46 грн
1000+	83.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33

на замовлення 2174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.66 грн
10+	146.57 грн
100+	115.50 грн
500+	92.46 грн
1000+	83.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

Description: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.82 грн
500+	49.48 грн
3000+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V

на замовлення 11956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.16 грн
10+	95.93 грн
100+	65.20 грн
500+	48.83 грн
1000+	44.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.80 грн
10+	103.55 грн
100+	77.82 грн
500+	49.48 грн
3000+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 31904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.14 грн
10+	120.13 грн
100+	86.03 грн
250+	79.20 грн
500+	72.37 грн
1000+	61.72 грн
3000+	58.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

на замовлення 630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.68 грн
10+	141.79 грн
100+	97.98 грн
500+	75.44 грн
1000+	66.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 4851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V

на замовлення 8842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.58 грн
10+	116.87 грн
100+	80.54 грн
500+	61.01 грн
1000+	56.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.98 грн
500+	75.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.35 грн
500+	60.36 грн
1000+	45.47 грн
3000+	43.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.19 грн
6000+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.80 грн
10+	105.94 грн
100+	72.57 грн
500+	53.70 грн
1000+	46.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.47 грн
10+	94.22 грн
100+	55.78 грн
500+	44.45 грн
1000+	41.85 грн
3000+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V

на замовлення 20076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	86.98 грн
100+	65.46 грн
500+	47.01 грн
1000+	43.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622-L701

Description: IC
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	201.80 грн
77+	169.48 грн
78+	167.78 грн
100+	131.16 грн
250+	116.94 грн
500+	98.62 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	96.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.22 грн
10+	181.58 грн
25+	179.76 грн
100+	140.53 грн
250+	125.29 грн
500+	105.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 56625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.93 грн
10+	135.83 грн
100+	83.98 грн
500+	73.06 грн
1000+	67.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

на замовлення 15451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.92 грн
10+	130.70 грн
100+	90.67 грн
500+	72.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.85 грн
10+	115.50 грн
100+	87.62 грн
500+	68.05 грн
1000+	61.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 60486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	98.93 грн
100+	79.20 грн
500+	73.06 грн
1000+	71.01 грн
3000+	61.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

на замовлення 11732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.05 грн
6000+	28.78 грн
9000+	28.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.42 грн
13+	66.11 грн
100+	51.70 грн
500+	33.88 грн
1000+	29.36 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

On Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 2,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75; Qg, нКл = 5,9 @ 10 В; Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Id2 = 9,4 А; POWER-33

на замовлення 58 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

на замовлення 11732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.52 грн
10+	71.97 грн
100+	48.38 грн
500+	35.90 грн
1000+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	65.88 грн
100+	44.79 грн
500+	35.84 грн
1000+	32.98 грн
3000+	28.54 грн
6000+	28.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244-L701

Description: FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244-L701

MOSFET FET 150V 134.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Description: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Trans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

MOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm

на замовлення 8109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	102.86 грн
100+	71.01 грн
500+	59.33 грн
1000+	58.58 грн
3000+	50.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Description: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V

на замовлення 13540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.42 грн
10+	99.26 грн
100+	77.69 грн
500+	62.03 грн
1000+	57.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	135.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

MOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET

на замовлення 4526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.14 грн
10+	154.68 грн
100+	105.14 грн
500+	94.22 грн
1000+	92.86 грн
3000+	79.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V

на замовлення 13887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.17 грн
10+	145.49 грн
100+	116.34 грн
500+	97.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.78 грн
50+	155.33 грн
100+	135.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 5741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.37 грн
10+	136.47 грн
100+	94.79 грн
500+	75.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.48 грн
10+	128.24 грн
100+	103.55 грн
500+	80.62 грн
1000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

на замовлення 69505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	85.58 грн
100+	72.37 грн
500+	71.69 грн
1000+	71.01 грн
3000+	63.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

на замовлення 3320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.55 грн
500+	80.62 грн
1000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	209.63 грн
75+	174.75 грн
76+	171.76 грн
100+	131.48 грн
250+	115.58 грн
500+	100.82 грн
1000+	82.15 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.61 грн
10+	187.23 грн
25+	184.02 грн
100+	140.87 грн
250+	123.83 грн
500+	108.02 грн
1000+	88.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 6265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.91 грн
10+	136.76 грн
100+	94.60 грн
500+	71.89 грн
1000+	66.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.62 грн
145+	89.43 грн
148+	84.81 грн
250+	77.22 грн
500+	72.86 грн
1000+	71.59 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 2792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	106.40 грн
500+	101.88 грн
1000+	96.21 грн

Мінімальне замовлення: 304

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.59 грн
10+	96.13 грн
25+	95.82 грн
100+	90.87 грн
250+	82.73 грн
500+	78.06 грн
1000+	76.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	106.40 грн
500+	101.88 грн

Мінімальне замовлення: 304

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 8326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.98 грн
10+	84.80 грн
100+	68.14 грн
1000+	65.20 грн
3000+	57.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.52 грн
10+	82.04 грн
100+	65.80 грн
500+	48.82 грн
1000+	43.70 грн
5000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V

на замовлення 6535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.92 грн
10+	103.70 грн
100+	75.16 грн
500+	56.66 грн
1000+	52.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

на замовлення 12883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	82.44 грн
100+	58.44 грн
500+	50.32 грн
1000+	49.30 грн
3000+	45.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.80 грн
500+	48.82 грн
1000+	43.70 грн
5000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.64 грн
500+	39.28 грн
1000+	34.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

на замовлення 23150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.65 грн
10+	48.99 грн
100+	32.84 грн
500+	32.29 грн
1000+	32.09 грн
3000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	84.65 грн
160+	81.31 грн
200+	64.96 грн
250+	62.02 грн
500+	38.13 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.04 грн
13+	62.93 грн
100+	45.64 грн
500+	39.28 грн
1000+	34.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V

на замовлення 19426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	73.97 грн
100+	49.70 грн
500+	36.89 грн
1000+	33.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

на замовлення 23115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.42 грн
10+	63.21 грн
100+	39.87 грн
500+	35.50 грн
1000+	32.57 грн
3000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.51 грн
10+	90.70 грн
25+	87.11 грн
100+	67.12 грн
250+	61.53 грн
500+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.94 грн
6000+	29.58 грн
9000+	29.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	120.13 грн
100+	81.25 грн
500+	67.25 грн
1000+	53.73 грн
3000+	49.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.00 грн
10+	98.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.23 грн
10+	109.14 грн
100+	75.79 грн
250+	69.64 грн
500+	62.88 грн
1000+	53.94 грн
3000+	50.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V

на замовлення 5388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	102.81 грн
100+	81.84 грн
500+	64.99 грн
1000+	55.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 7192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.21 грн
10+	58.10 грн
100+	41.58 грн
500+	39.67 грн
1000+	38.03 грн
3000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 3543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.46 грн
10+	96.89 грн
100+	65.76 грн
500+	49.23 грн
1000+	45.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.81 грн
6000+	53.56 грн
9000+	50.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.86 грн
6000+	57.38 грн
9000+	54.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.10 грн
500+	54.59 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.74 грн
10+	82.04 грн
100+	61.10 грн
500+	54.59 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench

на замовлення 9243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.38 грн
10+	109.92 грн
100+	81.93 грн
250+	78.52 грн
500+	68.96 грн
1000+	58.38 грн
3000+	54.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.63 грн
10+	122.19 грн
100+	84.03 грн
500+	63.53 грн
1000+	58.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340ET80

MOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33

на замовлення 5026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.17 грн
10+	199.43 грн
25+	170.69 грн
100+	144.06 грн
500+	131.77 грн
1000+	113.34 грн
3000+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340ET80

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.49 грн
10+	157.25 грн
100+	129.44 грн
500+	108.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340ET80

Description: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	198.34 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

FDMC86340ET80

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8651

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8651