Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86101

FDMS86101 ON Semiconductor

Name: FDMS86101
Brand: ON Semiconductor
SKU: 41329275-5
Price: 238800.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	79.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMS86101 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 56.81 грн до 216.20 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	83.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	85.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	85.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1087 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1087+	89.51 грн

Мінімальне замовлення: 1087

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 14974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
244+	132.59 грн
500+	119.66 грн
1000+	109.96 грн
10000+	94.62 грн

Мінімальне замовлення: 244

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
94+	138.85 грн
111+	117.29 грн
112+	116.42 грн
200+	87.32 грн
500+	75.54 грн
1000+	70.59 грн
2000+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
91+	142.92 грн
109+	119.35 грн
110+	118.16 грн
138+	90.78 грн
250+	83.21 грн
500+	73.27 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	153.13 грн
10+	127.87 грн
25+	126.60 грн
100+	97.26 грн
250+	89.16 грн
500+	78.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
76+	171.46 грн
250+	133.92 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 16075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	195.67 грн
10+	135.34 грн
100+	82.34 грн
500+	68.44 грн
1000+	61.92 грн
5000+	60.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ONN

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101
Код товару: 198273

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 14350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	61.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : onsemi

MOSFETs 100/20V Nch Power Trench

на замовлення 31951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	183.44 грн
10+	122.96 грн
100+	80.36 грн
500+	64.29 грн
1000+	63.73 грн
3000+	56.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 100/20V Nch Power Trench

на замовлення 35915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	193.22 грн
10+	131.80 грн
100+	69.74 грн
500+	62.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 14589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	216.20 грн
10+	134.76 грн
100+	93.07 грн
500+	70.63 грн
1000+	67.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ONS/FAI

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS86101

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.