Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86101
FDMS86101

FDMS86101 ON Semiconductor

fdms86101-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 17974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+125.06 грн
500+112.86 грн
1000+103.71 грн
10000+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86101 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0063 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 63.13 грн до 223.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86101
Код товару: 198273
Додати до обраних Обраний товар

fdms86101-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+101.44 грн
500+88.81 грн
1000+88.13 грн
3000+81.76 грн
6000+75.28 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.63 грн
10+130.69 грн
100+90.37 грн
500+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.57 грн
10+141.73 грн
25+140.26 грн
100+93.44 грн
250+84.37 грн
500+72.07 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+208.23 грн
84+146.41 грн
100+144.79 грн
200+96.48 грн
500+83.52 грн
1000+73.90 грн
2000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+217.08 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+217.08 грн
80+152.63 грн
81+151.05 грн
117+100.63 грн
250+90.86 грн
500+77.61 грн
1000+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0063 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.54 грн
10+149.42 грн
100+103.51 грн
500+70.07 грн
1000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86101-d.pdf MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 7192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.99 грн
10+153.18 грн
100+92.27 грн
250+91.53 грн
500+68.98 грн
1000+67.42 грн
3000+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF734384ED1E28&compId=FDMS86101.pdf?ci_sign=fd2a7a2911d4762b27c23272b001ef3cc965d142 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF734384ED1E28&compId=FDMS86101.pdf?ci_sign=fd2a7a2911d4762b27c23272b001ef3cc965d142 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.