Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8680
FDMS8680

FDMS8680 ON Semiconductor

fdms8680d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+23.41 грн
1000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 34 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8680 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.

Інші пропозиції FDMS8680 за ціною від 23.35 грн до 204.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS8680 FDMS8680 ON Semiconductor fdms8680d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+23.41 грн
1000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+36.39 грн
407+36.03 грн
411+35.67 грн
412+34.33 грн
413+31.70 грн
500+30.22 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.55 грн
14+57.91 грн
25+54.99 грн
100+50.13 грн
250+47.37 грн
500+46.62 грн
1000+45.87 грн
3000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.73 грн
10+133.57 грн
100+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 onsemi fdms8680-d.pdf MOSFETs 30V N-CHANNEL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+204.52 грн
10+99.50 грн
100+78.25 грн
500+71.17 грн
1000+65.98 грн
3000+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680d.pdf
FDMS8680
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
626+23.41 грн
1000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 3664447834987176fdms8680.pdf
FDMS8680
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
403+36.39 грн
407+36.03 грн
411+35.67 грн
412+34.33 грн
413+31.70 грн
500+30.22 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
FDMS8680
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
284+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
FDMS8680
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.55 грн
14+57.91 грн
25+54.99 грн
100+50.13 грн
250+47.37 грн
500+46.62 грн
1000+45.87 грн
3000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
FDMS8680
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.73 грн
10+133.57 грн
100+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
FDMS8680
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-CHANNEL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.52 грн
10+99.50 грн
100+78.25 грн
500+71.17 грн
1000+65.98 грн
3000+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8680
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8680
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.