Продукція > ONSEMI > FDMS86263P
FDMS86263P

FDMS86263P onsemi


fdms86263p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.57 грн
10+ 155.69 грн
100+ 125.95 грн
500+ 105.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86263P onsemi

Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86263P за ціною від 96.98 грн до 226.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86263P_D-2312620.pdf MOSFET PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 81232 шт:
термін постачання 462-471 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.29 грн
10+ 199.38 грн
100+ 141.49 грн
500+ 122.22 грн
1000+ 102.96 грн
3000+ 96.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86263P Виробник : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86263P FDMS86263P Виробник : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86263P Виробник : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Case: Power56
товар відсутній