Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDN358P
FDN358P

FDN358P

FDN358P-D.PDF
Код товару: 36466
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN358P за ціною від 9.08 грн до 57.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN358P FDN358P onsemi / Fairchild FDN358P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.26 грн
15+22.32 грн
100+15.64 грн
500+13.48 грн
1000+11.87 грн
3000+9.15 грн
6000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P ONSEMI FDN358P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.43 грн
50+33.32 грн
100+23.38 грн
500+17.55 грн
1500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P-D.PDF
FDN358P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.26 грн
15+22.32 грн
100+15.64 грн
500+13.48 грн
1000+11.87 грн
3000+9.15 грн
6000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P-D.PDF
FDN358P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+57.43 грн
50+33.32 грн
100+23.38 грн
500+17.55 грн
1500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.