Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN360P
FDN360P

FDN360P ON Semiconductor

fdn360p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN360P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench® MOSFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 7.45 грн до 52.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.58 грн
9000+7.51 грн
24000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.20 грн
9000+8.05 грн
24000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.74 грн
6000+8.80 грн
9000+8.29 грн
15000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.04 грн
9000+8.78 грн
24000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.18 грн
6000+10.89 грн
9000+10.61 грн
12000+10.08 грн
27000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.61 грн
24000+11.52 грн
36000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI 4015552.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.61 грн
500+13.94 грн
1500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.87 грн
13+31.98 грн
14+28.28 грн
50+20.01 грн
100+17.09 грн
101+9.22 грн
277+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 16052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.99 грн
12+26.54 грн
100+14.62 грн
500+12.59 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.84 грн
8+39.85 грн
10+33.93 грн
50+24.01 грн
100+20.51 грн
101+11.06 грн
277+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 158255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.43 грн
27+32.23 грн
100+17.98 грн
500+14.57 грн
1000+12.07 грн
5000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi / Fairchild fdn360p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.61 грн
13+28.78 грн
100+13.31 грн
1000+12.25 грн
3000+8.85 грн
9000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.76 грн
23+30.55 грн
100+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

fdn360p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ON-Semicoductor fdn360p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdn360p-d.pdf SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.