Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86263P
FDMS86263P

FDMS86263P ON Semiconductor

fdms86263p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86263P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86263P за ціною від 95.43 грн до 321.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.04 грн
6000+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.77 грн
6000+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+114.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ONSEMI 2552628.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.59 грн
500+113.95 грн
1000+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+148.85 грн
83+148.04 грн
100+124.45 грн
500+112.16 грн
1000+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+171.68 грн
10+144.49 грн
25+143.73 грн
100+116.68 грн
250+106.96 грн
500+99.05 грн
1000+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+184.89 грн
79+155.03 грн
100+127.69 грн
250+117.00 грн
500+107.58 грн
1000+102.77 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+184.89 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+199.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+201.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.20 грн
10+176.73 грн
100+127.23 грн
500+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ONSEMI 2552628.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+277.14 грн
10+196.17 грн
100+148.59 грн
500+113.95 грн
1000+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi / Fairchild fdms86263p-d.pdf MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.22 грн
10+211.37 грн
25+182.31 грн
100+130.22 грн
500+107.90 грн
1000+101.20 грн
3000+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P Виробник : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P Виробник : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.