Продукція > ONSEMI > FDMS86263P
FDMS86263P

FDMS86263P onsemi

fdms86263p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 28900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86263P onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86263P за ціною від 99.19 грн до 293.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+115.22 грн
6000+111.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+115.96 грн
6000+112.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+119.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+123.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+123.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+125.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+125.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+133.48 грн
99+126.02 грн
102+122.70 грн
500+117.52 грн
1000+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+133.98 грн
99+126.68 грн
100+120.72 грн
250+111.56 грн
500+106.95 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+143.55 грн
10+135.73 грн
25+134.40 грн
100+129.34 грн
250+119.52 грн
500+114.59 грн
1000+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+151.72 грн
83+150.89 грн
100+126.85 грн
500+114.32 грн
1000+99.19 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ONSEMI 2552628.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+154.15 грн
500+131.01 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+188.45 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+199.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+203.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ONSEMI 2552628.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+285.65 грн
10+211.62 грн
100+154.15 грн
500+131.01 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi / Fairchild fdms86263p-d.pdf MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.21 грн
10+204.45 грн
100+130.42 грн
500+118.00 грн
1000+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 29409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.08 грн
10+185.35 грн
100+130.39 грн
500+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P Виробник : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.