Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN337N
FDN337N

FDN337N ON Semiconductor

3666160595851441fdn337n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN337N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN337N за ціною від 5.91 грн до 53.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 984000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.38 грн
6000+9.65 грн
9000+9.55 грн
15000+8.43 грн
21000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 984000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 72830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+11.89 грн
9000+11.26 грн
15000+10.28 грн
21000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.01 грн
6000+11.03 грн
9000+10.92 грн
15000+9.64 грн
21000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.00 грн
6000+11.87 грн
9000+11.75 грн
15000+10.37 грн
21000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.11 грн
9000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.43 грн
6000+15.96 грн
9000+15.12 грн
12000+14.47 грн
27000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.38 грн
500+19.30 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.06 грн
23+17.52 грн
100+13.10 грн
145+6.28 грн
397+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

fdn337n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.07 грн
14+21.83 грн
100+15.72 грн
145+7.53 грн
397+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 73105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.08 грн
10+32.09 грн
100+21.90 грн
500+16.48 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+48.16 грн
18+34.49 грн
100+23.05 грн
500+17.46 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : onsemi / Fairchild FDN337N_D-3578207.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 23074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.78 грн
10+37.57 грн
100+22.25 грн
500+17.86 грн
1000+16.07 грн
3000+12.72 грн
6000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.01 грн
50+38.23 грн
100+26.38 грн
500+19.30 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor 3666160595851441fdn337n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N Виробник : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.