FDP027N08B-F102 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.21 грн |
| 50+ | 126.74 грн |
| 100+ | 122.83 грн |
| 500+ | 102.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP027N08B-F102 onsemi
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 223A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 246W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP027N08B-F102 за ціною від 99.57 грн до 260.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP027N08B-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP027N08B-F102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP027N08B_F102 | Виробник : onsemi | Description: FDP027N08B_F102 |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
|
FDP027N08B-F102 Код товару: 194545
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
FDP027N08B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDP027N08B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 223A; Idm: 892A; 246W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 223A Pulsed drain current: 892A Power dissipation: 246W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 137nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |