Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86181
FDMS86181

FDMS86181 ON Semiconductor

fdms86181-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86181 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3300 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86181 за ціною від 75.99 грн до 266.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.14 грн
6000+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : onsemi fdms86181-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.95 грн
6000+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ONSEMI 2559940.pdf Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3300 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.51 грн
500+98.64 грн
1000+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+163.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86181-D.PDF MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.17 грн
10+120.32 грн
100+87.06 грн
1000+85.53 грн
3000+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ONSEMI 2559940.pdf Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3300 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.31 грн
10+131.07 грн
100+110.51 грн
500+98.64 грн
1000+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : onsemi fdms86181-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V
на замовлення 8204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.00 грн
10+167.13 грн
100+116.45 грн
500+88.98 грн
1000+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 FDMS86181 Виробник : ON Semiconductor fdms86181-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 Виробник : ONSEMI fdms86181-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.