Наименование: FDN358P

код товара: 36466
FDN358P

DOWNLOAD FDN358P.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
FDN358P FDN358P
код товара: 36466
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
FDN358P FDN358P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET под заказ 40 шт
срок поставки 1-3 дня (дней)
153+ 8.5 грн
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Supplier Device Package : 3-SSOT; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 9011 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Logic Level Gate; Supplier Device Package : 3-SSOT; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 9011 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Supplier Device Package : 3-SSOT; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V под заказ 3000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDN358P ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Manufacturer Part Number: FDN358P SMD P Channel Transistors под заказ 2208 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
7+ 6.47 грн
18+ 3.52 грн
247+ 3.38 грн
FDN358P ONS 3-SSOT Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.06 Ом Филиппины под заказ 2958 шт
срок поставки 8-10 дней дня (дней)
FDN358P FSC под заказ 138000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAIRCHILD SOT23 под заказ 99830 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FDN358P ON Semiconductor / Fairchild MOSFET SSOT-3 P-CH -30V под заказ 21000 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
1+ 18.79 грн
10+ 14.07 грн
100+ 7.64 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.97 грн
FDN358P FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Транзисторы Полевые с изолированным затвором MOSFET Transistor Polarity P Channel Continuous Drain Current Id 1.5A Drain Source Voltage Vds -30V On Resistance Rds(on) 200mohm Rds(on) Test Voltage Vgs -10V
количество в упаковке: 1 шт
под заказ 9000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAIRCHILD под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAI SOT-23 под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAI SOT-23 под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAIRCHILD FDN358P Tranz. FDN358P SuperSOT3 TFDN358p
количество в упаковке: 50 шт
под заказ 350 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
104+ 3.32 грн
FDN358P 'FAIRCHILD' 'Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание FDN358P

Цена FDN358P

от 3.32 грн до 18.79 грн
Asers Shop ©