Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8680
FDMS8680

FDMS8680 ON Semiconductor

3664447834987176fdms8680.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+30.75 грн
407+30.45 грн
411+30.14 грн
412+29.01 грн
413+26.79 грн
500+25.54 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8680 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS8680 за ціною від 27.42 грн до 193.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
384+32.31 грн
402+30.84 грн
500+28.72 грн
3000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.04 грн
21+34.62 грн
100+33.05 грн
500+29.68 грн
3000+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.64 грн
14+52.43 грн
25+49.79 грн
100+45.39 грн
250+42.89 грн
500+42.21 грн
1000+41.53 грн
3000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.09 грн
10+139.05 грн
100+111.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.04 грн
10+134.50 грн
100+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8680_D-1808058.pdf MOSFETs 30V N-CHANNEL
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.34 грн
10+133.49 грн
100+87.82 грн
250+76.21 грн
500+73.31 грн
1000+65.37 грн
3000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.