Продукція > ONSEMI > FDMS86163P
FDMS86163P

FDMS86163P onsemi

fdms86163p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86163P onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 76.87 грн до 300.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+121.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+133.67 грн
500+126.13 грн
1000+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+134.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+134.94 грн
500+132.91 грн
1000+131.90 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+135.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.60 грн
500+113.56 грн
1500+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+168.41 грн
18000+154.63 грн
27000+144.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+169.89 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+170.32 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+195.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+201.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.34 грн
5+160.66 грн
10+146.36 грн
25+131.22 грн
50+120.29 грн
100+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86163P-D.PDF MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 23180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.07 грн
10+158.32 грн
100+88.75 грн
500+83.86 грн
3000+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P
Код товару: 177994
Додати до обраних Обраний товар
fdms86163p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.95 грн
10+174.27 грн
100+122.23 грн
500+95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 58963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.83 грн
10+160.73 грн
100+113.21 грн
500+96.44 грн
1000+95.04 грн
3000+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+300.84 грн
50+197.30 грн
100+138.60 грн
500+113.56 грн
1500+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONS/FAI fdms86163p-d.pdf MOSFET P-CH 100V 7.9A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.