Продукція > SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD. > FDN337N
FDN337N

FDN337N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

5399_FDN337N%20SOT-23.PDF Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 35984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.59 грн
6000+2.23 грн
9000+2.09 грн
15000+1.81 грн
21000+1.73 грн
30000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN337N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN337N за ціною від 4.65 грн до 55.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor 3666160595851441fdn337n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.02 грн
6000+10.43 грн
9000+9.40 грн
15000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 948000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.36 грн
6000+11.68 грн
9000+10.54 грн
15000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.01 грн
6000+11.91 грн
9000+10.68 грн
15000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.47 грн
6000+13.68 грн
9000+12.34 грн
15000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.76 грн
9000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.36 грн
6000+14.53 грн
9000+13.08 грн
15000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : UMW 482f1b20fd5b5d94ec98da6678824db4.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.27 грн
26+12.44 грн
100+7.76 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.75 грн
24+16.86 грн
50+13.15 грн
100+11.89 грн
190+4.88 грн
520+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.97 грн
500+20.08 грн
1500+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

fdn337n-d.pdf 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF 482f1b20fd5b5d94ec98da6678824db4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.50 грн
15+21.00 грн
50+15.78 грн
100+14.27 грн
190+5.86 грн
520+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+35.19 грн
501+24.19 грн
502+24.17 грн
632+18.50 грн
1000+15.31 грн
3000+12.70 грн
6000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.53 грн
19+38.06 грн
25+37.71 грн
100+25.19 грн
250+23.12 грн
500+17.61 грн
1000+15.74 грн
3000+10.96 грн
6000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 107493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.80 грн
10+32.21 грн
100+22.05 грн
500+16.24 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi / Fairchild FDN337N-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 36526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.31 грн
10+35.22 грн
100+20.95 грн
500+16.79 грн
1000+15.12 грн
3000+11.87 грн
6000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.46 грн
50+39.44 грн
100+26.97 грн
500+20.08 грн
1500+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.25 грн
18+39.70 грн
100+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N Виробник : Fairchild fdn337n-d.pdf 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF 482f1b20fd5b5d94ec98da6678824db4.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor 3666160595851441fdn337n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : UMW 482f1b20fd5b5d94ec98da6678824db4.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.