Продукція > ONSEMI > FDN335N
FDN335N

FDN335N ONSEMI

FDN335N-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.89 грн
9000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN335N ONSEMI

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN335N за ціною від 8.14 грн до 47.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN335N FDN335N Виробник : onsemi FDN335N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.94 грн
6000+9.64 грн
9000+9.18 грн
15000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.22 грн
9000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI FDN335N-D.PDF Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.82 грн
500+14.37 грн
1000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : onsemi / Fairchild FDN335N_D-2312862.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 93448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.82 грн
13+25.91 грн
100+15.37 грн
500+12.00 грн
1000+10.88 грн
3000+8.70 грн
9000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.82 грн
29+25.71 грн
30+25.45 грн
100+18.53 грн
250+16.80 грн
500+14.35 грн
1000+12.99 грн
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI FDN335N-D.PDF Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.46 грн
31+27.03 грн
100+19.82 грн
500+14.37 грн
1000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.49 грн
24+31.08 грн
100+20.67 грн
500+16.33 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N Виробник : onsemi FDN335N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.38 грн
11+28.06 грн
100+18.03 грн
500+12.86 грн
1000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N Виробник : Aptina Imaging FDN335N-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.40 грн
9000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N Виробник : Aptina Imaging FDN335N-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.09 грн
6000+12.83 грн
9000+12.63 грн
12000+11.99 грн
27000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N Виробник : ON-Semiconductor FDN335N-D.PDF N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N Виробник : Aptina Imaging FDN335N-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
548+23.75 грн
725+17.93 грн
741+17.56 грн
832+15.07 грн
1000+12.63 грн
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.