Продукція > ONSEMI > FDMS86102LZ
FDMS86102LZ

FDMS86102LZ onsemi

fdms86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86102LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86102LZ за ціною від 56.12 грн до 205.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+132.58 грн
108+113.88 грн
133+91.91 грн
500+70.20 грн
1000+63.04 грн
2000+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+156.78 грн
93+132.02 грн
94+130.71 грн
119+99.68 грн
250+89.31 грн
500+73.69 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi fdms86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 52378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.36 грн
10+124.72 грн
100+86.67 грн
500+65.59 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild fdms86102lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.75 грн
10+138.63 грн
100+86.32 грн
500+69.13 грн
1000+63.85 грн
3000+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdms86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ Виробник : ONSEMI fdms86102lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ Виробник : ONSEMI fdms86102lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.