FDMS2672 ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 115.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS2672 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FDMS2672 за ціною від 77.94 грн до 198.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS2672 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS2672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Ch UltraFET |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS2672 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDMS2672 | Виробник : FAIRCHILD |
10+ MLP5 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMS2672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS2672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS2672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS2672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 96A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 156mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS2672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS2672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 96A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 156mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |