Продукція > ONSEMI > FDN360P
FDN360P

FDN360P onsemi

fdn360p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.75 грн
6000+8.58 грн
9000+8.16 грн
15000+7.22 грн
21000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN360P onsemi

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench® MOSFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 7.78 грн до 58.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.94 грн
6000+10.32 грн
9000+9.08 грн
24000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.73 грн
6000+11.06 грн
9000+9.73 грн
24000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 86850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2443+13.24 грн
10000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.02 грн
6000+13.17 грн
9000+11.57 грн
12000+10.98 грн
27000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 132238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.57 грн
500+12.43 грн
1500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 21149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.01 грн
12+25.30 грн
100+16.20 грн
500+11.52 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi / Fairchild FDN360P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.17 грн
12+26.93 грн
100+13.31 грн
500+11.40 грн
1000+10.24 грн
3000+8.26 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 132238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.41 грн
50+27.48 грн
100+16.57 грн
500+12.43 грн
1500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+48.90 грн
500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+58.53 грн
21+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ON-Semiconductor fdn360p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 7313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.06 грн
112+10.45 грн
308+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdn360p-d.pdf SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

fdn360p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.