Продукція > UMW > FDN306P
FDN306P

FDN306P UMW

07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.54 грн
6000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P UMW

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 3.41 грн до 45.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.80 грн
9000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.40 грн
6000+8.88 грн
9000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
9000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+11.27 грн
9000+11.07 грн
12000+10.62 грн
27000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
887+13.96 грн
1094+11.32 грн
1104+11.21 грн
1183+10.10 грн
1273+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 887
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. FDN306P%20SOT-23.PDF Description: 12V 2.6A 40M@4.5V,2.6A 500MW 1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 9 V
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.52 грн
35+9.12 грн
100+5.65 грн
500+3.87 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
725+17.08 грн
893+13.86 грн
1103+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 725
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+18.40 грн
47+15.11 грн
48+14.96 грн
100+11.70 грн
250+10.73 грн
500+9.62 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.17 грн
500+15.65 грн
1500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : UMW 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
21+15.33 грн
100+9.64 грн
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.95 грн
22+18.16 грн
50+13.60 грн
100+11.87 грн
250+9.99 грн
500+9.04 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.53 грн
13+22.64 грн
50+16.32 грн
100+14.25 грн
250+11.98 грн
500+10.85 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi / Fairchild FDN306P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 23540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.08 грн
15+24.74 грн
100+15.63 грн
500+12.76 грн
1000+10.87 грн
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 14767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.01 грн
13+25.24 грн
100+17.83 грн
500+13.32 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.64 грн
50+29.89 грн
100+21.17 грн
500+15.65 грн
1500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : VBsemi FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : TECH PUBLIC FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : ON-Semicoductor FDN306P-D.pdf FDN306P%20SOT-23.PDF 07d0ad9a2c15b5beb65d4223f31880c9.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. FDN306P%20SOT-23.PDF Description: 12V 2.6A 40M@4.5V,2.6A 500MW 1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.