Продукція > ONSEMI > FDMS86102LZ
FDMS86102LZ

FDMS86102LZ onsemi

fdms86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86102LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86102LZ за ціною від 58.69 грн до 206.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+138.65 грн
108+119.09 грн
133+96.12 грн
500+73.41 грн
1000+65.92 грн
2000+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+163.96 грн
93+138.07 грн
94+136.70 грн
119+104.24 грн
250+93.40 грн
500+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86102LZ-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
10+139.42 грн
100+85.02 грн
500+69.75 грн
3000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi fdms86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 46647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.94 грн
10+128.59 грн
100+88.52 грн
500+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdms86102lz-d.pdf MOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8
на замовлення 141 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.