FDN339AN

FDN339AN onsemi


FDN339AN-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.97 грн
6000+10.56 грн
9000+10.07 грн
15000+8.93 грн
21000+8.63 грн
30000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN339AN onsemi

Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN339AN за ціною від 9.64 грн до 52.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON-Semiconductor info-tfdn339an.pdf N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI FDN339AN-D.PDF Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.44 грн
500+13.48 грн
1500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI FDN339AN-D.PDF Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.29 грн
50+26.90 грн
100+21.44 грн
500+13.48 грн
1500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+36.37 грн
23+33.25 грн
25+32.26 грн
100+22.04 грн
250+19.95 грн
500+15.44 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.01 грн
15+28.77 грн
17+25.15 грн
50+19.18 грн
100+17.16 грн
500+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 32049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
10+30.43 грн
100+19.63 грн
500+14.03 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : onsemi FDN339AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.59 грн
11+31.90 грн
100+18.10 грн
500+13.77 грн
1000+12.30 грн
3000+10.55 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Виробник : Aptina Imaging FDN339AN-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.61 грн
6000+15.20 грн
9000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Виробник : Aptina Imaging FDN339AN-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Виробник : Aptina Imaging FDN339AN-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
430+30.11 грн
607+21.34 грн
621+20.85 грн
770+16.22 грн
1123+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN Виробник : ONS/FAI FDN339AN.pdf MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.