FDN360P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.08 грн |
| 6000+ | 8.86 грн |
| 9000+ | 8.44 грн |
| 15000+ | 7.46 грн |
| 21000+ | 7.20 грн |
| 30000+ | 6.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN360P onsemi
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench® MOSFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDN360P за ціною від 8.00 грн до 58.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 86850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V |
на замовлення 49275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V |
на замовлення 17453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V |
на замовлення 26279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDN360P | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDN360P | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
SOT-23-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDN360P Код товару: 75653
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|