Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN306P
FDN306P

FDN306P ON Semiconductor

fdn306p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 3.40 грн до 50.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.53 грн
6000+9.03 грн
9000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.52 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.28 грн
6000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
6000+11.73 грн
9000+11.36 грн
12000+10.90 грн
27000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
848+14.36 грн
863+14.12 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 848
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. FDN306P%20SOT-23.PDF Description: 12V 2.6A 40M@4.5V,2.6A 500MW 1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 9 V
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.43 грн
35+9.07 грн
100+5.62 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.07 грн
500+15.88 грн
1500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : UMW 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.00 грн
21+15.33 грн
100+9.61 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+29.72 грн
581+20.98 грн
583+20.89 грн
748+15.70 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 14989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.43 грн
13+25.89 грн
100+18.28 грн
500+13.31 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.12 грн
15+27.69 грн
50+20.89 грн
67+13.85 грн
183+13.14 грн
500+13.06 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.59 грн
22+31.85 грн
100+22.47 грн
250+21.59 грн
500+15.57 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.03 грн
50+31.68 грн
100+22.07 грн
500+15.88 грн
1500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi / Fairchild FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.47 грн
11+31.69 грн
100+19.23 грн
500+14.79 грн
1000+12.99 грн
3000+9.84 грн
6000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.55 грн
10+34.51 грн
50+25.06 грн
67+16.62 грн
183+15.77 грн
500+15.68 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : VBsemi FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : TECH PUBLIC FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : ON-Semicoductor FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. FDN306P%20SOT-23.PDF Description: 12V 2.6A 40M@4.5V,2.6A 500MW 1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : UMW 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.