FDMS86163P


fdms86163p-d.pdf
Код товару: 177994
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 76.32 грн до 318.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+109.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+112.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+130.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+143.87 грн
500+135.75 грн
1000+128.79 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+144.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+145.24 грн
500+143.05 грн
1000+141.96 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+145.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.70 грн
500+126.28 грн
1500+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+181.26 грн
18000+166.43 грн
27000+155.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+182.86 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+210.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+216.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.65 грн
5+159.52 грн
10+145.32 грн
25+130.29 грн
50+119.43 грн
100+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86163P-D.PDF MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 23180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.37 грн
10+157.19 грн
100+88.12 грн
500+83.26 грн
3000+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.98 грн
10+173.03 грн
100+121.36 грн
500+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 59195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.36 грн
10+173.94 грн
100+112.40 грн
500+94.36 грн
3000+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+318.12 грн
50+207.23 грн
100+162.70 грн
500+126.28 грн
1500+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONS/FAI fdms86163p-d.pdf MOSFET P-CH 100V 7.9A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.