Продукція > ONSEMI > FDMS3660S
FDMS3660S

FDMS3660S onsemi

fdms3660s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3660S onsemi

Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS3660S за ціною від 25.29 грн до 149.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+67.16 грн
187+66.67 грн
500+64.21 грн
3000+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.14 грн
24+29.77 грн
25+27.78 грн
100+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.34 грн
10+92.50 грн
25+88.51 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.35 грн
10+91.02 грн
100+77.28 грн
500+65.47 грн
1000+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S
Код товару: 104042
Додати до обраних Обраний товар

fdms3660s-d.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3660S-D.PDF MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.99 грн
10+93.31 грн
100+68.43 грн
500+67.82 грн
1000+61.24 грн
3000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+118.90 грн
500+107.53 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 111815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+118.90 грн
500+107.53 грн
1000+98.68 грн
10000+84.85 грн
100000+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.81 грн
10+115.26 грн
25+106.21 грн
100+96.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.88 грн
10+103.02 грн
100+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.