Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDN360P
FDN360P

FDN360P

fdn360p-d.pdf
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 7.98 грн до 47.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN360P FDN360P ON-Semiconductor info-tfdn360p.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.79 грн
6000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+14.51 грн
10000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI 2284024.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 123617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.72 грн
500+12.49 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+17.96 грн
1000+16.11 грн
3000+13.73 грн
6000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONS/FAI FDN360P.pdf SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.16 грн
15+29.25 грн
17+25.26 грн
50+17.78 грн
100+15.37 грн
500+11.30 грн
1000+10.05 грн
3000+8.48 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI 4015552.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 123617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.70 грн
50+26.42 грн
100+17.72 грн
500+12.49 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
12+27.15 грн
100+17.40 грн
500+12.37 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+29.14 грн
100+16.29 грн
500+12.36 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P info-tfdn360p.pdf
FDN360P
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.79 грн
6000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.42 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.42 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2443+14.51 грн
10000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P 2284024.pdf
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 123617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.72 грн
500+12.49 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
790+17.96 грн
1000+16.11 грн
3000+13.73 грн
6000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P.pdf
FDN360P
Виробник: ONS/FAI
SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
394+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P.pdf
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+41.16 грн
15+29.25 грн
17+25.26 грн
50+17.78 грн
100+15.37 грн
500+11.30 грн
1000+10.05 грн
3000+8.48 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P 4015552.pdf
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 123617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+44.70 грн
50+26.42 грн
100+17.72 грн
500+12.49 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.82 грн
12+27.15 грн
100+17.40 грн
500+12.37 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.76 грн
11+29.14 грн
100+16.29 грн
500+12.36 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.