Продукція > FDM

Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM2452NZ

05+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2502

FAIRCHIL

09+

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

QFN 0642+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	27.57 грн

Мінімальне замовлення: 807

В кошику од. на суму грн.

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3300NZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 65597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.98 грн
10+	98.32 грн
100+	67.15 грн
500+	50.89 грн
1000+	46.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 4158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.89 грн
10+	103.22 грн
100+	69.82 грн
500+	59.15 грн
1000+	48.19 грн
3000+	45.32 грн
6000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

FDM3622 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.90 грн
6000+	43.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDM44528S9J

N/A

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

FDM47-06KC5 THT N channel transistors

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2055.31 грн
2+	1943.12 грн

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM47-06KC5

MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

0440+ VSSOP-8

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

на замовлення 9587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

FDM606P

VSSOP-8 0440+

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6269

FAI

08+PB

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

05+ QFN

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

FAI

09+

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDM7W2SPM-K1468

FCT Group

FCT D-Sub, 7W2 Receptacle/7W2 Plug

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

на замовлення 4347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

на замовлення 97900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1056+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 1056

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

на замовлення 1836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.59 грн
10+	87.99 грн
100+	58.05 грн
250+	57.97 грн
500+	51.28 грн
1000+	49.22 грн
3000+	46.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 11587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.06 грн
10+	93.19 грн
100+	71.60 грн
500+	54.30 грн
1000+	49.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.98 грн
6000+	23.19 грн
9000+	22.26 грн
15000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.19 грн
6000+	25.48 грн
9000+	24.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

FDMA1023PZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 31331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	61.08 грн
100+	40.39 грн
500+	29.57 грн
1000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.31 грн
6000+	23.66 грн
9000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 6952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.89 грн
10+	58.55 грн
100+	36.56 грн
500+	30.53 грн
1000+	26.04 грн
3000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.96 грн
14+	60.08 грн
100+	40.69 грн
500+	29.89 грн
1000+	25.25 грн
5000+	22.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1023PZ-F106

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.87 грн
6000+	38.23 грн
9000+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.55 грн
500+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	97.07 грн
10+	79.56 грн
25+	74.37 грн
100+	58.17 грн
250+	52.64 грн
500+	43.03 грн
1000+	34.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	42.75 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	74.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.93 грн
12+	74.61 грн
100+	54.55 грн
500+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 2663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.04 грн
10+	88.51 грн
100+	59.58 грн
500+	44.31 грн
1000+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.28 грн
6000+	41.49 грн
9000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

на замовлення 6878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.88 грн
10+	81.81 грн
25+	68.12 грн
100+	49.58 грн
250+	49.00 грн
500+	40.32 грн
1000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA1024NZ

FDMA1024NZ SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1128+	20.10 грн

Мінімальне замовлення: 1128

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 5488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.30 грн
25+	35.49 грн
100+	25.50 грн
250+	19.01 грн
1000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

на замовлення 2069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.86 грн
10+	55.75 грн
100+	33.03 грн
500+	27.66 грн
1000+	23.54 грн
3000+	21.26 грн
6000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

FAI

07+

на замовлення 112300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

FDMA1027P Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 15163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	68.20 грн
100+	45.34 грн
500+	33.34 грн
1000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.97 грн
17+	36.62 грн
25+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

FDMA1028NZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.44 грн
6000+	26.33 грн
9000+	25.31 грн
15000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 23983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	58.97 грн
100+	39.87 грн
500+	33.77 грн
1000+	27.51 грн
3000+	25.90 грн
6000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ

на замовлення 12713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ-F021

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.49 грн
15+	56.28 грн
100+	35.57 грн
500+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 8048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	58.01 грн
100+	38.28 грн
500+	27.96 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.50 грн
6000+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.57 грн
500+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.03 грн
10+	57.53 грн
100+	34.72 грн
500+	28.99 грн
1000+	24.65 грн
3000+	21.92 грн
6000+	20.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA1029PZ

FDMA1029PZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

FDMA1032CZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.02 грн
50+	75.76 грн
100+	50.92 грн
500+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET

на замовлення 15918 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.82 грн
10+	64.13 грн
100+	43.41 грн
500+	36.71 грн
1000+	29.94 грн
3000+	28.10 грн
6000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 22424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.60 грн
10+	69.89 грн
100+	46.60 грн
500+	34.36 грн
1000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.44 грн
6000+	27.25 грн
9000+	26.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.92 грн
500+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

593+	51.45 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 33356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	49.41 грн
100+	30.90 грн
500+	23.62 грн
1000+	21.63 грн
3000+	19.13 грн
6000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 298082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.95 грн
10+	52.03 грн
100+	34.18 грн
500+	23.99 грн
1000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	61.34 грн
201+	60.72 грн
258+	47.40 грн
260+	45.26 грн
500+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 199

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 297000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.35 грн
6000+	19.17 грн
9000+	18.45 грн
15000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

FDMA2002NZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	64.56 грн
11+	56.96 грн
25+	56.38 грн
100+	42.45 грн
250+	38.91 грн
500+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.77 грн
50+	39.61 грн
100+	30.45 грн
500+	20.54 грн
1500+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

FDMA291P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 4027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.87 грн
10+	40.85 грн
100+	28.07 грн
500+	20.93 грн
1000+	19.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.45 грн
500+	20.54 грн
1500+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

MOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

на замовлення 4007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.26 грн
10+	45.09 грн
100+	27.00 грн
500+	21.48 грн
1000+	19.64 грн
3000+	17.21 грн
6000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 16500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.96 грн
6000+	21.37 грн
9000+	20.54 грн
15000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: WDFN6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

на замовлення 30368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.03 грн
10+	59.05 грн
100+	34.94 грн
500+	29.21 грн
1000+	24.94 грн
3000+	22.51 грн
6000+	20.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 17490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	56.71 грн
100+	37.40 грн
500+	27.33 грн
1000+	24.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3023PZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

на замовлення 11953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	56.53 грн
219+	55.96 грн
269+	43.80 грн
500+	35.80 грн
1000+	22.83 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

на замовлення 2051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.01 грн
16+	52.74 грн
100+	36.40 грн
500+	28.66 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.20 грн
6000+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.75 грн
6000+	25.91 грн
9000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

FDMA410NZ SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.04 грн
6000+	28.12 грн
9000+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 290950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	62.27 грн
100+	40.54 грн
500+	34.43 грн
1000+	28.03 грн
3000+	25.90 грн
6000+	25.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.40 грн
500+	28.66 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.15 грн
12+	52.49 грн
25+	51.96 грн
100+	40.74 грн
250+	37.66 грн
500+	31.91 грн
1000+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 1294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 23378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.66 грн
10+	53.26 грн
100+	36.91 грн
500+	28.94 грн
1000+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.27 грн
6000+	22.14 грн
9000+	20.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT

MOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 8463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.19 грн
10+	52.03 грн
100+	31.34 грн
500+	25.01 грн
1000+	22.95 грн
3000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.66 грн
10+	53.26 грн
100+	36.91 грн
500+	28.94 грн
1000+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.27 грн
6000+	22.14 грн
9000+	20.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.23 грн
500+	26.59 грн
1000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

на замовлення 5077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	56.43 грн
100+	32.59 грн
500+	25.38 грн
1000+	23.10 грн
3000+	20.01 грн
6000+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.36 грн
6000+	19.02 грн
9000+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.14 грн
14+	59.83 грн
100+	36.23 грн
500+	26.59 грн
1000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 12250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.64 грн
10+	48.89 грн
100+	33.38 грн
500+	24.45 грн
1000+	22.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 29223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.64 грн
500+	24.52 грн
1000+	18.39 грн
5000+	18.32 грн
10000+	18.25 грн
25000+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

FDMA430NZ SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

на замовлення 101341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.16 грн
10+	60.07 грн
100+	41.20 грн
500+	33.84 грн
1000+	27.00 грн
3000+	21.92 грн
6000+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.46 грн
6000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.59 грн
6000+	25.78 грн
9000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

на замовлення 29223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.96 грн
15+	57.93 грн
100+	36.64 грн
500+	24.52 грн
1000+	18.39 грн
5000+	18.32 грн
10000+	18.25 грн
25000+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

на замовлення 18773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.60 грн
10+	64.53 грн
100+	49.49 грн
500+	36.72 грн
1000+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 5479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	76.10 грн
100+	50.89 грн
500+	37.60 грн
1000+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.16 грн
500+	35.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.02 грн
10+	60.49 грн
100+	40.32 грн
500+	29.87 грн
1000+	29.57 грн
3000+	28.84 грн
6000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.57 грн
50+	65.45 грн
100+	52.16 грн
500+	35.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

FDMA507PZ SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 9506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.88 грн
50+	44.73 грн
100+	34.50 грн
500+	23.45 грн
1500+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

на замовлення 26065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.58 грн
10+	59.81 грн
100+	39.87 грн
500+	31.56 грн
1000+	25.23 грн
3000+	22.81 грн
6000+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.11 грн
10+	56.48 грн
100+	37.24 грн
500+	27.17 грн
1000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.50 грн
500+	23.45 грн
1500+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA510PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

FDMA530PZ SMD P channel transistors

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	106.96 грн
27+	40.00 грн
74+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 6390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	62.23 грн
100+	41.60 грн
500+	30.53 грн
1000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.68 грн
500+	32.72 грн
1000+	28.30 грн
5000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 14213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.43 грн
10+	69.54 грн
100+	40.39 грн
500+	31.63 грн
1000+	28.84 грн
3000+	24.35 грн
6000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 6262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.90 грн
6000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

929+	32.85 грн
1000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 929

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

на замовлення 7578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.61 грн
15+	58.10 грн
100+	41.68 грн
500+	32.72 грн
1000+	28.30 грн
5000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	65.67 грн
11+	58.63 грн
25+	57.49 грн
100+	43.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.28 грн
10+	48.28 грн
100+	37.52 грн
500+	29.85 грн
1000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.65 грн
500+	27.05 грн
3000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	63.14 грн
198+	61.92 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

FDMA6023PZT Multi channel transistors

на замовлення 306 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	92.10 грн
31+	35.40 грн
84+	33.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.33 грн
6000+	23.23 грн
9000+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.53 грн
10+	66.24 грн
100+	44.51 грн
250+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 88530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

792+	27.92 грн

Мінімальне замовлення: 792

В кошику од. на суму грн.

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.79 грн
14+	62.56 грн
100+	44.65 грн
500+	27.05 грн
3000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

MOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 89038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

962+	23.00 грн

Мінімальне замовлення: 962

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7628

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

FDMA7630 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 3149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	81.23 грн
100+	57.08 грн
500+	45.40 грн
1000+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	87.99 грн
100+	53.56 грн
500+	43.63 грн
1000+	40.32 грн
3000+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 208870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 7388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.15 грн
10+	75.94 грн
100+	50.82 грн
500+	37.59 грн
1000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.42 грн
6000+	30.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	68.36 грн
25+	58.78 грн
100+	42.01 грн
250+	41.57 грн
500+	35.17 грн
1000+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA7672

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 4056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.98 грн
10+	71.65 грн
100+	47.91 грн
500+	35.40 грн
1000+	32.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.76 грн
50+	62.80 грн
100+	49.76 грн
500+	40.69 грн
1500+	32.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

FDMA8051L SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.42 грн
6000+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 14806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.40 грн
10+	70.05 грн
100+	49.36 грн
500+	40.76 грн
1000+	32.88 грн
3000+	29.57 грн
6000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.00 грн
500+	35.25 грн
1500+	29.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA8051L

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

FDMA86108LZ SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

на замовлення 53131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.70 грн
10+	81.38 грн
100+	52.83 грн
500+	39.29 грн
1000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.74 грн
6000+	32.57 грн
9000+	32.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.41 грн
10+	69.71 грн
100+	44.36 грн
500+	35.83 грн
1000+	33.11 грн
3000+	31.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.93 грн
500+	37.47 грн
1000+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.09 грн
10+	82.99 грн
100+	64.67 грн
500+	50.14 грн
1000+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

FDMA86151L SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.26 грн
12+	74.11 грн
100+	51.00 грн
500+	38.32 грн
1000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 17701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.87 грн
10+	61.34 грн
100+	38.62 грн
500+	31.05 грн
1000+	28.62 грн
3000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.06 грн
6000+	25.73 грн
9000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

FDMA86251 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.64 грн
10+	53.41 грн
100+	41.57 грн
500+	33.06 грн
1000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.49 грн
500+	36.25 грн
1500+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.51 грн
6000+	29.14 грн
9000+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.16 грн
10+	77.16 грн
100+	45.91 грн
500+	36.64 грн
1000+	33.55 грн
3000+	29.65 грн
6000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.04 грн
50+	66.85 грн
100+	52.49 грн
500+	36.25 грн
1500+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

FDMA86265P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 13491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.96 грн
10+	74.10 грн
100+	49.51 грн
500+	36.59 грн
1000+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 41265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	66.67 грн
100+	51.83 грн
500+	41.22 грн
1000+	33.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

на замовлення 63647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	89.68 грн
100+	60.47 грн
500+	49.95 грн
1000+	39.87 грн
3000+	36.71 грн
6000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.02 грн
500+	41.84 грн
1500+	35.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

FDMA86551L SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.98 грн
6000+	32.08 грн
9000+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA86551L

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.35 грн
50+	62.23 грн
100+	49.02 грн
500+	41.84 грн
1500+	35.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

FDMA8878 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 5836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.55 грн
10+	83.61 грн
100+	59.77 грн
500+	49.05 грн
1000+	45.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.30 грн
10+	97.29 грн
100+	66.43 грн
500+	57.02 грн
1000+	47.38 грн
3000+	46.05 грн
6000+	43.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 11447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.91 грн
36+	23.52 грн
38+	22.20 грн
100+	19.92 грн
250+	16.91 грн
500+	15.70 грн
1000+	14.50 грн
3000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 4358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 1337705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 926

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

на замовлення 234000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 527023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 343492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.47 грн
10+	88.28 грн
100+	59.86 грн
500+	44.52 грн
1000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 2367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	87.99 грн
100+	53.93 грн
500+	43.77 грн
1000+	39.87 грн
3000+	36.56 грн
6000+	35.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

FDMA905P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 339000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.85 грн
6000+	35.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P

Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

на замовлення 86094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.89 грн
10+	54.15 грн
100+	37.30 грн
500+	29.80 грн
1000+	23.84 грн
3000+	19.86 грн
6000+	19.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

FDMA908PZ SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 23804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	58.01 грн
100+	38.26 грн
500+	27.95 грн
1000+	25.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 19112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.31 грн
50+	50.67 грн
100+	38.95 грн
500+	25.67 грн
1500+	23.20 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin Micro FET EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 23650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.49 грн
6000+	21.84 грн
9000+	20.95 грн
15000+	19.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMA908PZ

на замовлення 19112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.95 грн
500+	25.67 грн
1500+	23.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 24826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	69.28 грн
100+	46.06 грн
500+	33.90 грн
1000+	30.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

MOSFETs P-CHAN -20V -9.4A

на замовлення 4349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.15 грн
10+	69.63 грн
100+	41.27 грн
500+	32.81 грн
1000+	30.09 грн
3000+	26.41 грн
6000+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

FDMA910PZ SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.97 грн
6000+	26.81 грн
9000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.78 грн
6000+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.84 грн
10+	57.87 грн
100+	39.14 грн
500+	33.18 грн
1000+	27.00 грн
3000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	76.31 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

FDMB2307NZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.82 грн
10+	66.82 грн
100+	44.38 грн
500+	32.61 грн
1000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.91 грн
500+	68.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 8954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.07 грн
10+	133.57 грн
100+	92.04 грн
500+	69.69 грн
1000+	64.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.79 грн
10+	132.05 грн
100+	94.91 грн
500+	68.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

на замовлення 4119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.79 грн
10+	126.06 грн
100+	79.45 грн
500+	65.25 грн
1000+	61.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMB2308PZ

FDMB2308PZ Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.88 грн
10+	84.30 грн
100+	56.72 грн
500+	42.15 грн
1000+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.99 грн
11+	80.55 грн
100+	59.92 грн
500+	47.90 грн
1000+	34.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

FDMB3800N Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

на замовлення 16494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.70 грн
10+	84.60 грн
100+	57.31 грн
500+	48.33 грн
1000+	39.06 грн
3000+	36.64 грн
6000+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3800N

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.69 грн
10+	75.04 грн
100+	50.03 грн
500+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

FDMB3900AN Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	74.62 грн
10+	65.51 грн
100+	50.24 грн
500+	38.30 грн
1000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 452

В кошику од. на суму грн.

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

на замовлення 10643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 1110

В кошику од. на суму грн.

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 8059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.03 грн
10+	138.78 грн
100+	95.95 грн
500+	72.84 грн
1000+	67.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 48328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.85 грн
10+	141.29 грн
100+	86.81 грн
250+	85.34 грн
500+	70.63 грн
1000+	66.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LC

FDMC007N08LC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.10 грн
10+	164.23 грн
100+	138.65 грн
500+	124.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

на замовлення 8697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.42 грн
10+	170.90 грн
25+	147.14 грн
100+	121.39 грн
500+	106.67 грн
1000+	102.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 21095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.87 грн
10+	153.50 грн
100+	125.95 грн
500+	105.98 грн
1000+	98.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.65 грн
500+	124.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	109.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 5283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.82 грн
10+	67.05 грн
100+	44.61 грн
500+	32.81 грн
1000+	29.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

FDMC007N30D Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.42 грн
10+	69.88 грн
100+	41.12 грн
500+	32.44 грн
1000+	29.28 грн
3000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

FDMC008N08C SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 3802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.20 грн
10+	115.06 грн
100+	71.14 грн
500+	58.41 грн
1000+	56.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.95 грн
10+	123.84 грн
100+	85.02 грн
500+	64.22 грн
1000+	59.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

на замовлення 5974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.03 грн
10+	196.28 грн
25+	156.70 грн
100+	137.57 грн
250+	130.22 грн
500+	122.12 грн
1000+	104.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.61 грн
10+	190.89 грн
100+	134.32 грн
500+	103.39 грн
1000+	96.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

FDMC010N08C SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	105.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

FDMC010N08LC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.00 грн
500+	88.89 грн
1000+	75.69 грн
2000+	74.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.95 грн
10+	192.90 грн
25+	158.91 грн
100+	122.86 грн
250+	118.44 грн
500+	100.79 грн
1000+	95.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

на замовлення 2204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.84 грн
10+	164.23 грн
100+	128.74 грн
500+	100.39 грн
1000+	85.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

на замовлення 1097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.21 грн
10+	175.26 грн
100+	123.85 грн
500+	95.17 грн
1000+	88.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC012N03

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	123.35 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

на замовлення 2037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	28.06 грн

Мінімальне замовлення: 1456

В кошику од. на суму грн.

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 14629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1780+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 1780

В кошику од. на суму грн.

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	28.06 грн

Мінімальне замовлення: 1456

В кошику од. на суму грн.

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 6940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1665+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 1665

В кошику од. на суму грн.

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 2465

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

на замовлення 10176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.00 грн
10+	65.82 грн
100+	38.99 грн
250+	38.92 грн
500+	30.90 грн
1000+	28.32 грн
3000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Trans MOSFET N-CH 30V 19A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

FDMC0310AS-F127 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 32742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.58 грн
10+	51.65 грн
100+	35.91 грн
500+	27.06 грн
1000+	24.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.44 грн
6000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 2575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.01 грн
10+	58.47 грн
100+	45.47 грн
500+	36.17 грн
1000+	29.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	87.48 грн

Мінімальне замовлення: 459

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 9A; Idm: 60A; 35W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 9A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.06 грн
10+	134.52 грн
25+	110.35 грн
100+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC15N06

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

на замовлення 945 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 3225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.64 грн
10+	78.70 грн
100+	61.31 грн
500+	49.18 грн
1000+	46.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

MOSFETs -150V P-Channel QFET

на замовлення 18993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.47 грн
10+	94.76 грн
100+	61.06 грн
250+	60.69 грн
500+	52.45 грн
1000+	48.04 грн
3000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

5+	124.80 грн
10+	62.40 грн
100+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2523P

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.24 грн
10+	86.65 грн
100+	66.68 грн
500+	58.78 грн
1000+	51.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.82 грн
10+	154.82 грн
100+	117.71 грн
250+	112.56 грн
500+	98.58 грн
1000+	81.66 грн
3000+	72.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 42540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.36 грн
10+	130.43 грн
100+	93.90 грн
500+	75.93 грн
1000+	71.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

FDMC2610 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	75.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.46 грн
6000+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.50 грн
10+	123.79 грн
100+	95.73 грн
500+	71.27 грн
3000+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

FDMC2674 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.61 грн
10+	118.44 грн
100+	89.02 грн
250+	82.40 грн
500+	74.30 грн
1000+	65.77 грн
3000+	53.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 25839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.61 грн
10+	129.43 грн
100+	104.01 грн
500+	80.19 грн
1000+	66.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	95.73 грн
500+	71.27 грн
3000+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.82 грн
10+	86.37 грн
100+	67.16 грн
500+	53.42 грн
1000+	43.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

FDMC3020DC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.27 грн
10+	175.98 грн
25+	144.93 грн
100+	122.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	52.12 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	66.02 грн

Мінімальне замовлення: 616

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.37 грн
11+	79.56 грн
100+	56.28 грн
500+	42.45 грн
1000+	36.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 465741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	51.11 грн
100+	34.35 грн
500+	25.05 грн
1000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.63 грн
11+	57.91 грн
25+	57.67 грн
100+	48.97 грн
250+	45.24 грн
500+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET

на замовлення 9426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.07 грн
10+	47.89 грн
25+	41.57 грн
100+	31.63 грн
250+	31.49 грн
500+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 465000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.90 грн
6000+	19.51 грн
9000+	19.12 грн
15000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	62.36 грн
197+	62.11 грн
224+	54.69 грн
250+	52.62 грн
500+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

MOSFETs FET 100V 1100 MOHM MLP33

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.55 грн
10+	61.93 грн
100+	37.52 грн
500+	30.09 грн
1000+	27.74 грн
3000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

FDMC3612-L701 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	54.95 грн
100+	38.21 грн
500+	28.81 грн
1000+	26.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

N-Channel Power Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.60 грн
6000+	28.60 грн
9000+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 70507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.04 грн
500+	29.20 грн
1500+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 26946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

760+	40.15 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ
Код товару: 52237

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

на замовлення 60205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.04 грн
10+	69.21 грн
100+	42.67 грн
500+	34.36 грн
1000+	32.08 грн
3000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 26849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.37 грн
10+	63.91 грн
100+	45.28 грн
500+	34.27 грн
1000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Case: MLP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A

на замовлення 2827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.13 грн
8+	49.51 грн
24+	38.47 грн
65+	36.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

на замовлення 70507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.44 грн
50+	56.78 грн
100+	47.04 грн
500+	29.20 грн
1500+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

760+	40.15 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 760

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

на замовлення 2827 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	106.96 грн
5+	61.69 грн
24+	46.16 грн
65+	43.59 грн
3000+	42.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.37 грн
9000+	29.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

на замовлення 23810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F126

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 4776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1191+	25.61 грн

Мінімальне замовлення: 1191

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

на замовлення 18596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	45.17 грн
1000+	42.65 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

на замовлення 5049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	45.17 грн
1000+	42.65 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127

Description: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.72 грн
10+	79.62 грн
100+	53.39 грн
500+	39.58 грн
1000+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC4435BZ_F106

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	33.01 грн

Мінімальне замовлення: 1232

В кошику од. на суму грн.

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

841+	26.43 грн

Мінімальне замовлення: 841

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

FDMC4D9P20X8 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.72 грн
10+	78.32 грн
100+	61.07 грн
500+	47.35 грн
1000+	37.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC4D9P20X8

P-Channel Power Trench® MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

FDMC510P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.34 грн
500+	70.89 грн
1500+	64.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	66.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 14054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.42 грн
10+	137.06 грн
100+	81.66 грн
250+	77.25 грн
500+	68.42 грн
1000+	63.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.35 грн
50+	118.84 грн
100+	102.34 грн
500+	70.89 грн
1500+	64.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	77.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 66032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.89 грн
10+	137.33 грн
100+	94.74 грн
500+	71.81 грн
1000+	66.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC510P-F106

FDMC510P-F106 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

FDMC5614P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.42 грн
10+	62.30 грн
100+	48.56 грн
500+	37.65 грн
1000+	29.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC5614P-L701

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 5960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.19 грн
10+	142.84 грн
100+	98.73 грн
500+	74.95 грн
1000+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.38 грн
10+	119.67 грн
100+	90.78 грн
500+	77.40 грн
1000+	65.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.37 грн
10+	135.37 грн
100+	91.96 грн
250+	87.55 грн
500+	74.30 грн
1000+	68.42 грн
3000+	65.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102.49 грн
10+	93.30 грн
25+	92.85 грн
100+	81.86 грн
250+	73.92 грн
500+	65.84 грн
1000+	60.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

FDMC610P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	110.38 грн
122+	100.48 грн
123+	99.99 грн
134+	88.15 грн
250+	79.61 грн
500+	70.91 грн
1000+	65.43 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.51 грн
500+	87.36 грн
1000+	68.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

на замовлення 20197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

460+	46.12 грн

Мінімальне замовлення: 460

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ
Код товару: 130485

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.50 грн
12+	54.50 грн
25+	54.10 грн
100+	44.57 грн
250+	41.18 грн
500+	34.72 грн
1000+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 4933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	72.65 грн
100+	50.29 грн
500+	40.43 грн
1000+	36.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	58.69 грн
210+	58.26 грн
246+	49.78 грн
250+	47.90 грн
500+	38.95 грн
1000+	31.16 грн

Мінімальне замовлення: 208

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

на замовлення 4186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.15 грн
10+	75.80 грн
100+	45.61 грн
500+	39.95 грн
1000+	36.64 грн
3000+	32.22 грн
6000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 192350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.53 грн
10+	81.61 грн
100+	58.78 грн
500+	44.17 грн
1000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.08 грн
500+	44.68 грн
1000+	38.84 грн
5000+	34.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

на замовлення 32161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	85.45 грн
100+	53.34 грн
500+	42.67 грн
1000+	40.17 грн
3000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	52.09 грн
1000+	49.19 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

на замовлення 11706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.62 грн
10+	83.35 грн
100+	60.08 грн
500+	44.68 грн
1000+	38.84 грн
5000+	34.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	52.09 грн
1000+	49.19 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 41W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6679AZ-P

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1402+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 1402

В кошику од. на суму грн.

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 1686

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.3 m Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683PZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6683_P

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.81 грн
10+	116.79 грн
100+	80.09 грн
500+	60.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.45 грн
10+	127.09 грн
100+	110.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

FDMC6686P SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6686P

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 14450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	54.98 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 2761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	54.98 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 9964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	54.98 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 10556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	54.98 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 6813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	54.98 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 555

В кошику од. на суму грн.

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1602+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 1602

В кошику од. на суму грн.

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.05 грн
10+	69.63 грн
100+	47.23 грн
500+	38.99 грн
1000+	30.83 грн
3000+	28.69 грн
9000+	28.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

на замовлення 14330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	29.03 грн

Мінімальне замовлення: 766

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.47 грн
10+	45.52 грн
100+	27.44 грн
500+	22.95 грн
1000+	19.50 грн
3000+	17.14 грн
6000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.73 грн
10+	40.39 грн
100+	27.76 грн
500+	21.77 грн
1000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

FDMC7200 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

FDMC7200S Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.68 грн
10+	60.00 грн
100+	40.01 грн
500+	29.30 грн
1000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.45 грн
10+	54.48 грн
100+	32.81 грн
500+	26.26 грн
1000+	24.13 грн
3000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.76 грн
6000+	23.00 грн
9000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.21 грн
10+	122.14 грн
100+	85.00 грн
500+	57.09 грн
1000+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.33 грн
10+	109.98 грн
100+	77.98 грн
250+	71.88 грн
500+	65.03 грн
1000+	55.62 грн
3000+	51.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 4145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.79 грн
10+	119.01 грн
100+	81.42 грн
500+	61.32 грн
1000+	56.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.00 грн
500+	57.09 грн
1000+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

FDMC7208S Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	121.12 грн
103+	119.24 грн
104+	117.45 грн
106+	111.46 грн
250+	101.53 грн
500+	95.93 грн
1000+	94.33 грн
3000+	92.73 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	99.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.46 грн
10+	110.73 грн
25+	109.07 грн
100+	103.49 грн
250+	94.28 грн
500+	89.08 грн
1000+	87.59 грн
3000+	86.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

FDMC7570S SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S
Код товару: 167040

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 6533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.29 грн
10+	181.16 грн
100+	127.11 грн
500+	97.63 грн
1000+	90.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

на замовлення 4097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.10 грн
10+	131.98 грн
25+	114.03 грн
100+	94.17 грн
250+	93.43 грн
500+	91.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	89.93 грн

Мінімальне замовлення: 265

В кошику од. на суму грн.

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 86nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	83.19 грн
10+	77.35 грн
50+	71.73 грн
100+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.24 грн
10+	93.26 грн
100+	73.95 грн
500+	57.93 грн
1000+	45.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

на замовлення 16987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.26 грн
10+	110.20 грн
100+	75.22 грн
500+	56.53 грн
1000+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.32 грн
10+	62.07 грн
50+	59.77 грн
100+	59.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 17422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	99.83 грн
100+	72.54 грн
250+	67.31 грн
500+	61.06 грн
1000+	52.31 грн
3000+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.95 грн
500+	57.93 грн
1000+	45.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

на замовлення 14111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.03 грн
10+	99.83 грн
100+	66.21 грн
250+	66.14 грн
500+	54.29 грн
1000+	51.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

FDMC7660DC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 4785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.55 грн
10+	98.32 грн
100+	72.14 грн
500+	57.60 грн
1000+	54.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 41W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

590+	68.50 грн

Мінімальне замовлення: 590

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.23 грн
10+	79.32 грн
100+	55.15 грн
500+	44.35 грн
1000+	39.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

на замовлення 6192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.01 грн
10+	86.30 грн
100+	52.45 грн
500+	42.60 грн
1000+	39.43 грн
3000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	54.99 грн
100+	41.79 грн
500+	35.53 грн
1000+	31.41 грн
3000+	29.72 грн
6000+	28.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 11181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.40 грн
10+	60.00 грн
100+	46.68 грн
500+	37.13 грн
1000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

FDMC7672 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.51 грн
6000+	28.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.99 грн
10+	61.46 грн
100+	47.83 грн
500+	38.05 грн
1000+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

FDMC7672S SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

на замовлення 4654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.83 грн
10+	69.21 грн
100+	46.42 грн
500+	36.56 грн
1000+	32.30 грн
3000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S

QFN

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

TRANS MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-PIN MLP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

на замовлення 4803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.48 грн
10+	60.62 грн
100+	40.76 грн
500+	30.39 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

на замовлення 11422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

454+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 454

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

FDMC7680 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.20 грн
10+	95.41 грн
100+	64.53 грн
500+	48.89 грн
1000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2731.10 грн
10+	2331.67 грн
25+	1956.91 грн
50+	1886.29 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.86 грн
13+	65.20 грн
100+	46.46 грн
500+	34.33 грн
1000+	27.94 грн
5000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	86.16 грн
5+	58.44 грн
24+	47.82 грн
64+	45.06 грн
500+	43.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	48.30 грн
14+	43.75 грн
25+	43.32 грн
100+	35.65 грн
250+	32.85 грн
500+	27.58 грн
1000+	24.75 грн
3000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 37139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	58.80 грн
100+	39.80 грн
500+	33.69 грн
1000+	27.44 грн
3000+	25.90 грн
6000+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692
Код товару: 116194

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.80 грн
9+	46.90 грн
24+	39.85 грн
64+	37.55 грн
500+	36.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.05 грн
10+	52.34 грн
100+	40.68 грн
500+	32.36 грн
1000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	47.12 грн
262+	46.65 грн
307+	39.82 грн
308+	38.21 грн
500+	30.94 грн
1000+	26.65 грн
3000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

FDMC7692S SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.49 грн
6000+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

QFN

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 76828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.67 грн
10+	41.12 грн
100+	26.71 грн
500+	20.97 грн
1000+	16.26 грн
3000+	12.58 грн
6000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.09 грн
10+	47.74 грн
100+	35.65 грн
500+	26.29 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.24 грн
500+	34.10 грн
1000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

FDMC7696 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.80 грн
10+	69.43 грн
100+	46.28 грн
500+	34.10 грн
1000+	31.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

на замовлення 7224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.89 грн
12+	72.79 грн
100+	48.86 грн
500+	32.19 грн
1000+	24.19 грн
5000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

QFN

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.19 грн
10+	61.76 грн
100+	42.82 грн
500+	36.34 грн
1000+	29.57 грн
3000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

FDMC8010 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	98.45 грн
500+	94.26 грн
1000+	89.02 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.61 грн
10+	81.75 грн
25+	81.10 грн
100+	75.30 грн
250+	67.03 грн
500+	61.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 8439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.51 грн
10+	120.14 грн
100+	79.45 грн
250+	78.72 грн
500+	69.45 грн
1000+	67.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 9885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	98.45 грн
500+	94.26 грн
1000+	89.02 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.96 грн
500+	72.73 грн
1000+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 8246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.96 грн
10+	111.50 грн
100+	85.30 грн
500+	72.22 грн
1000+	67.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 18208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	98.45 грн
500+	94.26 грн
1000+	89.02 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	80.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.93 грн
10+	117.19 грн
100+	89.96 грн
500+	72.73 грн
1000+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	75.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	98.66 грн
139+	88.03 грн
140+	87.34 грн
146+	81.09 грн
250+	72.19 грн
500+	66.52 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	97.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	92.18 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010A

FDMC8010A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

276+	110.83 грн
500+	105.74 грн
1000+	100.25 грн

Мінімальне замовлення: 276

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	47.54 грн
1000+	44.89 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 18751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	73.34 грн
100+	51.50 грн
500+	41.39 грн
1000+	37.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	47.54 грн
1000+	44.89 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

FDMC8010DC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.03 грн
6000+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

на замовлення 10099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.56 грн
10+	80.29 грн
100+	54.22 грн
500+	45.98 грн
1000+	35.97 грн
3000+	35.24 грн
6000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.90 грн
25+	60.95 грн
100+	57.85 грн
250+	52.71 грн
500+	49.79 грн
1000+	48.97 грн
3000+	48.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	92.18 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 43049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.81 грн
10+	59.01 грн
100+	45.93 грн
500+	36.53 грн
1000+	29.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	54.08 грн
229+	53.32 грн
276+	44.34 грн
278+	42.32 грн
500+	35.39 грн
1000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.03 грн
13+	50.22 грн
25+	49.51 грн
100+	39.70 грн
250+	36.39 грн
500+	31.55 грн
1000+	25.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

FDMC8015L SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.42 грн
10+	63.37 грн
100+	43.26 грн
500+	38.62 грн
1000+	31.41 грн
3000+	28.91 грн
6000+	27.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	89.43 грн
100+	71.16 грн
500+	56.51 грн
1000+	47.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 45667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.44 грн
10+	93.26 грн
100+	68.42 грн
500+	57.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.03 грн
10+	68.98 грн
25+	67.27 грн
50+	63.38 грн
100+	49.89 грн
250+	46.06 грн
500+	42.80 грн
1000+	34.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

FDMC8030 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 8259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.86 грн
10+	79.93 грн
100+	62.22 грн
500+	49.49 грн
1000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

MOSFET FPS

на замовлення 32875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	87.99 грн
100+	59.59 грн
500+	53.63 грн
1000+	43.63 грн
3000+	39.58 грн
6000+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

на замовлення 45667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.42 грн
500+	57.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.00 грн
6000+	38.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

165+	74.29 грн
169+	72.44 грн
173+	70.80 грн
201+	58.55 грн
250+	51.72 грн
500+	46.09 грн
1000+	36.70 грн

Мінімальне замовлення: 165

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.22 грн
6000+	29.55 грн
9000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.99 грн
10+	63.85 грн
25+	62.61 грн
100+	46.74 грн
250+	42.85 грн
500+	34.62 грн
1000+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP

на замовлення 8998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 606000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

793+	50.34 грн

Мінімальне замовлення: 793

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 11970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.99 грн
10+	61.38 грн
100+	47.73 грн
500+	37.97 грн
1000+	30.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.09 грн
6000+	54.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	68.76 грн
181+	67.43 грн
234+	52.20 грн
250+	49.84 грн
500+	38.84 грн
1000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 178

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

FDMC8097AC Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	145.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Trans MOSFET N/P-CH 150V 2.4A/0.9A 8-Pin Power 33 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.90 грн
10+	259.73 грн
25+	200.84 грн
100+	175.09 грн
250+	161.11 грн
500+	151.55 грн
1000+	139.78 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 40013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	393.13 грн
10+	251.97 грн
100+	179.85 грн
500+	139.93 грн
1000+	131.60 грн

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	76.73 грн
161+	75.96 грн
200+	61.00 грн
250+	58.27 грн
500+	36.47 грн
1000+	34.55 грн
3000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

на замовлення 5884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	75.13 грн
100+	46.94 грн
500+	37.96 грн
1000+	33.33 грн
3000+	32.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

583+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 583

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

FDMC8200 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	80.30 грн
10+	71.25 грн
25+	70.53 грн
100+	54.62 грн
250+	50.10 грн
500+	32.51 грн
1000+	32.09 грн
3000+	29.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 7335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	72.25 грн
100+	45.54 грн
500+	36.86 грн
1000+	34.28 грн
3000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.54 грн
6000+	32.79 грн
9000+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.05 грн
12+	51.98 грн
25+	51.72 грн
100+	43.58 грн
250+	40.11 грн
500+	34.61 грн
1000+	30.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 10742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.49 грн
10+	82.38 грн
100+	55.31 грн
500+	40.99 грн
1000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

FDMC8200S Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	55.98 грн
220+	55.70 грн
251+	48.67 грн
253+	46.65 грн
500+	38.83 грн
1000+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 218

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 187651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8296

QFN8

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

712+	56.12 грн

Мінімальне замовлення: 712

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 14448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.38 грн
10+	147.37 грн
100+	104.76 грн
500+	80.40 грн
1000+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	220.58 грн
62+	198.35 грн
64+	192.64 грн
100+	176.97 грн
250+	147.34 грн
500+	137.52 грн
1000+	119.66 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

FDMC8321L SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	204.82 грн
10+	184.18 грн
25+	178.88 грн
100+	164.33 грн
250+	136.82 грн
500+	127.70 грн
1000+	111.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 14448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 19700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.91 грн
10+	164.98 грн
100+	100.05 грн
250+	99.32 грн
500+	81.66 грн
1000+	75.78 грн
3000+	75.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

MOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 3114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.21 грн
10+	115.91 грн
100+	81.66 грн
250+	80.92 грн
500+	72.69 грн
1000+	69.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

FDMC8321LDC SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	121.38 грн
110+	111.10 грн
111+	109.99 грн
125+	94.68 грн
250+	85.67 грн
500+	76.37 грн
1000+	68.02 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 54231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.22 грн
10+	107.36 грн
100+	87.19 грн
500+	74.64 грн
1000+	68.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.71 грн
10+	103.17 грн
25+	102.13 грн
100+	87.92 грн
250+	79.55 грн
500+	70.92 грн
1000+	63.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0074 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.00 грн
50+	68.00 грн
100+	52.98 грн
500+	44.98 грн
1500+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 60A; 30W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 2797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

697+	43.79 грн
1000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 697

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 51913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	73.86 грн
100+	50.03 грн
500+	38.11 грн
1000+	36.34 грн
3000+	30.83 грн
6000+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 4166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	65.06 грн
100+	50.60 грн
500+	36.92 грн
1000+	34.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.98 грн
500+	44.98 грн
1500+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	48.32 грн
1000+	47.80 грн
3000+	44.36 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.26 грн
10+	110.35 грн
100+	75.16 грн
500+	56.43 грн
1000+	51.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

на замовлення 3453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.11 грн
10+	126.06 грн
100+	77.98 грн
500+	64.52 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33
Case: Power33
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin Power QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.14 грн
10+	130.20 грн
100+	90.54 грн
500+	69.10 грн
1000+	63.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33
Case: Power33
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 658A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 35184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.99 грн
10+	126.45 грн
100+	88.00 грн
500+	66.57 грн
1000+	61.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

на замовлення 2275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.53 грн
10+	131.14 грн
100+	91.22 грн
250+	83.87 грн
500+	75.78 грн
1000+	65.18 грн
3000+	62.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8360LET40

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	203.02 грн
10+	151.03 грн
100+	119.67 грн
500+	93.49 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 5173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.89 грн
10+	120.47 грн
100+	92.04 грн
500+	74.80 грн
1000+	70.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 7338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.38 грн
10+	147.21 грн
100+	103.00 грн
250+	99.32 грн
500+	87.55 грн
1000+	75.04 грн
3000+	71.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

FDMC8462 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8462

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.67 грн
500+	93.49 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

FAIRCHID

на замовлення 6034 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 14550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.53 грн
10+	82.38 грн
100+	58.21 грн
500+	44.55 грн
1000+	41.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.50 грн
10+	106.60 грн
100+	63.12 грн
500+	50.32 грн
1000+	46.20 грн
3000+	41.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

FDMC8554 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.81 грн
23+	26.98 грн
25+	26.93 грн
100+	24.65 грн
250+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

976+	41.26 грн

Мінімальне замовлення: 976

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	186.86 грн
10+	173.49 грн
25+	171.68 грн
100+	149.45 грн
250+	136.63 грн
500+	122.42 грн
1000+	119.38 грн
3000+	116.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.87 грн
10+	172.59 грн
25+	149.34 грн
100+	124.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

на замовлення 3504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.15 грн
10+	191.74 грн
100+	148.52 грн
500+	121.33 грн
1000+	116.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	201.24 грн
66+	184.89 грн
100+	160.95 грн
250+	147.14 грн
500+	131.84 грн
1000+	128.56 грн
3000+	125.36 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

FDMC86012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	128.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.47 грн
10+	130.39 грн
100+	94.08 грн
500+	73.87 грн
1000+	63.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.97 грн
6000+	68.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.91 грн
6000+	69.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

FDMC86102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench

на замовлення 8884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.52 грн
10+	141.29 грн
100+	97.85 грн
250+	90.49 грн
500+	82.40 грн
1000+	70.48 грн
3000+	66.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.44 грн
10+	137.71 грн
100+	95.12 грн
500+	72.18 грн
1000+	66.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

FDMC86102L SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 30826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.88 грн
10+	98.99 грн
100+	66.80 грн
500+	56.57 грн
1000+	46.13 грн
3000+	43.41 грн
6000+	41.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.94 грн
500+	48.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMC86102L