Продукція > ONSEMI > FDMS86163P
FDMS86163P

FDMS86163P onsemi

fdms86163p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86163P onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 87.84 грн до 304.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+108.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+130.63 грн
500+123.26 грн
1000+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+130.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 14040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.69 грн
500+114.79 грн
1500+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+131.87 грн
500+129.89 грн
1000+128.90 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+132.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+164.58 грн
18000+151.11 грн
27000+141.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+166.03 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+166.45 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+196.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86163P-D.PDF MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 23180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.05 грн
10+180.92 грн
100+101.42 грн
500+95.83 грн
3000+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P
Код товару: 177994
Додати до обраних Обраний товар

fdms86163p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 28426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.11 грн
10+172.03 грн
100+120.38 грн
500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 14040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+301.90 грн
50+203.35 грн
100+131.69 грн
500+114.79 грн
1500+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P Виробник : ONSEMI fdms86163p-d.pdf FDMS86163P SMD P channel transistors
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.22 грн
8+150.73 грн
22+142.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.