FDN339AN onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.94 грн |
| 6000+ | 10.54 грн |
| 9000+ | 10.05 грн |
| 15000+ | 8.91 грн |
| 21000+ | 8.61 грн |
| 30000+ | 8.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN339AN onsemi
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDN339AN за ціною від 9.62 грн до 52.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN339AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN339AN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 44639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN339AN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 44639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN339AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN339AN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V |
на замовлення 32049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN339AN | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V |
на замовлення 13628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDN339AN | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDN339AN | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDN339AN | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDN339AN | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDN339AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |