
FDMS86101DC ON Semiconductor
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 105.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.006 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMS86101DC за ціною від 137.62 грн до 331.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 180916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 19204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V |
на замовлення 25226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |