Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMS3660S
FDMS3660S

FDMS3660S onsemi / Fairchild

FDMS3660S-D.PDF Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.17 грн
10+96.65 грн
100+70.88 грн
500+70.25 грн
1000+63.43 грн
3000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3660S onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS3660S за ціною від 25.89 грн до 155.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3660S FDMS3660S
Код товару: 104042
Додати до обраних Обраний товар

fdms3660s-d.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+68.75 грн
187+68.25 грн
500+65.73 грн
3000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.97 грн
24+30.47 грн
25+28.44 грн
100+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI 2303917.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.40 грн
10+94.28 грн
100+80.05 грн
500+67.80 грн
1000+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+121.72 грн
500+110.07 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 111815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+121.72 грн
500+110.07 грн
1000+101.02 грн
10000+86.86 грн
100000+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.23 грн
10+106.70 грн
100+75.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf FDMS3660S Multi channel transistors
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.56 грн
11+111.00 грн
30+105.05 грн
3000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.