Продукція > ONSEMI > FDN335N
FDN335N

FDN335N onsemi

FDN335N-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.73 грн
6000+9.46 грн
9000+9.01 грн
15000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN335N onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN335N за ціною від 8.27 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN335N FDN335N ON-Semiconductor info-tfdn335n.pdf N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N onsemi / Fairchild FDN335N_D-2312862.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 93448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.09 грн
13+25.43 грн
100+15.08 грн
500+11.78 грн
1000+10.68 грн
3000+8.54 грн
9000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N onsemi FDN335N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.54 грн
100+17.69 грн
500+12.62 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N info-tfdn335n.pdf
FDN335N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N_D-2312862.pdf
FDN335N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 93448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.09 грн
13+25.43 грн
100+15.08 грн
500+11.78 грн
1000+10.68 грн
3000+8.54 грн
9000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N-D.PDF
FDN335N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.49 грн
11+27.54 грн
100+17.69 грн
500+12.62 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.