Продукція > ONSEMI > FDN339AN
FDN339AN

FDN339AN onsemi

FDN339AN-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.09 грн
6000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN339AN onsemi

Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN339AN за ціною від 10.77 грн до 54.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN339AN FDN339AN ON-Semiconductor info-tfdn339an.pdf N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.03 грн
23+33.85 грн
25+32.84 грн
100+22.44 грн
250+20.31 грн
500+15.72 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 10nC
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.56 грн
15+29.29 грн
17+25.77 грн
50+19.58 грн
100+17.57 грн
500+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
на замовлення 19199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+32.84 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Aptina Imaging FDN339AN-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.03 грн
6000+16.59 грн
9000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Aptina Imaging FDN339AN-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Aptina Imaging FDN339AN-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+32.84 грн
607+23.28 грн
621+22.75 грн
770+17.69 грн
1123+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN info-tfdn339an.pdf
FDN339AN
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.03 грн
23+33.85 грн
25+32.84 грн
100+22.44 грн
250+20.31 грн
500+15.72 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-DTE.pdf
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 10nC
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.56 грн
15+29.29 грн
17+25.77 грн
50+19.58 грн
100+17.57 грн
500+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
на замовлення 19199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.74 грн
10+32.84 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.03 грн
6000+16.59 грн
9000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
430+32.84 грн
607+23.28 грн
621+22.75 грн
770+17.69 грн
1123+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.