Продукція > ONSEMI > FDMS7650
FDMS7650

FDMS7650 onsemi

fdms7650-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+77.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7650 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS7650 за ціною від 66.95 грн до 267.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS7650 FDMS7650 ON Semiconductor fdms7650cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 ON Semiconductor fdms7650cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 ONSEMI 2304005.pdf Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.51 грн
500+96.76 грн
1500+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 ON Semiconductor fdms7650cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+154.06 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 ON Semiconductor fdms7650cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 onsemi / Fairchild FDMS7650-D.pdf MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 10959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.93 грн
10+143.96 грн
100+78.06 грн
500+75.95 грн
1000+75.25 грн
3000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 onsemi fdms7650-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.72 грн
10+150.85 грн
100+105.17 грн
500+85.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650 ONSEMI 2304005.pdf Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+267.47 грн
50+164.09 грн
100+116.51 грн
500+96.76 грн
1500+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 fdms7650cn-d.pdf
FDMS7650
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 fdms7650cn-d.pdf
FDMS7650
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 2304005.pdf
FDMS7650
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+116.51 грн
500+96.76 грн
1500+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 fdms7650cn-d.pdf
FDMS7650
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
207+170.52 грн
500+154.06 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 fdms7650cn-d.pdf
FDMS7650
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
207+170.52 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 FDMS7650-D.pdf
FDMS7650
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 10959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.93 грн
10+143.96 грн
100+78.06 грн
500+75.95 грн
1000+75.25 грн
3000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 fdms7650-d.pdf
FDMS7650
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.72 грн
10+150.85 грн
100+105.17 грн
500+85.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650 2304005.pdf
FDMS7650
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+267.47 грн
50+164.09 грн
100+116.51 грн
500+96.76 грн
1500+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.