FDN337N


fdn337n-d.pdf 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN337N за ціною від 2.17 грн до 66.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN337N FDN337N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
9000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N UMW 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON-Semiconductor info-tfdn337n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 492000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
6000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 492000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
6000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
6000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.88 грн
38+7.95 грн
53+5.67 грн
100+4.61 грн
500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.02 грн
6000+20.59 грн
9000+20.16 грн
12000+19.22 грн
27000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N UMW 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
23+12.92 грн
50+9.25 грн
100+7.57 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 234925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.45 грн
10+31.27 грн
50+22.83 грн
100+18.88 грн
500+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.55 грн
10+41.43 грн
12+35.40 грн
50+23.36 грн
100+18.90 грн
174+5.45 грн
477+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.99 грн
17+45.64 грн
50+39.57 грн
100+29.85 грн
500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 139672 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+66.04 грн
11+29.60 грн
100+22.67 грн
500+17.33 грн
3000+12.14 грн
6000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 25639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 25639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N Fairchild/ON Semiconductor FDN337N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+13.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.69 грн
9000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N info-tfdn337n.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 492000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.23 грн
6000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 492000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.28 грн
6000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.08 грн
6000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.88 грн
38+7.95 грн
53+5.67 грн
100+4.61 грн
500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.02 грн
6000+20.59 грн
9000+20.16 грн
12000+19.22 грн
27000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
23+12.92 грн
50+9.25 грн
100+7.57 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 234925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.45 грн
10+31.27 грн
50+22.83 грн
100+18.88 грн
500+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.55 грн
10+41.43 грн
12+35.40 грн
50+23.36 грн
100+18.90 грн
174+5.45 грн
477+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.99 грн
17+45.64 грн
50+39.57 грн
100+29.85 грн
500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf 5399_FDN337N%20SOT-23.PDF 7f69751dce7e3c16bb2866e64bbefdc6.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 139672 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.04 грн
11+29.60 грн
100+22.67 грн
500+17.33 грн
3000+12.14 грн
6000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 2304556.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 25639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 2304556.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 25639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 2304556.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.