Продукція > ONSEMI > FDP027N08B-F102
FDP027N08B-F102

FDP027N08B-F102 onsemi

fdp027n08b-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.29 грн
50+122.38 грн
100+118.60 грн
500+98.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP027N08B-F102 onsemi

Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 223A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 246W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDP027N08B-F102 за ціною від 105.68 грн до 254.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 Виробник : ONSEMI 2859355.pdf Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.17 грн
10+207.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 Виробник : onsemi / Fairchild fdp027n08b-d.pdf MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.30 грн
10+211.84 грн
25+132.84 грн
100+120.36 грн
250+119.63 грн
500+105.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B_F102 Виробник : onsemi Description: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102
Код товару: 194545
Додати до обраних Обраний товар

fdp027n08b-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp027n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp027n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 Виробник : ONSEMI fdp027n08b-d.pdf FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.