Продукція > ONSEMI > FDMS3660S
FDMS3660S

FDMS3660S onsemi

fdms3660s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.01 грн
6000+ 55.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3660S onsemi

Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDMS3660S за ціною від 54.61 грн до 146.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.36 грн
10+ 79.39 грн
100+ 64.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3660S_D-2312461.pdf MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 10964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.5 грн
10+ 96.74 грн
100+ 68.76 грн
500+ 63.36 грн
1000+ 58.35 грн
3000+ 56.41 грн
6000+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+122.07 грн
5+ 102.92 грн
11+ 78.58 грн
29+ 73.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 8493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.6 грн
10+ 106.47 грн
100+ 84.73 грн
500+ 67.28 грн
1000+ 57.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.49 грн
5+ 128.26 грн
11+ 94.3 грн
29+ 88.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS3660S FDMS3660S
Код товару: 104042 		fdms3660s-d.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній