на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 403+ | 31.70 грн |
| 407+ | 31.39 грн |
| 411+ | 31.07 грн |
| 412+ | 29.91 грн |
| 413+ | 27.62 грн |
| 500+ | 26.33 грн |
| 1000+ | 25.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8680 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS8680 за ціною від 28.27 грн до 199.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMS8680 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMS8680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMS8680 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-CHANNEL |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
FDMS8680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDMS8680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |