FDMS86101 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 67.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 66.02 грн до 219.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 14974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 35915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 25499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86101 Код товару: 198273
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |