Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDM-1GBussmann / EatonSwitch Fixings FUSE DISPLAY MERCHANDISER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM-2Bussmann / EatonSwitch Fixings FUSE DISPLAY MERCHANDISER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM-2Eaton BussmannDescription: FUSE DISPLAY MERCHANDISER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM-2
Код товару: 177331
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM-2EBussmann / EatonSwitch Fixings FUSE DISPLAY MERCHANDISER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM-2EEaton BussmannDescription: FUSE DISPLAY MERCHANDISER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM01
Код товару: 221326
Додати до обраних Обраний товар
FNIRSIІнструмент та прилади > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Група: Шумоміри
Опис: Цифровий шумомір (вимірювач рівня звуку). Діапазон вимірювання 30...130 dB, точність ±1.5 dB. Частотний діапазон 31.5Hz...8.5kHz. Дисплей кольоровий, 4 розряди, частота оновлення 2 рази/сек. Дві швидкості реакції: FAST чутливіша, та SLOW стабільніша. Опорне джерело звуку 94 dB@1kHz. Індикатори перевантаження OVER/UNDER, утримання показів (Data Hold), макс/мін. Конденсаторний мікрофон 6 mm, вітрозахист. Відповідає стандартам IEC651 TYPE2 та ANSI S1.4 TYPE2. Акумулятор 600mAh/3.7V, заряджання USB Type-C. Корпус ABS. Робоча температура -5...40°C, вологість <80%. Габарити: 190x61x31mm.
товару немає в наявності
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується 25.09.2027
1+1000.00 грн
10+970.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDM04108QFPFUKUDA9651
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM100-0045SPIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM15-06KC5IXYSMOSFET Standard Rectifier Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM15-06KC5IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM1501-M0DB101W1KCTXGAMachined pin D-SUB 90°Angle Male 15Circuits (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM1501-M0DB103W1KCTXGAD-Sub Connectors Through Hole D-Sub Number of Positions:15 PC Pin (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM1503-F0WS101W1KTXGAMachined pin D-SUB 15Circuits, Female, Welding, 1u`` (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM1503-F0WS103W1KTXGAMachined pin D-SUB Female 15Circuits (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM21-05QCIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM2452NZFAIRCHILD05+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM2502FAIRCHIL09+
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM2509NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM2509NZFAIRCHILDQFN 0642+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM2509NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3300NZ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3300NZON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 30352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.10 грн
100+65.24 грн
500+48.84 грн
1000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3622ONN
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3622onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+96.85 грн
100+65.51 грн
500+55.50 грн
1000+45.22 грн
3000+42.52 грн
6000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.16 грн
6000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM44528S9JN/A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM47-06KC5IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM47-06KC5IXYSMOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM47-06KC5LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM606PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 9587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM606PFAIRCHILD0440+ VSSOP-8
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM6269FAI08+PB
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM6296FAI09+
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDM6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA008P20LZON Semiconductor / FairchildMOSFET CSP
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA008P20LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 97904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA008P20LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 97904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA008P20LZonsemiDescription: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 97900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1056+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 1056 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA0104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA0104Fairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 11154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA037N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA037N08LConsemiMOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+71.69 грн
100+50.05 грн
500+41.35 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA037N08LCON Semiconductor
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA037N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+68.73 грн
100+55.16 грн
500+44.47 грн
1000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA037N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZonsemiMOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+61.21 грн
100+35.21 грн
500+27.48 грн
1000+24.99 грн
3000+20.30 грн
6000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.43 грн
6000+29.61 грн
9000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.63 грн
6000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.195Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Case: MicroFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.40 грн
13+62.34 грн
100+41.56 грн
500+30.66 грн
1000+25.34 грн
5000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZonsemi / FairchildMOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.92 грн
100+32.79 грн
500+25.68 грн
1000+23.26 грн
3000+19.67 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.42 грн
6000+29.61 грн
9000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.99 грн
100+37.66 грн
500+27.56 грн
1000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ-F106ON Semiconductor / FairchildMOSFET DualP-ch powertrench mosfets
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ-F106onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 6A; 1.4W; WDFN6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Gate charge: 7.3nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.4W
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±8V
Case: WDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.05 грн
12+72.81 грн
100+53.24 грн
500+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.24 грн
500+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.22 грн
100+30.26 грн
500+21.96 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1024NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 11536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.47 грн
10+46.36 грн
100+26.44 грн
500+20.43 грн
1000+18.50 грн
3000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1025PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 92860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.00 грн
25+34.63 грн
100+24.89 грн
250+18.55 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1025PFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 92860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1025PON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027Ponsemi / FairchildMOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.92 грн
10+52.32 грн
100+31.00 грн
500+25.96 грн
1000+22.09 грн
3000+19.95 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PFAI07+
на замовлення 112300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1027PTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1451+24.43 грн
10000+21.78 грн
100000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.77 грн
100+24.57 грн
500+17.72 грн
1000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 237345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1451+24.43 грн
10000+21.78 грн
100000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.85 грн
100+22.44 грн
500+17.26 грн
1000+14.64 грн
3000+13.53 грн
6000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.63 грн
26+30.16 грн
100+24.42 грн
250+22.32 грн
500+18.87 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.87 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 11113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1451+24.43 грн
10000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 1451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.73 грн
387+36.72 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZonsemiMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+51.36 грн
100+29.06 грн
500+18.57 грн
1000+16.78 грн
3000+13.53 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.08 грн
20+41.16 грн
100+27.87 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+30.16 грн
560+25.33 грн
568+25.00 грн
644+21.23 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1028NZ-F021onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]