FDMS86101DC ON Semiconductor
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 126.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86101DC за ціною від 136.63 грн до 380.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86101DC | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 180916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 5633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V |
на замовлення 9209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |