Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86101DC
FDMS86101DC

FDMS86101DC ON Semiconductor

fdms86101dc-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86101DC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86101DC за ціною від 133.73 грн до 329.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : onsemi fdms86101dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+163.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+168.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+180.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+190.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+193.48 грн
500+176.50 грн
1500+159.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+196.77 грн
67+182.49 грн
100+168.70 грн
250+152.22 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+198.80 грн
500+187.65 грн
1000+177.50 грн
10000+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 180916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+198.80 грн
500+187.65 грн
1000+177.50 грн
10000+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+198.80 грн
500+187.65 грн
1000+177.50 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+286.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : onsemi fdms86101dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 14516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.85 грн
10+216.07 грн
100+168.54 грн
500+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86101DC-D.PDF MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 8345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.60 грн
10+206.21 грн
100+155.00 грн
1000+148.16 грн
3000+133.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+329.86 грн
50+224.17 грн
100+193.48 грн
500+176.50 грн
1500+159.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ONSEMI fdms86101dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC Виробник : ONSEMI fdms86101dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.