Продукція > VBSEMI > FDN306P
FDN306P

FDN306P VBsemi

TFDN306P_VBS_VBSEMI_0001.pdf
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
150+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P VBsemi

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 6.31 грн до 50.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN306P FDN306P TECH PUBLIC TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
6000+10.65 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
6000+10.65 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
6000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON-Semiconductor TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.75 грн
6000+13.82 грн
9000+13.72 грн
12000+13.12 грн
27000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P-D.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.45 грн
500+15.01 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.51 грн
848+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.57 грн
45+16.88 грн
46+16.71 грн
100+12.57 грн
250+11.53 грн
500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.55 грн
13+25.31 грн
100+14.77 грн
500+11.60 грн
1000+10.27 грн
3000+8.23 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P-D.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.47 грн
50+31.01 грн
100+19.45 грн
500+15.01 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 33564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
11+30.40 грн
100+19.56 грн
500+13.95 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf
FDN306P
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.75 грн
6000+10.65 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.75 грн
6000+10.65 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.08 грн
6000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P TFDN306p_TEC_TECH_PUBLIC_0001.pdf
FDN306P
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.75 грн
6000+13.82 грн
9000+13.72 грн
12000+13.12 грн
27000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+19.45 грн
500+15.01 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
689+20.51 грн
848+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+20.57 грн
45+16.88 грн
46+16.71 грн
100+12.57 грн
250+11.53 грн
500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.55 грн
13+25.31 грн
100+14.77 грн
500+11.60 грн
1000+10.27 грн
3000+8.23 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+49.47 грн
50+31.01 грн
100+19.45 грн
500+15.01 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 33564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.63 грн
11+30.40 грн
100+19.56 грн
500+13.95 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P fdn306p-d.pdf
FDN306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.