Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN339AN
FDN339AN

FDN339AN ON Semiconductor

fdn339an-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN339AN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції FDN339AN за ціною від 12.04 грн до 70.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.13 грн
37+21.20 грн
43+18.26 грн
100+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+35.33 грн
1000+20.36 грн
3000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.89 грн
12+37.53 грн
13+34.13 грн
50+23.43 грн
100+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 36636 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+70.22 грн
10+49.40 грн
100+26.71 грн
500+18.43 грн
1000+15.50 грн
3000+14.29 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+25.13 грн
37+21.20 грн
43+18.26 грн
100+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
415+35.33 грн
1000+20.36 грн
3000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-DTE.pdf
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.89 грн
12+37.53 грн
13+34.13 грн
50+23.43 грн
100+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 36636 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.22 грн
10+49.40 грн
100+26.71 грн
500+18.43 грн
1000+15.50 грн
3000+14.29 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.