FDMS86101 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 93.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 64.61 грн до 210.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86101 Код товару: 198273
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 14974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 29786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 17706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 38443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86101 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |