Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDN337N
FDN337N

FDN337N

fdn337n-d.pdf
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN337N за ціною від 6.89 грн до 72.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN337N FDN337N ON-Semiconductor info-tfdn337n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+11.40 грн
9000+10.26 грн
15000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+11.40 грн
9000+10.26 грн
15000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.60 грн
6000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.41 грн
6000+18.88 грн
9000+16.92 грн
12000+16.23 грн
27000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.37 грн
6000+19.37 грн
9000+17.37 грн
15000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.44 грн
6000+19.43 грн
9000+17.42 грн
15000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
на замовлення 8703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.80 грн
15+28.42 грн
17+25.10 грн
50+18.20 грн
100+16.12 грн
250+14.04 грн
500+12.71 грн
1000+11.80 грн
3000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.27 грн
458+30.97 грн
584+24.31 грн
1000+21.11 грн
3000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 323686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.50 грн
100+23.63 грн
500+16.96 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.25 грн
17+45.27 грн
100+30.97 грн
500+23.44 грн
1000+19.55 грн
3000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.25 грн
15+52.54 грн
100+35.95 грн
500+27.20 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 65941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N onsemi / Fairchild FDN337N-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 48051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N Fairchild/ON Semiconductor FDN337N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+13.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N info-tfdn337n.pdf
FDN337N
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.06 грн
6000+11.40 грн
9000+10.26 грн
15000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.06 грн
6000+11.40 грн
9000+10.26 грн
15000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.60 грн
6000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.41 грн
6000+18.88 грн
9000+16.92 грн
12000+16.23 грн
27000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.37 грн
6000+19.37 грн
9000+17.37 грн
15000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.44 грн
6000+19.43 грн
9000+17.42 грн
15000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
на замовлення 8703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.80 грн
15+28.42 грн
17+25.10 грн
50+18.20 грн
100+16.12 грн
250+14.04 грн
500+12.71 грн
1000+11.80 грн
3000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+45.27 грн
458+30.97 грн
584+24.31 грн
1000+21.11 грн
3000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 323686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.35 грн
10+36.50 грн
100+23.63 грн
500+16.96 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.25 грн
17+45.27 грн
100+30.97 грн
500+23.44 грн
1000+19.55 грн
3000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.25 грн
15+52.54 грн
100+35.95 грн
500+27.20 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 65941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N-D.PDF
FDN337N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 48051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 2304556.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 2304556.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N 2304556.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.