FDMQ8205 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 57V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 267.09 грн |
| 500+ | 213.41 грн |
| 1000+ | 193.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMQ8205 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 57V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: GreenBridge 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMQ8205 за ціною від 189.05 грн до 528.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMQ8205 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: GreenBridge 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMQ8205 | Виробник : onsemi |
Description: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 57V (Max) Applications: Power Over Ethernet (PoE) Internal Switch(s): Yes FET Type: N and P-Channel Ratio - Input:Output: Bridge (2) Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Current - Supply: 400 µA |
на замовлення 3854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMQ8205 | Виробник : onsemi |
Hot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMQ8205 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Hot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMQ8205 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
OR CTRLR BRIDGE RECT MLP-12 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
FDMQ8205 | Виробник : onsemi |
Description: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 57V (Max) Applications: Power Over Ethernet (PoE) Internal Switch(s): Yes FET Type: N and P-Channel Ratio - Input:Output: Bridge (2) Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Current - Supply: 400 µA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMQ8205 | Виробник : ONSEMI |
Category: Integrated circuits - others Description: IC: driver; single phase transistor bridge; ideal diode bridge Mounting: SMD Case: WDFN12 Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: driver Technology: GreenBridge™ 2 Kind of integrated circuit: ideal diode bridge Topology: single phase transistor bridge Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |