Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDN360P
FDN360P

FDN360P ON-Semiconductor

info-tfdn360p.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Код виробника: FDN360P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+9.29 грн
1500+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN360P ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench® MOSFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 7.95 грн до 58.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.88 грн
6000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.92 грн
6000+10.30 грн
9000+9.06 грн
24000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.70 грн
6000+11.04 грн
9000+9.71 грн
24000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 86850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2443+13.21 грн
10000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.99 грн
6000+13.14 грн
9000+11.55 грн
12000+10.95 грн
27000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.25 грн
500+14.28 грн
1500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONS/FAI FDN360P.pdf SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.58 грн
15+29.54 грн
17+25.51 грн
50+17.96 грн
100+15.53 грн
500+11.41 грн
1000+10.16 грн
3000+8.56 грн
6000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi / Fairchild FDN360P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.09 грн
12+27.50 грн
100+13.60 грн
500+11.64 грн
1000+10.46 грн
3000+8.44 грн
6000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар
fdn360p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 26279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.47 грн
12+27.50 грн
100+15.34 грн
500+11.64 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.28 грн
12+27.42 грн
100+17.57 грн
500+12.49 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+48.79 грн
500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.49 грн
50+31.64 грн
100+20.25 грн
500+14.28 грн
1500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+58.39 грн
21+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ON-Semiconductor fdn360p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ON-Semiconductor info-tfdn360p.pdf Код виробника: FDN360P Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 864000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : ON-Semiconductor info-tfdn360p.pdf Код виробника: FDN360P Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P Виробник : Fairchild/ON Semiconductor FDN360P-D.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 298 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.