Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86263P
FDMS86263P

FDMS86263P ON Semiconductor

fdms86263p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86263P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

Інші пропозиції FDMS86263P за ціною від 101.26 грн до 302.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86263P FDMS86263P ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.15 грн
10+161.24 грн
25+157.28 грн
100+147.75 грн
250+133.27 грн
500+124.54 грн
1000+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.15 грн
88+161.24 грн
90+157.28 грн
100+147.75 грн
250+133.27 грн
500+124.54 грн
1000+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.27 грн
10+182.37 грн
100+128.28 грн
500+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.09 грн
10+220.58 грн
100+161.08 грн
500+138.21 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.09 грн
65+220.58 грн
100+161.08 грн
500+138.21 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P onsemi fdms86263p-d.pdf MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P onsemi / Fairchild fdms86263p-d.pdf MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P ONSEMI 2552628.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P FDMS86263P onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+179.15 грн
10+161.24 грн
25+157.28 грн
100+147.75 грн
250+133.27 грн
500+124.54 грн
1000+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.15 грн
88+161.24 грн
90+157.28 грн
100+147.75 грн
250+133.27 грн
500+124.54 грн
1000+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.27 грн
10+182.37 грн
100+128.28 грн
500+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+302.09 грн
10+220.58 грн
100+161.08 грн
500+138.21 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+302.09 грн
65+220.58 грн
100+161.08 грн
500+138.21 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P 2552628.pdf
FDMS86263P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
FDMS86263P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.