Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 111.38 грн до 274.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 104W Gate charge: 59nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel; tape Case: PQFN8 On-state resistance: 36mΩ |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86163P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86163P | onsemi |
MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET |
на замовлення 9530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDMS86163P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDMS86163P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS86163P | ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 111.38 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 113.69 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 113.75 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 114.66 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 132.77 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 146.48 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 1000+ | 131.12 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 146.83 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 147.86 грн |
| 500+ | 145.64 грн |
| 1000+ | 144.53 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 148.18 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 184.54 грн |
| 18000+ | 169.44 грн |
| 27000+ | 158.49 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 186.16 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 186.64 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 214.72 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 220.41 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 262.20 грн |
| 5+ | 168.69 грн |
| 10+ | 155.39 грн |
| 25+ | 139.60 грн |
| 50+ | 128.80 грн |
| 100+ | 118.83 грн |
| 500+ | 114.67 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 274.53 грн |
| 10+ | 198.36 грн |
| 100+ | 133.69 грн |
| 500+ | 125.47 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 274.53 грн |
| 72+ | 198.36 грн |
| 107+ | 133.69 грн |
| 500+ | 125.47 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 9530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 132.25 грн |





