Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 76.45 грн до 223.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 14974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 11375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 35915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | onsemi |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 29412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS86101 | ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 86.84 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 86.84 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.10 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.14 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 90.90 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1087+ | 97.65 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 119.54 грн |
| 250+ | 110.13 грн |
| 500+ | 108.69 грн |
| 1000+ | 100.75 грн |
| 3000+ | 88.65 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 144.65 грн |
| 500+ | 130.54 грн |
| 1000+ | 119.95 грн |
| 10000+ | 103.22 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.47 грн |
| 111+ | 127.95 грн |
| 112+ | 127.01 грн |
| 200+ | 95.26 грн |
| 500+ | 82.40 грн |
| 1000+ | 77.01 грн |
| 2000+ | 76.45 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 155.46 грн |
| 10+ | 129.86 грн |
| 25+ | 128.56 грн |
| 100+ | 100.47 грн |
| 250+ | 92.10 грн |
| 500+ | 79.93 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 155.46 грн |
| 109+ | 129.86 грн |
| 110+ | 128.56 грн |
| 136+ | 100.47 грн |
| 250+ | 92.10 грн |
| 500+ | 79.93 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 223.75 грн |
| 10+ | 163.52 грн |
| 100+ | 106.35 грн |
| 500+ | 91.90 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 223.75 грн |
| 87+ | 163.52 грн |
| 133+ | 106.35 грн |
| 500+ | 91.90 грн |
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86101 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 35915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




