FDMQ8205 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 42V
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Bauform - Transistor: WDFN
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 57V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
Dauer-Drainstrom Id: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 42V
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Bauform - Transistor: WDFN
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 57V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
Dauer-Drainstrom Id: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 375.21 грн |
25+ | 340.76 грн |
100+ | 285.13 грн |
500+ | 189.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMQ8205 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 42V, Produktpalette: GreenBridge 2 Series, Bauform - Transistor: WDFN, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds: 57V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, Dauer-Drainstrom Id: -, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMQ8205 за ціною від 177.59 грн до 474.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMQ8205 | Виробник : onsemi |
Description: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 57V (Max) Applications: Power Over Ethernet (PoE) Internal Switch(s): Yes FET Type: N and P-Channel Ratio - Input:Output: Bridge (2) Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Current - Supply: 400 µA |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : onsemi / Fairchild | Hot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Anzahl der Pins: 12Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 42V Produktpalette: GreenBridge 2 Series Bauform - Transistor: WDFN Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds: 57V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm Dauer-Drainstrom Id: - rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ONSEMI |
Category: Integrated circuits - others Description: IC: driver; single phase transistor bridge; ideal diode bridge Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: ideal diode bridge Case: WDFN12 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Technology: GreenBridge™ 2 Topology: single phase transistor bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : onsemi |
Description: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 57V (Max) Applications: Power Over Ethernet (PoE) Internal Switch(s): Yes FET Type: N and P-Channel Ratio - Input:Output: Bridge (2) Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Current - Supply: 400 µA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMQ8205 | Виробник : ONSEMI |
Category: Integrated circuits - others Description: IC: driver; single phase transistor bridge; ideal diode bridge Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: ideal diode bridge Case: WDFN12 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Technology: GreenBridge™ 2 Topology: single phase transistor bridge |
товар відсутній |