Продукція > ONSEMI > FDMS3660S
FDMS3660S

FDMS3660S onsemi

fdms3660s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3660S onsemi

Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS3660S за ціною від 24.87 грн до 147.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+66.05 грн
187+65.56 грн
500+63.14 грн
3000+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.86 грн
24+29.27 грн
25+27.32 грн
100+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+77.76 грн
158+77.27 грн
159+76.87 грн
500+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.47 грн
10+89.51 грн
100+76.00 грн
500+64.38 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.00 грн
10+98.02 грн
11+86.26 грн
30+82.34 грн
250+79.20 грн
500+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S
Код товару: 104042
Додати до обраних Обраний товар

fdms3660s-d.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3660S-D.PDF MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.05 грн
10+91.77 грн
100+67.30 грн
500+66.70 грн
1000+60.22 грн
3000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+116.93 грн
500+104.73 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 111815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+116.93 грн
500+104.73 грн
1000+96.72 грн
10000+83.15 грн
100000+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.81 грн
10+122.15 грн
11+103.51 грн
30+98.80 грн
250+95.04 грн
500+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.39 грн
10+101.31 грн
100+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S Виробник : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.