FDN337N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.60 грн |
| 6000+ | 2.24 грн |
| 9000+ | 2.10 грн |
| 15000+ | 1.82 грн |
| 21000+ | 1.74 грн |
| 30000+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN337N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDN337N за ціною від 2.86 грн до 67.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N Код товару: 118654
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
на замовлення 209717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 48051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDN337N | Виробник : Fairchild |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDN337N | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |






