Наименование: FDN358P

код товара: 36466
FDN358P

DOWNLOAD FDN358P.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
FDN358P FDN358P
код товара: 36466
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Supplier Device Package : 3-SSOT; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 9011 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Logic Level Gate; Supplier Device Package : 3-SSOT; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 9011 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3; Supplier Device Package : 3-SSOT; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 460mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 182pF @ 15V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 5.6nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.5A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V под заказ 3000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDN358P ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Manufacturer Part Number: FDN358P SMD P Channel Transistors под заказ 993 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
56+ 7.72 грн
65+ 6.62 грн
100+ 5.33 грн
102+ 4.2 грн
249+ 4.04 грн
FDN358P FSC под заказ 138000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAIRCHILD SOT23 под заказ 99830 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FDN358P Fairchild Semiconductor MOSFET SSOT-3 P-CH -30V под заказ 11996 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
81+ 22.19 грн
107+ 16.88 грн
196+ 9.15 грн
1000+ 6.9 грн
3000+ 5.93 грн
FDN358P FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Транзисторы Полевые с изолированным затвором MOSFET Transistor Polarity P Channel Continuous Drain Current Id 1.5A Drain Source Voltage Vds -30V On Resistance Rds(on) 200mohm Rds(on) Test Voltage Vgs -10V
количество в упаковке: 1 шт
под заказ 9000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAIRCHILD под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAI SOT-23 под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAI SOT-23 под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDN358P FAIRCHILD FDN358P P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125? TFDN358p
количество в упаковке: 50 шт
под заказ 350 шт
срок поставки 14-21 дня (дней)
110+ 3.12 грн
FDN358P 'FAIRCHILD' 'Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание FDN358P

Цена FDN358P

от 3.12 грн до 22.19 грн
Asers Shop ©