на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 113.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7650 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMS7650 за ціною від 93.38 грн до 296.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
FDMS7650 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |