FDMS7650 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 76.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7650 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMS7650 за ціною від 65.90 грн до 263.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench |
на замовлення 10959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V |
на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |