Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP032N08B-F102
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102 ON Semiconductor

fdp032n08b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+156.41 грн
500+148.18 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP032N08B-F102 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Інші пропозиції FDP032N08B-F102 за ціною від 79.59 грн до 262.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 onsemi fdp032n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.11 грн
50+128.20 грн
100+116.19 грн
500+89.28 грн
1000+82.94 грн
2000+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 onsemi fdp032n08b-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 fdp032n08b-d.pdf
FDP032N08B-F102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.11 грн
50+128.20 грн
100+116.19 грн
500+89.28 грн
1000+82.94 грн
2000+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 fdp032n08b-d.pdf
FDP032N08B-F102
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.