FDN339AN onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.91 грн |
| 6000+ | 10.51 грн |
| 9000+ | 10.02 грн |
| 15000+ | 8.89 грн |
| 21000+ | 8.58 грн |
| 30000+ | 8.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN339AN onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDN339AN за ціною від 9.60 грн до 52.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN339AN | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN339AN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: PowerTrench® Gate charge: 10nC |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN339AN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) |
на замовлення 32049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN339AN | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V |
на замовлення 13245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDN339AN | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |