Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN306P
FDN306P

FDN306P ON Semiconductor

fdn306p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.79 грн
6000+9.70 грн
9000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 5.29 грн до 46.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.49 грн
6000+10.39 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.99 грн
6000+9.68 грн
9000+9.23 грн
15000+8.17 грн
21000+7.89 грн
30000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.43 грн
6000+12.58 грн
9000+12.49 грн
12000+11.94 грн
27000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
689+18.67 грн
848+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 689
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.84 грн
500+14.89 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+20.06 грн
45+16.46 грн
46+16.30 грн
100+12.27 грн
250+11.25 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.79 грн
22+19.63 грн
50+15.12 грн
100+13.37 грн
250+11.36 грн
500+9.86 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.03 грн
13+24.98 грн
100+14.58 грн
500+11.45 грн
1000+10.13 грн
3000+8.12 грн
6000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 47120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.85 грн
11+28.20 грн
100+18.13 грн
500+12.92 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : VBsemi FDN306P-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : TECH PUBLIC FDN306P-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : ON-Semiconductor FDN306P-D.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - MOSFET, P-KANAL, SMD, SSOT-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.78 грн
50+27.77 грн
100+19.84 грн
500+14.89 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.