Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDMS86101

FDMS86101

fdms86101-d.pdf
Код товару: 198273
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 61.39 грн до 216.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86101 FDMS86101 onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.61 грн
10+130.78 грн
25+129.47 грн
100+99.47 грн
250+91.18 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.61 грн
109+130.78 грн
110+129.47 грн
138+99.47 грн
250+91.18 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.88 грн
250+146.75 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 onsemi / Fairchild FDMS86101-D.PDF MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 35915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.07 грн
10+131.69 грн
100+69.69 грн
500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 onsemi fdms86101-d.pdf MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 30330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.25 грн
10+137.32 грн
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ONSEMI ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.88 грн
10+136.05 грн
100+99.39 грн
500+75.65 грн
1000+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.03 грн
10+134.65 грн
100+93.00 грн
500+70.58 грн
1000+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 ONN fdms86101-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+156.61 грн
10+130.78 грн
25+129.47 грн
100+99.47 грн
250+91.18 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
91+156.61 грн
109+130.78 грн
110+129.47 грн
138+99.47 грн
250+91.18 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+187.88 грн
250+146.75 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101-D.PDF
FDMS86101
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 35915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.07 грн
10+131.69 грн
100+69.69 грн
500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: onsemi
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 30330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.25 грн
10+137.32 грн
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86101
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+215.88 грн
10+136.05 грн
100+99.39 грн
500+75.65 грн
1000+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+216.03 грн
10+134.65 грн
100+93.00 грн
500+70.58 грн
1000+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.