Інші пропозиції FDN337N за ціною від 6.83 грн до 71.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: PowerTrench® Gate charge: 9nC |
на замовлення 8703 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 76725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN337N | ON-Semiconductor |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
FDN337N | onsemi |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 65941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
FDN337N | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 48051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDN337N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDN337N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDN337N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN337N | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од. кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| 6000+ | 11.30 грн |
| 9000+ | 10.17 грн |
| 15000+ | 6.84 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| 6000+ | 11.30 грн |
| 9000+ | 10.17 грн |
| 15000+ | 6.83 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.28 грн |
| 6000+ | 11.74 грн |
| 9000+ | 11.21 грн |
| 15000+ | 9.96 грн |
| 21000+ | 9.63 грн |
| 30000+ | 9.40 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.24 грн |
| 6000+ | 18.71 грн |
| 9000+ | 16.77 грн |
| 12000+ | 16.09 грн |
| 27000+ | 14.83 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.19 грн |
| 6000+ | 19.20 грн |
| 9000+ | 17.21 грн |
| 15000+ | 16.32 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.26 грн |
| 6000+ | 19.26 грн |
| 9000+ | 17.26 грн |
| 15000+ | 16.37 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
на замовлення 8703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.48 грн |
| 15+ | 28.17 грн |
| 17+ | 24.87 грн |
| 50+ | 18.04 грн |
| 100+ | 15.98 грн |
| 250+ | 13.92 грн |
| 500+ | 12.60 грн |
| 1000+ | 11.69 грн |
| 3000+ | 10.38 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 44.86 грн |
| 458+ | 30.69 грн |
| 584+ | 24.09 грн |
| 1000+ | 20.93 грн |
| 3000+ | 15.58 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 76725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.19 грн |
| 10+ | 33.28 грн |
| 100+ | 21.56 грн |
| 500+ | 15.48 грн |
| 1000+ | 13.95 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.69 грн |
| 17+ | 44.86 грн |
| 100+ | 30.69 грн |
| 500+ | 23.23 грн |
| 1000+ | 19.38 грн |
| 3000+ | 14.96 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.61 грн |
| 15+ | 52.07 грн |
| 100+ | 35.63 грн |
| 500+ | 26.96 грн |
| 1000+ | 22.49 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| FDN337N |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 65941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDN337N |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 48051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN337N |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.48 грн |








