Продукція > FDM

Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM1501-M0DB101W1KC

Код виробника: FDM1501-M0DB101W1KC Machined pin D-SUB 90°Angle Male 15Circuits (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM1501-M0DB103W1KC

Код виробника: FDM1501-M0DB103W1KC D-Sub Connectors Through Hole D-Sub Number of Positions:15 PC Pin (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM1503-F0WS101W1K

Код виробника: FDM1503-F0WS101W1K Machined pin D-SUB 15Circuits, Female, Welding, 1u`` (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM1503-F0WS103W1K

Код виробника: FDM1503-F0WS103W1K Machined pin D-SUB Female 15Circuits (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM2452NZ

05+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2502

FAIRCHIL

09+

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

QFN 0642+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 807

В кошику од. на суму грн.

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3300NZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 4158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.20 грн
10+	97.82 грн
100+	66.17 грн
500+	56.06 грн
1000+	45.67 грн
3000+	42.95 грн
6000+	40.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.03 грн
10+	91.70 грн
100+	62.25 грн
500+	46.60 грн
1000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

на замовлення 698 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM44528S9J

N/A

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

на замовлення 9587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	47.86 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

0440+ VSSOP-8

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6269

FAI

08+PB

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

FAI

09+

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

на замовлення 97900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1056+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 1056

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

на замовлення 4347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 5587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.07 грн
10+	69.42 грн
100+	55.71 грн
500+	44.91 грн
1000+	42.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

на замовлення 1286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.34 грн
10+	72.40 грн
100+	50.55 грн
500+	41.76 грн
1000+	39.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 25401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.20 грн
10+	54.61 грн
100+	36.11 грн
500+	26.44 грн
1000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.29 грн
13+	62.96 грн
100+	41.97 грн
500+	30.97 грн
1000+	25.59 грн
5000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.71 грн
6000+	26.96 грн
9000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.23 грн
6000+	20.73 грн
9000+	19.90 грн
15000+	18.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 5556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.73 грн
10+	57.49 грн
100+	33.12 грн
500+	25.94 грн
1000+	23.50 грн
3000+	19.87 грн
6000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.68 грн
6000+	28.88 грн
9000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 47254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.16 грн
10+	43.28 грн
100+	28.36 грн
500+	20.58 грн
1000+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.77 грн
500+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 46500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.89 грн
6000+	15.91 грн
9000+	15.23 грн
15000+	13.58 грн
21000+	13.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	42.30 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.62 грн
12+	73.54 грн
100+	53.77 грн
500+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

на замовлення 11536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.22 грн
10+	46.83 грн
100+	26.70 грн
500+	20.64 грн
1000+	18.69 грн
3000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 5488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1128+	19.81 грн

Мінімальне замовлення: 1128

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.52 грн
25+	34.98 грн
100+	25.14 грн
250+	18.73 грн
1000+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

FAI

07+

на замовлення 112300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

на замовлення 2069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	52.84 грн
100+	31.31 грн
500+	26.22 грн
1000+	22.31 грн
3000+	20.15 грн
6000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.45 грн
500+	21.98 грн
1000+	17.50 грн
5000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

на замовлення 8398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.19 грн
19+	43.52 грн
100+	29.45 грн
500+	21.98 грн
1000+	17.50 грн
5000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.08 грн
10+	40.25 грн
100+	22.66 грн
500+	17.43 грн
1000+	14.78 грн
3000+	13.67 грн
6000+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 3920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.54 грн
10+	38.14 грн
100+	24.82 грн
500+	17.90 грн
1000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.00 грн
17+	44.69 грн
25+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.72 грн
6000+	13.94 грн
9000+	13.33 грн
15000+	11.86 грн
21000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.37 грн
18+	45.55 грн
100+	29.77 грн
500+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.53 грн
10+	54.52 грн
100+	32.91 грн
500+	27.47 грн
1000+	23.36 грн
3000+	20.78 грн
6000+	19.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 86974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.32 грн
10+	38.75 грн
100+	25.23 грн
500+	18.21 грн
1000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.57 грн
50+	47.26 грн
100+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET

на замовлення 6856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.84 грн
10+	41.86 грн
100+	23.43 грн
500+	18.27 грн
1000+	16.18 грн
3000+	13.94 грн
6000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

593+	54.42 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 2686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.10 грн
10+	39.43 грн
100+	25.70 грн
500+	18.57 грн
1000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.16 грн
10+	50.35 грн
100+	28.87 грн
500+	22.52 грн
1000+	20.36 грн
3000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	64.89 грн
201+	64.23 грн
258+	50.15 грн
260+	47.87 грн
500+	35.56 грн

Мінімальне замовлення: 199

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 10A; 1.5W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3nC
On-state resistance: 268mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.80 грн
11+	69.52 грн
25+	68.82 грн
100+	51.81 грн
250+	47.49 грн
500+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 33356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	46.83 грн
100+	29.28 грн
500+	22.38 грн
1000+	20.50 грн
3000+	18.13 грн
6000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.71 грн
10+	51.21 грн
100+	33.67 грн
500+	24.51 грн
1000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.41 грн
50+	40.59 грн
100+	26.68 грн
500+	19.03 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

MOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

на замовлення 4007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.80 грн
10+	42.74 грн
100+	25.59 грн
500+	20.36 грн
1000+	18.62 грн
3000+	16.32 грн
6000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.68 грн
500+	19.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 4027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	40.26 грн
100+	27.67 грн
500+	20.63 грн
1000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 26430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.99 грн
10+	55.06 грн
100+	36.35 грн
500+	26.56 грн
1000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.76 грн
6000+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

на замовлення 30368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.53 грн
10+	55.97 грн
100+	33.12 грн
500+	27.68 грн
1000+	23.64 грн
3000+	21.34 грн
6000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Case: WDFN6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

на замовлення 11953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 290950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.36 грн
10+	59.01 грн
100+	38.42 грн
500+	32.63 грн
1000+	26.56 грн
3000+	24.54 грн
6000+	23.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.05 грн
16+	51.98 грн
100+	35.87 грн
500+	28.25 грн
1000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.72 грн
6000+	29.75 грн
9000+	29.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	81.96 грн
12+	64.07 грн
25+	63.43 грн
100+	49.73 грн
250+	45.96 грн
500+	38.95 грн
1000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	59.80 грн
219+	59.20 грн
269+	46.33 грн
500+	37.87 грн
1000+	24.15 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.87 грн
500+	28.25 грн
1000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.41 грн
6000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.65 грн
6000+	31.62 грн
9000+	31.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 23378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	52.50 грн
100+	36.38 грн
500+	28.52 грн
1000+	24.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

MOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 8463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.10 грн
10+	49.31 грн
100+	29.70 грн
500+	23.71 грн
1000+	21.75 грн
3000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.92 грн
6000+	21.83 грн
9000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 1294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	52.50 грн
100+	36.38 грн
500+	28.52 грн
1000+	24.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.92 грн
6000+	21.83 грн
9000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.29 грн
6000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.99 грн
14+	58.97 грн
100+	35.71 грн
500+	26.21 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 24A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.96 грн
10+	38.17 грн
100+	22.80 грн
500+	18.62 грн
1000+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 6250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.12 грн
10+	35.80 грн
100+	24.50 грн
500+	18.85 грн
1000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.71 грн
500+	26.21 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.47 грн
500+	31.50 грн
1000+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.77 грн
6000+	14.88 грн
9000+	14.24 грн
15000+	12.68 грн
21000+	12.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

819+	39.44 грн
1000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 819

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.15 грн
6000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.42 грн
6000+	29.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.97 грн
17+	49.62 грн
100+	35.47 грн
500+	31.50 грн
1000+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.05 грн
6000+	30.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.24 грн
10+	41.01 грн
100+	26.76 грн
500+	19.36 грн
1000+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.09 грн
10+	57.33 грн
100+	38.21 грн
500+	28.31 грн
1000+	28.03 грн
3000+	27.33 грн
6000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.41 грн
500+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 9506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.44 грн
50+	64.51 грн
100+	51.41 грн
500+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 5479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.15 грн
10+	75.01 грн
100+	50.16 грн
500+	37.06 грн
1000+	33.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.77 грн
10+	55.67 грн
100+	36.70 грн
500+	26.78 грн
1000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.00 грн
500+	23.11 грн
1500+	20.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

на замовлення 26065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.99 грн
10+	56.69 грн
100+	37.79 грн
500+	29.91 грн
1000+	23.92 грн
3000+	21.61 грн
6000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.09 грн
50+	44.09 грн
100+	34.00 грн
500+	23.11 грн
1500+	20.92 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 14213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	65.91 грн
100+	38.28 грн
500+	29.98 грн
1000+	27.33 грн
3000+	23.08 грн
6000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.37 грн
500+	33.76 грн
1000+	28.31 грн
5000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 1238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

929+	34.74 грн
1000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 929

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

на замовлення 5232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.17 грн
13+	63.29 грн
100+	46.37 грн
500+	33.76 грн
1000+	28.31 грн
5000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.70 грн
10+	57.93 грн
100+	38.40 грн
500+	28.18 грн
1000+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 17nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.17Ω
Case: MicroFET
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

7+	74.11 грн
11+	38.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.15 грн
11+	71.57 грн
25+	70.18 грн
100+	52.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 12063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

565+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 565

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	66.80 грн
198+	65.50 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.01 грн
500+	26.66 грн
3000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.58 грн
10+	62.78 грн
100+	42.18 грн
250+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.75 грн
14+	61.66 грн
100+	44.01 грн
500+	26.66 грн
3000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

MOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 89038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

962+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 962

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.03 грн
6000+	14.22 грн
9000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 22798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.28 грн
10+	42.98 грн
100+	33.40 грн
24000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 10130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.89 грн
10+	39.28 грн
100+	25.62 грн
500+	18.53 грн
1000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 208870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	40.41 грн
100+	21.96 грн
500+	17.57 грн
1000+	15.83 грн
3000+	12.62 грн
9000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.24 грн
10+	40.79 грн
100+	26.51 грн
500+	19.13 грн
1000+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	40.41 грн
100+	22.94 грн
500+	17.57 грн
1000+	16.18 грн
3000+	12.76 грн
6000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 14806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.94 грн
10+	66.39 грн
100+	46.78 грн
500+	38.63 грн
1000+	31.17 грн
3000+	28.03 грн
6000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.97 грн
6000+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.17 грн
50+	38.07 грн
100+	33.92 грн
500+	27.65 грн
1500+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 4056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.92 грн
500+	27.65 грн
1500+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.31 грн
10+	70.62 грн
100+	47.22 грн
500+	34.89 грн
1000+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

на замовлення 53131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.78 грн
10+	80.22 грн
100+	52.07 грн
500+	38.73 грн
1000+	34.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 17402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.41 грн
10+	68.72 грн
100+	41.76 грн
500+	33.82 грн
1000+	30.47 грн
3000+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.23 грн
6000+	32.10 грн
9000+	31.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.35 грн
10+	43.86 грн
100+	37.30 грн
500+	35.70 грн
1000+	29.77 грн
3000+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.70 грн
10+	81.80 грн
100+	63.74 грн
500+	49.42 грн
1000+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	67.51 грн
100+	45.18 грн
500+	35.70 грн
1000+	32.56 грн
3000+	28.73 грн
6000+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.21 грн
500+	36.94 грн
1000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

на замовлення 1716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.47 грн
17+	48.73 грн
100+	47.50 грн
500+	42.15 грн
1000+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 2.4A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.25 грн
10+	65.49 грн
100+	43.57 грн
500+	32.05 грн
1000+	29.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 15788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.57 грн
10+	55.25 грн
100+	34.86 грн
500+	28.03 грн
1000+	25.80 грн
3000+	22.87 грн
6000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.47 грн
6000+	23.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.00 грн
6000+	26.90 грн
9000+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 1.2 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.51 грн
10+	71.68 грн
100+	42.04 грн
500+	33.12 грн
1000+	30.19 грн
3000+	26.49 грн
6000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 12650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.17 грн
10+	68.36 грн
100+	45.70 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.78 грн
50+	68.25 грн
100+	53.12 грн
500+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.48 грн
6000+	31.62 грн
9000+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.32 грн
500+	41.24 грн
1500+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 41265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.15 грн
10+	65.71 грн
100+	51.08 грн
500+	40.63 грн
1000+	33.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

на замовлення 63647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.99 грн
10+	84.99 грн
100+	57.31 грн
500+	47.34 грн
1000+	37.79 грн
3000+	34.79 грн
6000+	32.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.27 грн
50+	61.33 грн
100+	48.32 грн
500+	41.24 грн
1500+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

MOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.92 грн
10+	69.68 грн
100+	48.04 грн
500+	44.13 грн
1000+	42.88 грн
3000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.93 грн
6000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 4358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 11447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.54 грн
36+	23.18 грн
38+	21.88 грн
100+	19.64 грн
250+	16.66 грн
500+	15.48 грн
1000+	14.29 грн
3000+	13.46 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 18194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.25 грн
10+	91.55 грн
100+	62.13 грн
500+	46.51 грн
1000+	44.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 1337705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	42.36 грн

Мінімальне замовлення: 926

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

на замовлення 234000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 527023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 31443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.81 грн
10+	42.22 грн
100+	27.53 грн
500+	19.90 грн
1000+	17.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 5171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.84 грн
10+	39.69 грн
100+	23.64 грн
500+	18.90 грн
1000+	17.08 грн
3000+	15.13 грн
6000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.09 грн
6000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 23650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.14 грн
6000+	21.52 грн
9000+	20.65 грн
15000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

на замовлення 86094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.50 грн
10+	51.32 грн
100+	35.35 грн
500+	28.24 грн
1000+	22.59 грн
3000+	18.83 грн
6000+	18.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 23804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.91 грн
10+	57.18 грн
100+	37.71 грн
500+	27.55 грн
1000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 3291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.40 грн
10+	41.69 грн
100+	27.23 грн
500+	19.72 грн
1000+	17.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

MOSFETs P-CHAN -20V -9.4A

на замовлення 4349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.49 грн
10+	65.99 грн
100+	39.11 грн
500+	31.10 грн
1000+	28.52 грн
3000+	25.03 грн
6000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	80.72 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.25 грн
10+	65.87 грн
100+	43.74 грн
500+	32.14 грн
1000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.37 грн
6000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.09 грн
10+	54.84 грн
100+	37.09 грн
500+	31.45 грн
1000+	25.59 грн
3000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.43 грн
500+	73.19 грн
1000+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.47 грн
10+	116.78 грн
100+	80.42 грн
500+	61.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.92 грн
10+	128.29 грн
100+	78.79 грн
500+	65.33 грн
1000+	58.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.49 грн
10+	132.59 грн
100+	98.43 грн
500+	73.19 грн
1000+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.49 грн
11+	79.39 грн
100+	59.06 грн
500+	47.21 грн
1000+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.70 грн
6000+	23.90 грн
9000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

на замовлення 14012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.56 грн
10+	62.14 грн
100+	37.23 грн
500+	30.12 грн
1000+	27.47 грн
3000+	24.96 грн
6000+	23.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 10662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.19 грн
10+	61.56 грн
100+	40.99 грн
500+	30.18 грн
1000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.08 грн
10+	79.96 грн
100+	61.32 грн
500+	46.74 грн
1000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.16 грн
10+	71.12 грн
100+	47.41 грн
500+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 452

В кошику од. на суму грн.

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

на замовлення 10643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 1110

В кошику од. на суму грн.

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.45 грн
10+	124.10 грн
100+	85.78 грн
500+	67.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 15582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.46 грн
10+	176.37 грн
100+	124.30 грн
500+	105.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.47 грн
10+	130.96 грн
100+	127.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	127.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

на замовлення 6351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.03 грн
10+	190.03 грн
100+	117.14 грн
500+	105.98 грн
1000+	103.19 грн
3000+	89.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 5283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.25 грн
10+	66.09 грн
100+	43.97 грн
500+	32.34 грн
1000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.55 грн
10+	61.34 грн
100+	39.67 грн
500+	32.00 грн
1000+	28.52 грн
3000+	25.10 грн
6000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 3802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.35 грн
10+	109.05 грн
100+	67.42 грн
500+	55.36 грн
1000+	53.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.10 грн
10+	122.06 грн
100+	83.80 грн
500+	63.30 грн
1000+	58.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	104.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

MOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.28 грн
10+	188.15 грн
100+	132.39 грн
500+	101.91 грн
1000+	94.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.16 грн
10+	178.94 грн
100+	125.64 грн
500+	98.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.98 грн
10+	126.08 грн
100+	108.19 грн
500+	89.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.19 грн
500+	89.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

на замовлення 2037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	121.58 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 14629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 1456

В кошику од. на суму грн.

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	14.30 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1780+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 1780

В кошику од. на суму грн.

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 1456

В кошику од. на суму грн.

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 6940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1665+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 1665

В кошику од. на суму грн.

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 32742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.44 грн
10+	50.91 грн
100+	35.40 грн
500+	26.67 грн
1000+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.16 грн
10+	54.84 грн
100+	36.19 грн
500+	28.94 грн
1000+	26.36 грн
3000+	22.52 грн
6000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.09 грн
6000+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

на замовлення 2162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.49 грн
10+	63.82 грн
100+	36.81 грн
500+	28.87 грн
1000+	24.68 грн
3000+	23.01 грн
6000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 2575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.95 грн
10+	57.63 грн
100+	44.81 грн
500+	35.65 грн
1000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 459

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.17 грн
10+	127.49 грн
25+	104.59 грн
100+	89.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	126.54 грн
5+	88.12 грн
10+	80.57 грн
50+	67.14 грн
100+	62.11 грн
250+	58.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 3127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.52 грн
10+	95.17 грн
100+	64.81 грн
500+	48.63 грн
1000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

MOSFETs -150V P-Channel QFET

на замовлення 13921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	77.94 грн
100+	53.48 грн
500+	47.55 грн
1000+	46.85 грн
3000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

P-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 3 А, Ptot, Вт = 42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. ви
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

3000+	28.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.39 грн
500+	55.52 грн
1000+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 945 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

1+	358.94 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

MOSFETs -150V P-Channel QFET

на замовлення 5573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.84 грн
10+	91.41 грн
100+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

на замовлення 1881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.51 грн
10+	89.48 грн
100+	69.39 грн
500+	55.52 грн
1000+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

ON-Semiconductor

P-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	58.92 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 42540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.53 грн
10+	128.56 грн
100+	92.55 грн
500+	74.84 грн
1000+	70.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	74.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

на замовлення 14153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.79 грн
10+	131.50 грн
100+	82.97 грн
500+	73.21 грн
1000+	69.58 грн
3000+	61.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 25839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.47 грн
10+	127.58 грн
100+	102.51 грн
500+	79.04 грн
1000+	65.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.52 грн
10+	112.25 грн
100+	84.37 грн
250+	78.09 грн
500+	70.42 грн
1000+	62.33 грн
3000+	50.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.36 грн
500+	70.25 грн
3000+	52.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.47 грн
6000+	62.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.30 грн
10+	122.02 грн
100+	94.36 грн
500+	70.25 грн
3000+	52.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.25 грн
10+	85.13 грн
100+	66.20 грн
500+	52.66 грн
1000+	42.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.90 грн
10+	166.78 грн
25+	137.36 грн
100+	116.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	65.08 грн

Мінімальне замовлення: 616

В кошику од. на суму грн.

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

349+	56.94 грн

Мінімальне замовлення: 349

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.66 грн
6000+	18.41 грн
9000+	17.65 грн
15000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET

на замовлення 9426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.35 грн
10+	45.38 грн
25+	39.39 грн
100+	29.98 грн
250+	29.84 грн
500+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	65.97 грн
197+	65.70 грн
224+	57.86 грн
250+	55.67 грн
500+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

ONS/FAI

MOSFET N-CH 100V 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.19 грн
16+	54.09 грн
100+	37.34 грн
500+	27.87 грн
1000+	22.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 15393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.58 грн
10+	49.25 грн
100+	32.41 грн
500+	23.63 грн
1000+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.44 грн
11+	70.68 грн
25+	70.40 грн
100+	59.77 грн
250+	55.22 грн
500+	42.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

MOSFETs FET 100V 1100 MOHM MLP33

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.67 грн
10+	58.69 грн
100+	35.56 грн
500+	28.52 грн
1000+	26.29 грн
3000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.93 грн
10+	54.16 грн
100+	37.66 грн
500+	28.40 грн
1000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 26946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

760+	42.47 грн
1000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.09 грн
10+	70.78 грн
100+	47.31 грн
500+	34.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 67177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.49 грн
12+	68.74 грн
100+	47.59 грн
500+	32.63 грн
1000+	27.54 грн
5000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

на замовлення 32214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.88 грн
10+	71.68 грн
100+	41.35 грн
500+	32.49 грн
1000+	29.70 грн
3000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

760+	42.47 грн
1000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.77 грн
9000+	29.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

на замовлення 67177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.59 грн
500+	32.63 грн
1000+	27.54 грн
5000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ
Код товару: 52237

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

на замовлення 23810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 4776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1191+	27.10 грн

Мінімальне замовлення: 1191

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

на замовлення 5049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	47.78 грн
1000+	45.12 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

Description: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

на замовлення 18596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	47.78 грн
1000+	45.12 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.23 грн
10+	72.81 грн
100+	48.86 грн
500+	36.21 грн
1000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ_F106

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 1232

В кошику од. на суму грн.

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

841+	26.05 грн

Мінімальне замовлення: 841

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.42 грн
10+	77.20 грн
100+	60.19 грн
500+	46.67 грн
1000+	36.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.40 грн
50+	117.14 грн
100+	100.87 грн
500+	69.87 грн
1500+	63.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 14054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.79 грн
10+	129.89 грн
100+	77.39 грн
250+	73.21 грн
500+	64.84 грн
1000+	60.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 10211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.22 грн
10+	130.82 грн
100+	90.19 грн
500+	68.37 грн
1000+	65.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	100.87 грн
500+	69.87 грн
1500+	63.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

ONS/FAI

MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.38 грн
10+	61.41 грн
100+	47.87 грн
500+	37.11 грн
1000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Power dissipation: 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-L701

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	77.22 грн
100+	57.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.10 грн
10+	113.88 грн
25+	113.33 грн
100+	99.91 грн
250+	90.23 грн
500+	80.36 грн
1000+	74.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.19 грн
500+	67.53 грн
1000+	61.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	116.76 грн
122+	106.29 грн
123+	105.77 грн
134+	93.25 грн
250+	84.22 грн
500+	75.01 грн
1000+	69.22 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 5960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.90 грн
10+	140.80 грн
100+	97.32 грн
500+	73.87 грн
1000+	68.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.19 грн
10+	87.04 грн
100+	74.19 грн
500+	67.53 грн
1000+	61.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.62 грн
10+	128.29 грн
100+	87.15 грн
250+	82.97 грн
500+	70.42 грн
1000+	64.84 грн
3000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

на замовлення 20197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

460+	45.46 грн

Мінімальне замовлення: 460

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.83 грн
10+	73.77 грн
100+	44.55 грн
500+	35.21 грн
1000+	28.73 грн
3000+	27.33 грн
6000+	27.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.06 грн
12+	66.52 грн
25+	66.04 грн
100+	54.41 грн
250+	50.27 грн
500+	42.38 грн
1000+	35.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 4933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.60 грн
10+	71.61 грн
100+	49.57 грн
500+	39.85 грн
1000+	36.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Pulsed drain current: -32A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	62.09 грн
210+	61.63 грн
246+	52.66 грн
250+	50.67 грн
500+	41.20 грн
1000+	32.96 грн

Мінімальне замовлення: 208

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ
Код товару: 130485

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.14 грн
10+	56.21 грн
100+	39.18 грн
500+	33.61 грн
1000+	32.00 грн
3000+	28.31 грн
6000+	27.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 192350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 15770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.93 грн
10+	97.61 грн
100+	65.73 грн
500+	48.42 грн
1000+	41.00 грн
5000+	39.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	55.10 грн
1000+	52.04 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

на замовлення 17969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.02 грн
10+	82.59 грн
100+	50.55 грн
500+	39.53 грн
1000+	36.95 грн
3000+	32.56 грн
6000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	55.10 грн
1000+	52.04 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.72 грн
10+	80.44 грн
100+	57.93 грн
500+	43.54 грн
1000+	40.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ-P

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 1686

В кошику од. на суму грн.

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1150+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 1150

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683_P

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.18 грн
10+	125.27 грн
100+	109.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.12 грн
10+	115.11 грн
100+	78.94 грн
500+	59.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 9964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.16 грн
1000+	54.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 10556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.16 грн
1000+	54.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 6813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.16 грн
1000+	54.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 14450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.16 грн
1000+	54.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 2761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	58.16 грн
1000+	54.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1602+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 1602

В кошику од. на суму грн.

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

на замовлення 14330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 766

В кошику од. на суму грн.

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.92 грн
10+	65.99 грн
100+	44.76 грн
500+	36.95 грн
1000+	29.21 грн
3000+	27.19 грн
9000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.68 грн
10+	43.14 грн
100+	26.01 грн
500+	21.75 грн
1000+	18.48 грн
3000+	16.25 грн
6000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.99 грн
10+	39.81 грн
100+	27.36 грн
500+	21.46 грн
1000+	19.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.39 грн
6000+	22.67 грн
9000+	22.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.20 грн
10+	51.64 грн
100+	31.10 грн
500+	24.89 грн
1000+	22.87 грн
3000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.26 грн
10+	59.14 грн
100+	39.44 грн
500+	28.88 грн
1000+	26.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.95 грн
11+	78.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 4145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.04 грн
10+	117.30 грн
100+	80.25 грн
500+	60.44 грн
1000+	55.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.15 грн
10+	104.24 грн
100+	73.91 грн
250+	68.12 грн
500+	61.64 грн
1000+	52.71 грн
3000+	48.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S
Код товару: 167040

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 6533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.16 грн
10+	178.56 грн
100+	125.29 грн
500+	96.22 грн
1000+	89.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

на замовлення 3003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.02 грн
10+	101.83 грн
100+	61.78 грн
500+	52.01 грн
1000+	48.74 грн
3000+	48.32 грн
6000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	97.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	128.12 грн
103+	126.14 грн
104+	124.25 грн
106+	117.90 грн
250+	107.40 грн
500+	101.48 грн
1000+	99.79 грн
3000+	98.09 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.27 грн
10+	135.15 грн
25+	133.12 грн
100+	126.32 грн
250+	115.07 грн
500+	108.73 грн
1000+	106.91 грн
3000+	105.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	88.64 грн

Мінімальне замовлення: 265

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

327+	98.89 грн
500+	89.00 грн
1000+	82.08 грн

Мінімальне замовлення: 327

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.28 грн
50+	109.81 грн
100+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 9518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.27 грн
10+	99.43 грн
100+	57.17 грн
500+	50.69 грн
1000+	48.95 грн
3000+	47.48 грн
6000+	42.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

327+	98.89 грн

Мінімальне замовлення: 327

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.78 грн
6000+	60.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.60 грн
6000+	56.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

7+	70.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

на замовлення 2126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.15 грн
10+	100.84 грн
100+	68.81 грн
500+	51.71 грн
1000+	50.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.66 грн
500+	95.10 грн
1000+	87.70 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 23873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.66 грн
500+	95.10 грн
1000+	87.70 грн
10000+	75.40 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.66 грн
500+	95.10 грн
1000+	87.70 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

на замовлення 8116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.39 грн
10+	100.23 грн
100+	64.15 грн
500+	52.01 грн
1000+	47.90 грн
3000+	47.83 грн
6000+	46.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	105.66 грн
500+	95.10 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.87 грн
10+	94.49 грн
100+	69.20 грн
500+	53.11 грн
1000+	48.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

590+	67.52 грн

Мінімальне замовлення: 590

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

418+	77.34 грн
500+	69.60 грн
1000+	64.19 грн

Мінімальне замовлення: 418

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

на замовлення 5686 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.73 грн
10+	89.80 грн
100+	52.92 грн
500+	41.90 грн
1000+	34.23 грн
3000+	33.61 грн
6000+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

334+	60.97 грн

Мінімальне замовлення: 334

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

418+	77.34 грн
500+	69.60 грн
1000+	64.19 грн

Мінімальне замовлення: 418

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S-TE

FDMC7660S-TE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

493+	65.57 грн
547+	59.02 грн
1000+	54.43 грн

Мінімальне замовлення: 493

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 11181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	59.14 грн
100+	46.01 грн
500+	36.60 грн
1000+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.06 грн
6000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 4181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.69 грн
10+	51.96 грн
100+	36.40 грн
500+	30.40 грн
1000+	28.94 грн
3000+	25.38 грн
6000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.04 грн
10+	55.89 грн
100+	34.51 грн
500+	27.68 грн
1000+	23.22 грн
3000+	22.03 грн
6000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.87 грн
10+	60.58 грн
100+	47.15 грн
500+	37.50 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

QFN

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.34 грн
10+	56.50 грн
100+	37.45 грн
500+	27.47 грн
1000+	25.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

на замовлення 11422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

454+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 454

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.03 грн
10+	94.04 грн
100+	63.61 грн
500+	48.19 грн
1000+	44.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2588.37 грн
10+	2209.82 грн
25+	1854.65 грн
50+	1787.71 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	49.85 грн
262+	49.35 грн
307+	42.12 грн
308+	40.42 грн
500+	32.73 грн
1000+	28.20 грн
3000+	25.96 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.10 грн
10+	51.59 грн
100+	40.09 грн
500+	31.89 грн
1000+	25.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.96 грн
14+	53.41 грн
25+	52.87 грн
100+	43.52 грн
250+	40.09 грн
500+	33.66 грн
1000+	30.21 грн
3000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692
Код товару: 116194

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 37139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.82 грн
10+	55.73 грн
100+	37.72 грн
500+	31.93 грн
1000+	26.01 грн
3000+	24.54 грн
6000+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.69 грн
15+	58.00 грн
100+	41.00 грн
500+	30.59 грн
1000+	25.94 грн
5000+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 76828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.12 грн
10+	38.97 грн
100+	25.31 грн
500+	19.87 грн
1000+	15.41 грн
3000+	11.92 грн
6000+	11.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.26 грн
10+	47.06 грн
100+	35.14 грн
500+	25.91 грн
1000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.20 грн
6000+	18.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

QFN

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.50 грн
500+	37.09 грн
1000+	31.24 грн
5000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.73 грн
10+	51.40 грн
100+	36.60 грн
500+	30.75 грн
1000+	28.03 грн
3000+	24.33 грн
6000+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

на замовлення 6212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.49 грн
14+	62.47 грн
100+	47.50 грн
500+	37.09 грн
1000+	31.24 грн
5000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

QFN

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.17 грн
10+	68.43 грн
100+	45.61 грн
500+	33.61 грн
1000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	85.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	91.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	104.36 грн
139+	93.13 грн
140+	92.39 грн
146+	85.78 грн
250+	76.36 грн
500+	70.37 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.84 грн
10+	101.83 грн
100+	73.21 грн
500+	63.45 грн
1000+	54.38 грн
3000+	51.60 грн
6000+	49.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.67 грн
500+	71.68 грн
1000+	61.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.32 грн
6000+	45.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.14 грн
500+	99.71 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.82 грн
10+	99.78 грн
25+	98.99 грн
100+	91.91 грн
250+	81.82 грн
500+	75.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 9885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.14 грн
500+	99.71 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.50 грн
10+	105.84 грн
100+	65.33 грн
500+	52.08 грн
1000+	50.34 грн
3000+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.62 грн
10+	115.51 грн
100+	88.67 грн
500+	71.68 грн
1000+	61.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 18208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.14 грн
500+	99.71 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.08 грн
10+	103.56 грн
100+	70.79 грн
500+	53.27 грн
1000+	52.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Kind of channel: enhancement
Case: Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	118.81 грн

Мінімальне замовлення: 170

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

FDMC8010A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

276+	117.23 грн
500+	111.86 грн
1000+	106.05 грн

Мінімальне замовлення: 276

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.48 грн
6000+	30.42 грн
9000+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	50.28 грн
1000+	47.49 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 1.89mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 99A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 788A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	50.28 грн
1000+	47.49 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 9546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.76 грн
10+	67.53 грн
100+	46.67 грн
500+	37.90 грн
1000+	34.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

на замовлення 10099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.36 грн
10+	76.09 грн
100+	51.39 грн
500+	43.58 грн
1000+	34.09 грн
3000+	33.40 грн
6000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.56 грн
25+	74.40 грн
100+	70.61 грн
250+	64.34 грн
500+	60.77 грн
1000+	59.77 грн
3000+	58.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 43049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	126.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	90.86 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	57.21 грн
229+	56.40 грн
276+	46.90 грн
278+	44.77 грн
500+	37.44 грн
1000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.85 грн
10+	54.84 грн
100+	31.52 грн
500+	24.61 грн
1000+	22.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	58.16 грн
100+	45.27 грн
500+	36.01 грн
1000+	29.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 24W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.60 грн
13+	61.30 грн
25+	60.43 грн
100+	48.46 грн
250+	44.42 грн
500+	38.51 грн
1000+	31.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.37 грн
10+	60.06 грн
100+	41.00 грн
500+	36.60 грн
1000+	29.77 грн
3000+	27.40 грн
6000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.52 грн
10+	95.40 грн
100+	64.91 грн
500+	48.68 грн
1000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 8259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	78.78 грн
100+	61.33 грн
500+	48.78 грн
1000+	39.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 32195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.11 грн
50+	97.61 грн
100+	67.27 грн
500+	52.95 грн
1500+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.03 грн
14+	55.07 грн
25+	54.47 грн
100+	45.01 грн
500+	36.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

MOSFETs FPS

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.47 грн
10+	86.60 грн
100+	52.22 грн
500+	44.27 грн
1000+	40.16 грн
3000+	34.09 грн
6000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.40 грн
6000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

на замовлення 32195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.27 грн
500+	52.95 грн
1500+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	50.83 грн
297+	43.56 грн
500+	38.25 грн

Мінімальне замовлення: 254

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

MOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

626+	51.62 грн
1000+	47.61 грн
10000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 626

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 11970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.87 грн
10+	60.50 грн
100+	47.04 грн
500+	37.42 грн
1000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 606000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

793+	49.62 грн

Мінімальне замовлення: 793

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

MMOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

338+	38.28 грн
343+	37.70 грн
348+	37.10 грн
354+	35.21 грн
360+	32.07 грн
500+	30.28 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 338

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.75 грн
6000+	29.12 грн
9000+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 605000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

626+	51.62 грн
1000+	47.61 грн
10000+	42.45 грн
100000+	34.29 грн

Мінімальне замовлення: 626

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.02 грн
25+	40.39 грн
50+	38.33 грн
100+	34.93 грн
250+	32.99 грн
500+	32.45 грн
1000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 40013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.49 грн
10+	248.36 грн
100+	177.27 грн
500+	137.92 грн
1000+	129.71 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	333.51 грн
10+	246.16 грн
25+	190.35 грн
100+	165.94 грн
250+	152.69 грн
500+	143.63 грн
1000+	132.47 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	143.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

583+	38.30 грн

Мінімальне замовлення: 583

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

на замовлення 5884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.85 грн
10+	71.20 грн
100+	44.48 грн
500+	35.98 грн
1000+	31.58 грн
3000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	81.17 грн
161+	80.35 грн
200+	64.53 грн
250+	61.64 грн
500+	38.57 грн
1000+	36.55 грн
3000+	33.71 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.01 грн
10+	86.96 грн
25+	86.09 грн
100+	66.67 грн
250+	61.15 грн
500+	39.68 грн
1000+	39.16 грн
3000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	59.22 грн
220+	58.92 грн
251+	51.48 грн
253+	49.35 грн
500+	41.07 грн
1000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 218

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 10742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.56 грн
10+	81.20 грн
100+	54.51 грн
500+	40.40 грн
1000+	36.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.01 грн
6000+	32.32 грн
9000+	32.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.41 грн
12+	63.45 грн
25+	63.13 грн
100+	53.19 грн
250+	48.96 грн
500+	42.24 грн
1000+	37.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 7335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.99 грн
10+	68.48 грн
100+	43.16 грн
500+	34.93 грн
1000+	32.49 грн
3000+	30.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 187651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Fairchild

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

712+	55.31 грн

Мінімальне замовлення: 712

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 19700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.59 грн
10+	156.36 грн
100+	94.82 грн
250+	94.13 грн
500+	77.39 грн
1000+	71.82 грн
3000+	71.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	233.33 грн
62+	209.82 грн
64+	203.78 грн
100+	187.21 грн
250+	155.86 грн
500+	145.48 грн
1000+	126.58 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 6089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.99 грн
10+	80.22 грн
100+	54.09 грн
500+	40.25 грн
1000+	37.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	250.00 грн
10+	224.81 грн
25+	218.33 грн
100+	200.58 грн
250+	167.00 грн
500+	155.87 грн
1000+	135.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.58 грн
10+	125.92 грн
25+	124.66 грн
100+	107.31 грн
250+	97.10 грн
500+	86.56 грн
1000+	77.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	128.40 грн
110+	117.53 грн
111+	116.35 грн
125+	100.15 грн
250+	90.62 грн
500+	80.79 грн
1000+	71.95 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 56W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

MOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 3114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.05 грн
10+	109.85 грн
100+	77.39 грн
250+	76.70 грн
500+	68.89 грн
1000+	65.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 54231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.11 грн
10+	105.82 грн
100+	85.94 грн
500+	73.57 грн
1000+	67.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	51.11 грн
1000+	50.56 грн
3000+	46.93 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.29 грн
50+	62.80 грн
100+	44.82 грн
500+	40.26 грн
1500+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 7522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.77 грн
10+	55.74 грн
100+	36.93 грн
500+	27.05 грн
1000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 51913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	70.00 грн
100+	47.41 грн
500+	36.12 грн
1000+	34.44 грн
3000+	29.21 грн
6000+	29.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 2797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

697+	46.33 грн
1000+	43.74 грн

Мінімальне замовлення: 697

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.82 грн
500+	40.26 грн
1500+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.70 грн
10+	108.77 грн
100+	74.08 грн
500+	55.62 грн
1000+	51.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

на замовлення 3453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.33 грн
10+	119.47 грн
100+	73.91 грн
500+	61.15 грн
1000+	59.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.23 грн
10+	128.33 грн
100+	89.24 грн
500+	68.11 грн
1000+	62.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.98 грн
10+	102.63 грн
100+	64.63 грн
500+	49.92 грн
1000+	44.07 грн
3000+	43.16 грн
6000+	40.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.48 грн
10+	91.77 грн
100+	63.49 грн
500+	46.66 грн
1000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 7338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.01 грн
10+	139.52 грн
100+	97.61 грн
250+	94.13 грн
500+	82.97 грн
1000+	71.12 грн
3000+	67.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.05 грн
10+	152.93 грн
100+	106.56 грн
500+	80.07 грн
1000+	68.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 12468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.99 грн
10+	80.22 грн
100+	53.92 грн
500+	40.03 грн
1000+	36.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.56 грн
500+	80.07 грн
1000+	68.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.42 грн
6000+	30.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 14550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.72 грн
10+	81.20 грн
100+	57.38 грн
500+	43.91 грн
1000+	40.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

FAIRCHID

на замовлення 6034 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.11 грн
10+	101.03 грн
100+	59.82 грн
500+	47.69 грн
1000+	43.79 грн
3000+	39.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	33.94 грн
23+	32.93 грн
25+	32.87 грн
100+	30.09 грн
250+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

976+	40.67 грн

Мінімальне замовлення: 976

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.38 грн
10+	116.26 грн
100+	73.91 грн
500+	66.52 грн
1000+	59.47 грн
3000+	58.99 грн
6000+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.22 грн
500+	178.54 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 14309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.22 грн
500+	178.54 грн
1000+	167.79 грн
10000+	152.46 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.12 грн
10+	89.84 грн
25+	88.94 грн
100+	84.04 грн
250+	77.62 грн
500+	73.77 грн
1000+	63.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.61 грн
10+	118.59 грн
100+	81.70 грн
500+	63.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.22 грн
500+	178.54 грн
1000+	167.79 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	188.22 грн
500+	178.54 грн
1000+	167.79 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	83.85 грн
156+	83.01 грн
159+	81.35 грн
250+	78.24 грн
500+	71.72 грн
1000+	59.30 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.14 грн
10+	130.96 грн
100+	97.61 грн
500+	75.53 грн
1000+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.76 грн
10+	124.28 грн
100+	81.58 грн
500+	70.42 грн
1000+	64.63 грн
3000+	59.33 грн
6000+	59.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.59 грн
10+	125.99 грн
100+	87.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	86.62 грн
6000+	83.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.77 грн
6000+	84.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.86 грн
500+	47.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	106.16 грн
124+	104.76 грн
159+	81.62 грн
250+	75.01 грн
500+	47.42 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

на замовлення 8351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.24 грн
50+	87.04 грн
100+	74.10 грн
500+	47.51 грн
1500+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.02 грн
10+	98.65 грн
100+	66.97 грн
500+	50.14 грн
1000+	46.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.40 грн
10+	113.74 грн
25+	112.24 грн
100+	84.33 грн
250+	74.41 грн
500+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Case: MLP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.52 грн
10+	93.01 грн
100+	55.57 грн
500+	46.30 грн
1000+	43.37 грн
3000+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.61 грн
10+	118.21 грн
100+	81.12 грн
500+	61.23 грн
1000+	57.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	98.84 грн
145+	89.06 грн
152+	85.46 грн
165+	75.45 грн
250+	67.54 грн
500+	59.58 грн
1000+	57.90 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 12329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.60 грн
500+	62.84 грн
1500+	56.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.11 грн
6000+	69.72 грн
9000+	67.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 17986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.11 грн
10+	67.27 грн
100+	52.64 грн
500+	50.83 грн
1000+	50.34 грн
3000+	45.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	105.90 грн
10+	95.43 грн
25+	91.56 грн
100+	80.83 грн
250+	72.37 грн
500+	63.84 грн
1000+	62.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 12329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.06 грн
50+	116.32 грн
100+	84.60 грн
500+	62.84 грн
1500+	56.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.62 грн
6000+	58.61 грн
9000+	56.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86106LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86106LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33

на замовлення 199808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.36 грн
50+	63.69 грн
100+	44.41 грн
500+	33.23 грн
1500+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.06 грн
6000+	30.69 грн
9000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

на замовлення 16990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.91 грн
6000+	25.00 грн
9000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.14 грн
6000+	36.51 грн
9000+	35.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.32 грн
15+	52.47 грн
25+	51.95 грн
100+	44.06 грн
250+	40.28 грн
500+	30.71 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

на замовлення 8281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.41 грн
500+	33.23 грн
1500+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	48.98 грн
267+	48.49 грн
303+	42.64 грн
307+	40.60 грн
500+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET

на замовлення 14357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.92 грн
10+	68.64 грн
100+	41.62 грн
500+	33.19 грн
1000+	29.84 грн
3000+	26.49 грн
6000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

на замовлення 17602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.11 грн
10+	63.98 грн
100+	42.70 грн
500+	31.49 грн
1000+	28.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

на замовлення 2379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.61 грн
10+	118.13 грн
100+	81.01 грн
500+	61.13 грн
1000+	57.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 174000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	94.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.09 грн
10+	115.04 грн
100+	95.32 грн
500+	74.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P
Код товару: 183309

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet

на замовлення 42851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.43 грн
10+	75.13 грн
100+	55.43 грн
500+	49.02 грн
1000+	48.04 грн
3000+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	114.83 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

FDMC86139P

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	88.28 грн

Мінімальне замовлення: 201

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 14459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.67 грн
10+	148.80 грн
100+	103.45 грн
500+	78.90 грн
1000+	77.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	204.17 грн
10+	148.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

на замовлення 44525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.62 грн
10+	111.45 грн
25+	96.22 грн
100+	84.37 грн
250+	79.48 грн
500+	73.91 грн
3000+	69.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	114.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160

MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33

на замовлення 2174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.95 грн
500+	94.42 грн
1000+	85.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 6292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.51 грн
10+	147.53 грн
100+	92.04 грн
500+	77.39 грн
1000+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 27583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.73 грн
10+	153.48 грн
100+	106.76 грн
500+	81.46 грн
1000+	75.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.26 грн
10+	149.67 грн
100+	117.95 грн
500+	94.42 грн
1000+	85.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.61 грн
10+	157.96 грн
100+	101.80 грн
500+	88.55 грн
1000+	81.58 грн
3000+	76.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86160ET100

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	80.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

Description: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.73 грн
10+	105.75 грн
100+	79.47 грн
500+	50.53 грн
3000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V

на замовлення 11956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.45 грн
10+	97.97 грн
100+	66.58 грн
500+	49.87 грн
1000+	45.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.47 грн
500+	50.53 грн
3000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86183

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 31904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.37 грн
10+	122.68 грн
100+	87.85 грн
250+	80.88 грн
500+	73.91 грн
1000+	63.03 грн
3000+	59.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 4851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	100.05 грн
500+	77.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

на замовлення 630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V

на замовлення 8842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.47 грн
10+	119.34 грн
100+	82.25 грн
500+	62.30 грн
1000+	57.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86184

Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.19 грн
10+	144.79 грн
100+	100.05 грн
500+	77.04 грн
1000+	67.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.73 грн
10+	108.19 грн
100+	74.10 грн
500+	54.84 грн
1000+	47.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.10 грн
6000+	41.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.08 грн
10+	96.22 грн
100+	56.96 грн
500+	45.39 грн
1000+	42.74 грн
3000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.95 грн
500+	61.64 грн
1000+	46.44 грн
3000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V

на замовлення 20076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.50 грн
10+	88.83 грн
100+	66.85 грн
500+	48.01 грн
1000+	44.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8622-L701

Description: IC
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 40W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WDFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 97mΩ
Power dissipation: 40W
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	66.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.52 грн
10+	117.95 грн
100+	89.48 грн
500+	69.49 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	201.34 грн
77+	169.09 грн
78+	167.40 грн
100+	130.86 грн
250+	116.67 грн
500+	98.39 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 60486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.35 грн
10+	101.03 грн
100+	80.88 грн
500+	74.60 грн
1000+	72.51 грн
3000+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	96.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.72 грн
10+	181.17 грн
25+	179.36 грн
100+	140.21 грн
250+	125.01 грн
500+	105.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

на замовлення 15451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.35 грн
10+	133.47 грн
100+	92.59 грн
500+	73.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 56625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.17 грн
10+	138.71 грн
100+	85.76 грн
500+	74.60 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.92 грн
10+	67.27 грн
100+	45.74 грн
500+	36.60 грн
1000+	33.68 грн
3000+	29.14 грн
6000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Група товару: Транзистори Корпус
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 52 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

3000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.37 грн
6000+	29.96 грн
9000+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 9.4A; Idm: 12A; 26W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WDFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.9nC
On-state resistance: 254mΩ
Power dissipation: 26W
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

5+	68.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

на замовлення 12332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.36 грн
10+	74.93 грн
100+	50.37 грн
500+	37.38 грн
1000+	34.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244

Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.29 грн
13+	67.52 грн
100+	52.79 грн
500+	34.59 грн
1000+	29.98 грн
5000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244-L701

Description: FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86244-L701

MOSFET FET 150V 134.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Description: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

MOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm

на замовлення 8109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.28 грн
10+	105.04 грн
100+	72.51 грн
500+	60.59 грн
1000+	59.82 грн
3000+	51.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; Idm: 15A; 36W; Power33
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 183mΩ
Power dissipation: 36W
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Trans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86248

Description: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V

на замовлення 13540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.27 грн
10+	101.37 грн
100+	79.33 грн
500+	63.34 грн
1000+	58.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	92.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

MOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET

на замовлення 4526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.36 грн
10+	157.96 грн
100+	107.37 грн
500+	96.22 грн
1000+	94.82 грн
3000+	80.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.79 грн
50+	158.62 грн
100+	138.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

MOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.28 грн
10+	190.03 грн
100+	128.99 грн
500+	108.07 грн
1000+	100.40 грн
3000+	93.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V

на замовлення 15158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.01 грн
10+	184.15 грн
100+	129.48 грн
500+	102.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86259P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -13A
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 178mΩ
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Fairchild/ON Semiconductor

MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

на замовлення 61727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.92 грн
10+	136.31 грн
100+	82.97 грн
500+	70.42 грн
1000+	68.33 грн
3000+	67.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: Power-33-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 37 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

3000+	103.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 5741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.98 грн
10+	139.36 грн
100+	96.80 грн
500+	77.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.10 грн
10+	186.80 грн
25+	183.61 грн
100+	140.55 грн
250+	123.55 грн
500+	107.78 грн
1000+	87.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.75 грн
500+	82.33 грн
1000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

на замовлення 69505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.68 грн
10+	87.40 грн
100+	73.91 грн
500+	73.21 грн
1000+	72.51 грн
3000+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

на замовлення 3320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.01 грн
10+	130.96 грн
100+	105.75 грн
500+	82.33 грн
1000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	209.16 грн
75+	174.35 грн
76+	171.37 грн
100+	131.18 грн
250+	115.31 грн
500+	100.59 грн
1000+	81.97 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	106.16 грн
500+	101.64 грн

Мінімальне замовлення: 304

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 6979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.52 грн
10+	151.54 грн
100+	92.04 грн
500+	75.30 грн
1000+	73.21 грн
3000+	68.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 6265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.55 грн
10+	139.66 грн
100+	96.61 грн
500+	73.41 грн
1000+	67.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.39 грн
145+	89.23 грн
148+	84.62 грн
250+	77.04 грн
500+	72.69 грн
1000+	71.43 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; Idm: 116A; 65W; Power33
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 116A
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 2792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	106.16 грн
500+	101.64 грн
1000+	95.99 грн

Мінімальне замовлення: 304

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.35 грн
10+	95.91 грн
25+	95.60 грн
100+	90.67 грн
250+	82.54 грн
500+	77.88 грн
1000+	76.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V

на замовлення 6535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.23 грн
10+	105.90 грн
100+	76.75 грн
500+	57.86 грн
1000+	53.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.19 грн
500+	49.85 грн
1000+	44.62 грн
5000+	42.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

на замовлення 12883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.19 грн
10+	84.19 грн
100+	59.68 грн
500+	51.39 грн
1000+	50.34 грн
3000+	46.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86261P

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.88 грн
10+	83.78 грн
100+	67.19 грн
500+	49.85 грн
1000+	44.62 грн
5000+	42.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.25 грн
10+	90.49 грн
25+	86.92 грн
100+	66.97 грн
250+	61.39 грн
500+	39.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.64 грн
6000+	30.21 грн
9000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.78 грн
13+	64.26 грн
100+	46.61 грн
500+	40.11 грн
1000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

на замовлення 23115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.07 грн
10+	64.55 грн
100+	40.72 грн
500+	36.26 грн
1000+	33.26 грн
3000+	29.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	84.46 грн
160+	81.12 грн
200+	64.82 грн
250+	61.88 грн
500+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V

на замовлення 19426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.15 грн
10+	75.53 грн
100+	50.76 грн
500+	37.67 грн
1000+	34.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.61 грн
500+	40.11 грн
1000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86262P

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

на замовлення 23150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.96 грн
10+	50.03 грн
100+	33.54 грн
500+	32.98 грн
1000+	32.77 грн
3000+	29.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.28 грн
10+	122.68 грн
100+	82.97 грн
500+	68.68 грн
1000+	54.87 грн
3000+	50.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.37 грн
10+	100.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86265P

MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V

на замовлення 5388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.78 грн
10+	104.99 грн
100+	83.57 грн
500+	66.36 грн
1000+	56.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.03 грн
10+	111.45 грн
100+	77.39 грн
250+	71.12 грн
500+	64.22 грн
1000+	55.08 грн
3000+	51.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86320

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.73 грн
6000+	57.25 грн
9000+	54.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 3543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.80 грн
10+	98.95 грн
100+	67.16 грн
500+	50.27 грн
1000+	46.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86324