FDMS86101 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 65.08 грн |
| 6000+ | 60.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0063 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 60.55 грн до 174.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 8810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 30103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0063 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 Код товару: 198273 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |