Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86181

FDMS86181 ON Semiconductor

Name: FDMS86181
Brand: ON Semiconductor
SKU: 12523391-5
Price: 264420.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 501000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	88.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMS86181 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS86181 за ціною від 69.53 грн до 337.53 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 828000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	92.12 грн
6000+	91.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 828000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	94.01 грн
6000+	91.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	95.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	101.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 3836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	101.91 грн
500+	93.12 грн
1000+	83.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	105.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	109.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	171.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

на замовлення 11540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	200.56 грн
10+	110.10 грн
100+	79.67 грн
1000+	78.27 грн
3000+	69.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	259.44 грн
10+	163.37 грн
100+	114.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	337.53 грн
10+	219.31 грн
100+	168.77 грн
500+	130.21 грн
1000+	111.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 124 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4125, Qg, нКл = 59, Rds = 4,2 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPQFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	73.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ONN

на замовлення 5870 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ONS/FAI

MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS86181

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.