Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDMS86101

FDMS86101

fdms86101-d.pdf
Код товару: 198273
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 56.41 грн до 214.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1087+96.34 грн
Мінімальне замовлення: 1087
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+142.71 грн
500+128.79 грн
1000+118.35 грн
10000+101.84 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+149.44 грн
111+126.24 грн
112+125.31 грн
200+93.98 грн
500+81.30 грн
1000+75.98 грн
2000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.82 грн
10+128.45 грн
25+127.17 грн
100+97.70 грн
250+89.56 грн
500+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+153.82 грн
109+128.45 грн
110+127.17 грн
138+97.70 грн
250+89.56 грн
500+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+184.54 грн
250+144.14 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.27 грн
10+134.37 грн
100+81.76 грн
500+67.95 грн
1000+61.47 грн
5000+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 Виробник : ONN fdms86101-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi fdms86101-d.pdf MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 31951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.13 грн
10+122.08 грн
100+79.79 грн
500+63.83 грн
1000+63.28 грн
3000+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86101-D.PDF MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 35915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.85 грн
10+130.86 грн
100+69.24 грн
500+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.66 грн
10+133.79 грн
100+92.41 грн
500+70.13 грн
1000+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 Виробник : ONS/FAI fdms86101-d.pdf MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 Виробник : ONSEMI FDMS86101.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Polarisation: unipolar
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.