FDN358P

FDN358P ON Semiconductor


fdn358p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN358P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDN358P за ціною від 9.51 грн до 39.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI 2304441.pdf Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 10634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.96 грн
500+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI FDN358P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.47 грн
25+ 16.91 грн
64+ 13.04 грн
174+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI FDN358P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.17 грн
25+ 21.08 грн
64+ 15.65 грн
174+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi / Fairchild FDN358P_D-2312591.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 23792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.35 грн
11+ 29.3 грн
100+ 17.93 грн
500+ 14.33 грн
1000+ 11.62 грн
3000+ 10.19 грн
9000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI 2304441.pdf Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 10634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.71 грн
23+ 33.68 грн
100+ 20.96 грн
500+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN358P Виробник : ON-Semicoductor FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN358P FDN358P
Код товару: 36466
FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
товар відсутній
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
товар відсутній