FDMS86102LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 63.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86102LZ onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS86102LZ за ціною від 65.06 грн до 221.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS86102LZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V |
на замовлення 31360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86102LZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS86102LZ | ONS/FAI |
MOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори |
на замовлення 141 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 79.18 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 79.37 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 153.69 грн |
| 108+ | 132.01 грн |
| 133+ | 106.55 грн |
| 500+ | 81.38 грн |
| 1000+ | 73.07 грн |
| 2000+ | 65.06 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 181.74 грн |
| 93+ | 153.04 грн |
| 94+ | 151.52 грн |
| 119+ | 115.54 грн |
| 250+ | 103.53 грн |
| 500+ | 85.42 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 191.21 грн |
| 10+ | 146.90 грн |
| 25+ | 145.43 грн |
| 100+ | 108.60 грн |
| 250+ | 99.55 грн |
| 500+ | 80.79 грн |
| 1000+ | 78.24 грн |
| 3000+ | 73.78 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 191.21 грн |
| 97+ | 146.90 грн |
| 98+ | 145.43 грн |
| 126+ | 108.60 грн |
| 250+ | 99.55 грн |
| 500+ | 80.79 грн |
| 1000+ | 78.24 грн |
| 3000+ | 73.78 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 217.75 грн |
| 10+ | 159.37 грн |
| 100+ | 114.78 грн |
| 500+ | 92.76 грн |
| 1000+ | 85.02 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 217.75 грн |
| 89+ | 159.37 грн |
| 124+ | 114.78 грн |
| 500+ | 92.76 грн |
| 1000+ | 85.02 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 31360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.82 грн |
| 10+ | 138.43 грн |
| 100+ | 95.69 грн |
| 500+ | 72.66 грн |
| 1000+ | 70.08 грн |
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
MOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори
MOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори
на замовлення 141 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 187.92 грн |



