FDMS86263P ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 131.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86263P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMS86263P за ціною від 98.46 грн до 305.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86263P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : onsemi |
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86263P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86263P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |