Продукція > VBSEMI > FDN306P
FDN306P

FDN306P VBsemi

TFDN306P_VBS_VBSEMI_0001.pdf
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 150 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P VBsemi

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 8.04 грн до 50.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN306P FDN306P ON-Semiconductor TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
6000+10.74 грн
9000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
6000+10.74 грн
9000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON-Semiconductor TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
6000+13.94 грн
9000+13.84 грн
12000+13.24 грн
27000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.69 грн
848+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.75 грн
45+17.03 грн
46+16.86 грн
100+12.69 грн
250+11.64 грн
500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.12 грн
12+26.32 грн
100+15.36 грн
500+12.07 грн
1000+10.68 грн
3000+8.56 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.55 грн
15+29.21 грн
17+25.25 грн
50+18.49 грн
100+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.91 грн
10+30.23 грн
50+22.10 грн
100+18.27 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 32138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P-D.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 32823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf
FDN306P
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.85 грн
6000+10.74 грн
9000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.85 грн
6000+10.74 грн
9000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf
FDN306P
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.88 грн
6000+13.94 грн
9000+13.84 грн
12000+13.24 грн
27000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
689+20.69 грн
848+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.75 грн
45+17.03 грн
46+16.86 грн
100+12.69 грн
250+11.64 грн
500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.12 грн
12+26.32 грн
100+15.36 грн
500+12.07 грн
1000+10.68 грн
3000+8.56 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.55 грн
15+29.21 грн
17+25.25 грн
50+18.49 грн
100+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.91 грн
10+30.23 грн
50+22.10 грн
100+18.27 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P 2304102.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 32138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 32823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.