Продукція > ONSEMI > FDMS86163P
FDMS86163P

FDMS86163P onsemi

fdms86163p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86163P onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 85.25 грн до 291.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+127.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014467245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.39 грн
500+102.05 грн
1500+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+158.23 грн
500+140.30 грн
1000+131.86 грн
3000+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+184.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+189.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.40 грн
3+160.25 грн
8+122.46 грн
20+115.65 грн
1000+114.14 грн
3000+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.07 грн
3+199.70 грн
8+146.95 грн
20+138.78 грн
1000+136.97 грн
3000+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P
Код товару: 177994
Додати до обраних Обраний товар

fdms86163p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 9137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.69 грн
10+161.99 грн
100+113.40 грн
500+93.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+265.38 грн
10+150.39 грн
25+148.89 грн
100+119.67 грн
250+102.93 грн
500+92.03 грн
1000+85.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi / Fairchild fdms86163p-d.pdf MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.23 грн
10+188.60 грн
100+116.83 грн
250+105.22 грн
500+93.61 грн
1000+88.53 грн
3000+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+285.79 грн
76+160.34 грн
100+128.87 грн
250+110.85 грн
500+99.11 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014467245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+291.43 грн
50+196.18 грн
100+138.39 грн
500+102.05 грн
1500+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P Виробник : ONS fdms86163p-d.pdf Транз. Пол. N-MOSFET DFN-8 Udss=100V; Id=50 A; Pdmax=104W; Rds=22 mOhm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.84 грн
10+188.37 грн
100+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.