FDP032N08B-F102 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 226+ | 156.76 грн |
| 500+ | 148.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
226 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP032N08B-F102 ON Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220-3, On-state resistance: 3.3mΩ, Mounting: THT, Pulsed drain current: 844A, Power dissipation: 263W, Gate charge: 111nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 211A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції FDP032N08B-F102
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP032N08B-F102 | onsemi |
 MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP032N08B-F102 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)