Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN306P
FDN306P

FDN306P ON Semiconductor

fdn306p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 5.23 грн до 50.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.68 грн
6000+9.58 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.37 грн
6000+10.27 грн
9000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.84 грн
6000+10.43 грн
9000+9.94 грн
15000+8.81 грн
21000+8.50 грн
30000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.28 грн
6000+12.44 грн
9000+12.35 грн
12000+11.81 грн
27000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
689+18.46 грн
848+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 689
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+19.83 грн
45+16.28 грн
46+16.11 грн
100+12.12 грн
250+11.12 грн
500+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.79 грн
500+16.35 грн
1500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.46 грн
22+19.41 грн
50+14.95 грн
100+13.21 грн
250+11.23 грн
500+9.75 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.15 грн
13+24.19 грн
50+17.94 грн
100+15.86 грн
250+13.48 грн
500+11.69 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.58 грн
13+28.54 грн
100+16.65 грн
500+13.08 грн
1000+11.58 грн
3000+9.28 грн
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 37375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.60 грн
11+30.39 грн
100+19.52 грн
500+13.92 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : VBsemi FDN306P-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : TECH PUBLIC FDN306P-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : ON-Semiconductor FDN306P-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - MOSFET, P-KANAL, SMD, SSOT-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.89 грн
50+30.51 грн
100+21.79 грн
500+16.35 грн
1500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.