Продукція > FDM > FDMS3660S
FDMS3660S

FDMS3660S

fdms3660s-d.pdf
Код товару: 104042
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS3660S за ціною від 52.51 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS3660S FDMS3660S onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S onsemi / Fairchild FDMS3660S-D.PDF MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.72 грн
10+85.92 грн
100+63.01 грн
500+62.45 грн
1000+56.39 грн
3000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.54 грн
10+87.16 грн
100+74.01 грн
500+62.69 грн
1000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.53 грн
10+94.17 грн
25+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.52 грн
10+98.65 грн
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S onsemi fdms3660s-d.pdf MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 8493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+118.34 грн
100+75.42 грн
500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S-D.PDF
FDMS3660S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+107.72 грн
10+85.92 грн
100+63.01 грн
500+62.45 грн
1000+56.39 грн
3000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+108.54 грн
10+87.16 грн
100+74.01 грн
500+62.69 грн
1000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+142.53 грн
10+94.17 грн
25+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.52 грн
10+98.65 грн
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: onsemi
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 8493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+118.34 грн
100+75.42 грн
500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.