Купить FDN358P - Транзисторы - Полевые P-канальные

Наименование: FDN358P

код товара: 36466

FDN358P.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото

Наименование

Производитель

Описание

В наличии/под заказ

Цена

FDN358P
код товара: 36466

Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные

FDN358P

FDN358P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

под заказ 40 шт

срок поставки 1-3 дня (дней)

153+	8.5 грн

FDN358P

Fairchild Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Supplier Device Package : 3-SSOT; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide

под заказ 9011 шт

срок поставки 5-15 дня (дней)

FDN358P

Fairchild Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Logic Level Gate; Supplier Device Package : 3-SSOT; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide

под заказ 9011 шт

срок поставки 5-15 дня (дней)

FDN358P

Fairchild Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Supplier Device Package : 3-SSOT; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

под заказ 3000 шт

срок поставки 5-15 дня (дней)

FDN358P

ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Manufacturer Part Number: FDN358P SMD P Channel Transistors

под заказ 2208 шт

срок поставки 7-14 дня (дней)

7+	6.47 грн
18+	3.52 грн
247+	3.38 грн

FDN358P

ONS

3-SSOT Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.06 Ом Филиппины

под заказ 2958 шт

срок поставки 8-10 дней дня (дней)

FDN358P

FSC

под заказ 138000 шт

срок поставки 14-28 дня (дней)

FDN358P

FAIRCHILD

SOT23

под заказ 99830 шт

срок поставки 14-28 дня (дней)

FDN358P

ON Semiconductor / Fairchild

MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

под заказ 21000 шт

срок поставки 14-20 дня (дней)

1+	18.79 грн
10+	14.07 грн
100+	7.64 грн
1000+	5.73 грн
3000+	4.97 грн

FDN358P

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Транзисторы Полевые с изолированным затвором MOSFET Transistor Polarity P Channel Continuous Drain Current Id 1.5A Drain Source Voltage Vds -30V On Resistance Rds(on) 200mohm Rds(on) Test Voltage Vgs -10V
количество в упаковке: 1 шт

под заказ 9000 шт

срок поставки 14-28 дня (дней)

FDN358P

под заказ 3000 шт

срок поставки 14-28 дня (дней)

FDN358P

FAIRCHILD

под заказ 3000 шт

срок поставки 14-28 дня (дней)

FDN358P

FAI

SOT-23