Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN360P
FDN360P

FDN360P ON Semiconductor

fdn360p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN360P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench® MOSFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 7.25 грн до 56.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.53 грн
6000+9.26 грн
9000+8.82 грн
15000+7.80 грн
21000+7.52 грн
30000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.55 грн
6000+9.95 грн
9000+8.75 грн
24000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.30 грн
6000+10.66 грн
9000+9.38 грн
24000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 86850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2443+12.76 грн
10000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.51 грн
6000+12.69 грн
9000+11.15 грн
12000+10.58 грн
27000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI 4015552.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.69 грн
500+14.02 грн
1500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.53 грн
14+29.78 грн
16+26.37 грн
50+18.61 грн
100+15.92 грн
500+11.40 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.03 грн
8+37.11 грн
10+31.65 грн
50+22.33 грн
100+19.10 грн
500+13.68 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

fdn360p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 37885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.06 грн
12+27.32 грн
100+17.49 грн
500+12.44 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+47.12 грн
500+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi / Fairchild FDN360P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.07 грн
12+29.99 грн
100+14.83 грн
500+12.70 грн
1000+11.40 грн
3000+9.20 грн
6000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 158255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.70 грн
27+32.41 грн
100+18.08 грн
500+14.65 грн
1000+12.14 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.40 грн
21+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ON-Semicoductor fdn360p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdn360p-d.pdf SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.