Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN358P
FDN358P

FDN358P ON Semiconductor

fdn358p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN358P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN358P за ціною від 9.14 грн до 56.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.43 грн
6000+11.89 грн
9000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.14 грн
6000+14.86 грн
12000+13.62 грн
24000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.18 грн
500+14.57 грн
1000+11.84 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.93 грн
36+23.87 грн
100+19.18 грн
500+14.57 грн
1000+11.84 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi / Fairchild FDN358P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.11 грн
15+24.30 грн
100+17.03 грн
500+14.67 грн
1000+12.92 грн
3000+9.96 грн
6000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7C87C781C259&compId=FDN358P.pdf?ci_sign=012b295b159bc6a235442da8190a0f7266a723db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.6nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.07 грн
14+29.29 грн
50+22.25 грн
67+13.93 грн
184+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7C87C781C259&compId=FDN358P.pdf?ci_sign=012b295b159bc6a235442da8190a0f7266a723db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.6nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.09 грн
10+36.50 грн
50+26.70 грн
67+16.72 грн
184+15.87 грн
3000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.73 грн
10+35.47 грн
100+23.10 грн
500+16.53 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P Виробник : ON-Semicoductor FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P
Код товару: 36466
Додати до обраних Обраний товар

FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P Виробник : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.