Продукція > ONSEMI > FDMS86500L
FDMS86500L

FDMS86500L onsemi

fdms86500l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86500L onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86500L за ціною від 75.69 грн до 256.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+102.64 грн
500+101.58 грн
1000+101.06 грн
3000+96.94 грн
6000+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ONSEMI 2304890.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.68 грн
500+87.92 грн
1000+79.74 грн
5000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.66 грн
500+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.66 грн
500+112.59 грн
1000+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ONSEMI 2304890.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.35 грн
10+149.02 грн
100+108.68 грн
500+87.92 грн
1000+79.74 грн
5000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : onsemi fdms86500l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
на замовлення 15984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.96 грн
10+153.51 грн
100+106.94 грн
500+81.69 грн
1000+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : onsemi / Fairchild fdms86500l-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.01 грн
10+174.71 грн
25+143.11 грн
100+105.68 грн
250+96.14 грн
500+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L FDMS86500L Виробник : ON Semiconductor fdms86500l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L Виробник : ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L Виробник : ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.