Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN337N
FDN337N

FDN337N ON Semiconductor

3666160595851441fdn337n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN337N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN337N за ціною від 5.67 грн до 51.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1044000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.35 грн
6000+10.68 грн
9000+10.05 грн
15000+8.44 грн
21000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1044000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.22 грн
6000+11.51 грн
9000+10.82 грн
15000+9.09 грн
21000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 72830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.67 грн
6000+11.59 грн
9000+10.98 грн
15000+10.03 грн
21000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.22 грн
6000+12.45 грн
9000+11.72 грн
15000+9.85 грн
21000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.76 грн
9000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.31 грн
6000+13.48 грн
9000+12.68 грн
15000+10.66 грн
21000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.32 грн
6000+14.24 грн
9000+14.18 грн
12000+13.61 грн
27000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.72 грн
500+18.82 грн
1500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+34.19 грн
23+17.08 грн
100+12.77 грн
145+6.12 грн
397+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.03 грн
14+21.29 грн
100+15.33 грн
145+7.35 грн
397+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

fdn337n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.88 грн
19+32.53 грн
25+32.23 грн
100+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 73105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.96 грн
10+31.29 грн
100+21.35 грн
500+16.07 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.21 грн
18+34.03 грн
100+22.77 грн
500+17.25 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi / Fairchild fdn337n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 52556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.47 грн
10+34.63 грн
100+20.54 грн
500+16.84 грн
1000+14.80 грн
3000+11.97 грн
9000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.69 грн
50+37.28 грн
100+25.72 грн
500+18.82 грн
1500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor 3666160595851441fdn337n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.