Продукція > ONSEMI > FDP032N08B-F102
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102 onsemi

fdp032n08b-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.47 грн
50+137.46 грн
100+124.53 грн
500+109.07 грн
1000+88.78 грн
2000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP032N08B-F102 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDP032N08B-F102 за ціною від 99.05 грн до 275.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 Виробник : onsemi / Fairchild FDP032N08B-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.24 грн
10+139.13 грн
100+114.93 грн
500+99.81 грн
1000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp032n08b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp032n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp032n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 Виробник : ONSEMI FDP032N08B-D.pdf Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 Виробник : ONSEMI fdp032n08b-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 211A
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 Виробник : ONSEMI fdp032n08b-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 211A
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.