FDMS86263P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 27300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 100.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86263P onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMS86263P за ціною від 103.18 грн до 337.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86263P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86263P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V |
на замовлення 27549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86263P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86263P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |