Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP027N08B-F102

FDP027N08B-F102

fdp027n08b-d.pdf
Код товару: 194545
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP027N08B-F102 за ціною від 121.44 грн до 374.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 ONSEMI fdp027n08b-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 223A; Idm: 892A; 246W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 223A
Power dissipation: 246W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 892A
Gate charge: 137nC
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.41 грн
10+165.06 грн
50+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 onsemi fdp027n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.93 грн
10+182.79 грн
50+142.42 грн
100+121.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 onsemi fdp027n08b-d.pdf MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+374.56 грн
10+241.37 грн
100+156.50 грн
500+130.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 ONSEMI 2859355.pdf Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 246W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B_F102 onsemi Description: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
FDP027N08B-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 223A; Idm: 892A; 246W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 223A
Power dissipation: 246W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 892A
Gate charge: 137nC
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.41 грн
10+165.06 грн
50+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
FDP027N08B-F102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.93 грн
10+182.79 грн
50+142.42 грн
100+121.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
FDP027N08B-F102
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.56 грн
10+241.37 грн
100+156.50 грн
500+130.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 2859355.pdf
FDP027N08B-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 246W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B_F102
Виробник: onsemi
Description: FDP027N08B_F102
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.