FDN360P


fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 7.03 грн до 56.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN360P FDN360P UMW 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
6000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON-Semiconductor info-tfdn360p.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.16 грн
6000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+14.44 грн
10000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+17.88 грн
1000+16.04 грн
3000+13.67 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONS/FAI FDN360P.pdf SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P UMW 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.98 грн
14+21.54 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.16 грн
13+32.47 грн
15+27.95 грн
50+19.33 грн
100+16.57 грн
500+12.05 грн
1000+10.71 грн
1500+10.13 грн
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 30467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
11+28.17 грн
100+18.07 грн
500+12.84 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+56.99 грн
22+35.75 грн
100+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 8802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 121942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 121942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.03 грн
6000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P info-tfdn360p.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.16 грн
6000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.81 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.81 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2443+14.44 грн
10000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+17.88 грн
1000+16.04 грн
3000+13.67 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P.pdf
Виробник: ONS/FAI
SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.98 грн
14+21.54 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.16 грн
13+32.47 грн
15+27.95 грн
50+19.33 грн
100+16.57 грн
500+12.05 грн
1000+10.71 грн
1500+10.13 грн
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 30467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.92 грн
11+28.17 грн
100+18.07 грн
500+12.84 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+56.99 грн
22+35.75 грн
100+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 8802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 121942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf 74c1cb1a7abe4154cb178687baeda56f.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 121942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.