
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
403+ | 30.32 грн |
407+ | 30.01 грн |
411+ | 29.71 грн |
412+ | 28.60 грн |
413+ | 26.41 грн |
500+ | 25.18 грн |
1000+ | 24.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8680 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS8680 за ціною від 27.55 грн до 186.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
FDMS8680 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8680 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
FDMS8680 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |