FDN358P

FDN358P ON Semiconductor


fdn358p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN358P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN358P за ціною від 9.87 грн до 56.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.48 грн
6000+11.94 грн
9000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI 2304441.pdf Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.15 грн
500+14.24 грн
1500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+30.65 грн
575+21.27 грн
581+21.06 грн
730+16.17 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.95 грн
22+28.75 грн
25+28.46 грн
100+19.05 грн
250+17.46 грн
500+13.34 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi / Fairchild FDN358P_D-2312591.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 26387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.22 грн
12+31.70 грн
100+18.78 грн
500+14.74 грн
1000+13.06 грн
3000+10.69 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 83634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.13 грн
50+35.63 грн
100+23.55 грн
500+17.81 грн
1500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.99 грн
10+35.63 грн
100+23.21 грн
500+16.60 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P Виробник : ON-Semicoductor FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P Виробник : ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.50 грн
67+16.80 грн
184+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P
Код товару: 36466
Додати до обраних Обраний товар

FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.